Ni/Au/n-GaN肖特基二极管可导位错的电学模型

可导线性位错被普遍认为是GaN基器件泄漏电流的主要输运通道,但其精细的电学模型目前仍不清楚.鉴于此,本文基于对GaN肖特基二极管的电流输运机制分析提出可导位错的物理模型,重点强调:1)位于位错中心的深能级受主态(主要Ga空位)电离后库仑势较高,理论上对泄漏电流没有贡献; 2)位错周围的高浓度浅能级施主态电离后能形成势垒高度较低的薄表面耗尽层,可引发显著隧穿电流,成为主要漏电通道;3)并非传统N空位,认为O替代N所形成的浅能级施主缺陷应是引发漏电的主要电学态,其热激活能约为47.5 meV.本工作亦有助于理解其他GaN器件的电流输运和电学退化行为.     

应变作用下EuTiO3材料磁性的格林函数理论研究

基于自旋波和格林函数理论,研究了低温下二维应变诱导的EuTiO3在铁电四方相下的磁性性质,主要讨论了在铁电四方相下Eu离子在铁磁性和反铁磁性有序时系统沿不同高对称性方向的自旋波散射和磁化。我们发现施加外加应变不仅可改变晶格结构的对称性,还可以通过改变电子自旋之间的交换耦合作用,进而改变该材料的磁性散射和磁化等。     

飞思卡尔汽车微控制器MPC5561提升智能安全控制性能

近些年来,人们在充分享受汽车所带来的巨大便利的同时,也开始为汽车引发的诸多问题感到忧虑,例如随着汽车保有量的迅速攀升,道路日渐拥挤,事故屡见不鲜。     

超临界压力硅油MM竖直管内对流传热实验研究

硅油MM具有较低的临界点和较高的热稳定性,更适合应用于高温位热源的超临界有机朗肯循环(ORC)系统。超临界压力流体热物性会在拟临界点附近发生剧烈变化,导致流体管内对流传热出现传热强化或恶化等异常现象。本文通过实验获得了超临界压力硅油MM竖直管内向上流动的对流传热特性,分析了热流密度和压力等边界条件对传热特性的影响,并结合浮升力作用和热加速效应探讨了传热恶化的机理,为超临界ORC系统中加热部件的设计和优化提供支撑。     

一种新型的正胶剥离技术及其应用

介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法:刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣.开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的\     

InSb阳极氧化膜界面特性研究

用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和制备工艺的关系,为InSb表面的钝化工艺提供参考.     

创新RF功率器件为应用提速——飞思卡尔RF解决方案概览

随着网络、计算和无线技术的飞速发展,新的技术规范和标准层出不穷,射频设备、便携式无线设备也在不断推陈出新,产品的体积变得越来越小、重量变得越来越轻,而功能却变得越来越强大;客户对内容丰富的应用和高级的服务需求日益     

飞思卡尔的32位双核汽车微控制器MPC5510提供更高集成度降低汽车车身电子系统成本

随着汽车架构朝着更加复杂的分层网络发展,汽车制造商需要更高性能的车身电子模块,以支持网关功能,提供更高功能的集成和集中服务,如诊断、重新编程和电源管理。     

挑战轻薄极限 索尼VAIO Duo 11变形之旅

所谓闻名不如见面,在看到索尼Duo 11之前,米饭对它的印象也许只是超极本、Windows 8、变形、侧滑盖等抽象的词汇,《移动信息》聚友趣栏目给了众多搞机的朋友一个和索尼Duo 11近距离接触的机会。一千个人眼中有一千个哈姆雷特,那么一千个人眼中有一千个索尼Duo 11。他们眼中的Duo 11究竟是怎样,我们一起揭晓答案。     

气相色谱法测定学生用品胶黏剂中水分含量的样品处理

采用气相色谱法测定学生用品胶黏剂中水分含量，对样品处理条件进行优化。称取0.6 g样品和0.2 g异丙醇，置于预先加入玻璃珠的具塞玻璃瓶中，加入10 mL的N,N-二甲基甲酰胺，在摇床上以400 r/min速率震荡90 min，静置沉淀，取1μL上清液进行气相色谱分析。水的质量分数在5%～95%范围内线性关系良好，相关系数为0.999 8，方法检出限为3%。样品加标回收率为90%～110%，测定结果的相对标准偏差为0.11%～0.41%(n=6)。该样品处理方法操作简便，适合大批量样品检测，提高了检测效率，测定结果稳定、可靠。