浅谈GSM系统

 GSM原意为移动通信特别小组(GroupSpecialMobile)。该组织成立于1982年,旨在制定一个欧洲移动通信系统的特性规范,以便使整个欧洲采用一个统一的移动通信制式,让移动通信用户在欧洲各国的移动通信成为可能。今天,所谓的GSM,就是泛欧数字移动通信系统(GiobalsystemforMobileCommunication),它有效地克服了模拟制式移动通信系统存在的频谱利用率低、容量小、制式不统一、联网漫游困难、不能提供数据等非话业务以及话音失真、保密性差等缺点。GSM的发展,弥补了有线电话的严重不足,解决了人们在任何地点、任何时间的通信联络。     

漫谈金属探测器

提起金属探测器（Metal Detector），人们就会联想到探雷器，工兵用它来探测掩埋的地雷．金属探测器是一种专门用来探测金属的仪器，除了用于探测有金属外壳或金属部件的地雷之外，还可以用来探测隐蔽在墙壁内的电线、埋在地下的水管和电缆，甚至能够地下探宝，发现埋藏在地下的金属物体．目前还广泛应用于各种大型会议中心、会展场馆、体育场馆、公检法、监狱系统及娱乐场所的安全检查和工厂企业的防偷窃检查，甚至用于对高考禁带物品的检查．本文就来谈谈金属探测器的发展历史和工作原弹．     

大焦深成像系统仿真实验研究

如何增大非相干光学成像系统的焦深是应用光学研究领域的热点问题.本文对采用高次非球面光学掩模板与图像处理相结合增大成像光学系统焦深的新方法进行了深入分析,建立了大焦深成像系统仿真实验模型,并进行了大焦深成像系统仿真实验.实验结果证明了该方法在维持原相对孔径的同时使光学系统在较大的离焦范围内有好的成像质量.实际应用中还要综合考虑模板参量、信噪比等关键因素.     

关于电视群信号对光纤副载波调频传输中的信噪比平衡问题的分析

本文对微波副载波用电视群信号调频的光纤传输中的信噪比平衡问题进行了分析,推导出VSB-AM信号在解调后的信噪比表达式,引入了信噪比恶化系数的概念.为了实现多路VSB-AM信号间的信噪比的平衡,相应的微波副载波频偏应有确定的比例关系.     

宽带抽运情况下乙醇、丙酮溶液中受激拉曼散射光谱的实验研究

研究了乙醇、丙酮两种拉曼介质在宽带抽运情况下啁啾激光脉冲的受激拉曼散射频谱特性 ,得到的一级Stokes光频谱宽度与抽运光基本相当 ,且具有较高的转换效率 ,从而表明了利用“展宽—受激拉曼散射—压缩”的办法获得波长近 1μm的飞秒级超短脉冲激光信号源的实验方案具有可行性     

水晶传感器与温度计

水晶,很早就被人们视为珍宝.1880年,居里兄弟俩发现了“压电现象”,继之卡迪发明了振荡器以来,致使水晶的用途日益扩大.水晶是非常稳定的结晶体,具有极优良的频率稳定性,作为优质的弹性体.利用晶体制作的稳定振荡器,已用于无线电电台、汽车电话、私人无线电等通信机和广     

车载GPS／航位推算组合导航系统的信息融合

简要介绍了车载ＧＰＳ／航位推算组合导航系统的设计，在建立起该系统数学模型的基础上，给出了一种适用于多传感器联合卡尔尔曼滤波算法，试验结果表明，该算法在容错，实时控制，数据处理速度等方面具有显著的优越性。     

Laves相贮氢合金及其在Ni／MH电池中的研究进展

Ｌａｖｅｓ相贮氢合金是目前贮氢材料研究与开发的热点之一。本文概述了Ｌａｖｅｓ相合金的结构、贮氢机理、贮氢性能以及它在Ｎｉ／ＭＨ电池应用中的最新进展。     

能进行单分子层生长的相位控制外延

自从分子束外延问世以来,电子衍射仪就是该技术的一种必不可少的仪器,用它来观测生长过程中的结晶情况及表面结构变化。随着MBE技术的发展及研究工作的深入,电子衍射仪的用途也在不断扩展:如观测衍射象的变化探讨晶体的生长机理;利用衍射象随温度的变化来辅助测量衬底温度;通过观测衍射象的振动来控制生长厚度达到分子层的精度等等。本文介绍的“相位控制外延技术”被认为是这些扩展的应用中最有吸引力的。特译出此文,以飨读者。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.