羟喜树碱在导电聚合物膜修饰电极上的电催化性能及其电化学分析方法研究

采用循环伏安法对羟喜树碱在4-(2-吡啶偶氮)间苯二酚(PAR)导电聚合膜修饰电极上的电催化性能及其电化学分析方法进行了研究.磷酸盐缓冲液中(pH3.0),在-0.2～ 0.4 V范围内羟喜树碱在PAR膜修饰电极表面受吸附控制,发生准可逆单电子转移电极反应过程,电子转移系数α=0.38;首次提出了以差示脉冲伏安法建立检测羟喜树碱含量的新方法.在聚合时间为40圈(100mV/s),富集电位 1.0V,富集时间240s条件下,利用差示脉冲伏安法测得其氧化峰电流Ip与浓度分别在0.01～1.0μmol/L和1.0～4.0μmol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0nmol/L.     

金属中激光超声信号的频谱分析

利用ＹＡＧ脉冲激光器在金属中诱导光击穿,从而产生超声脉冲。分别用５ＭＨｚ,１．２５ＭＨｚ的压电换能器接收光声信号,然后对其频谱进行分析,证明在光击穿的条件下,光声信号是一个含有多种频率的复频信号,其频谱的主峰出现在０～１００ｋＨｚ之间。     

基于创新能力培养的化学专业本科实验教学新体系的构建与实践

课程体系是人才培养的载体。为了更好地培养拔尖创新人才,南京大学化学国家级实验教学示范中心依据化学学科的特点和发展趋势,以科学内容的内在联系和研究规律为主线构建了“化学实验基础?化学合成与表征+化学原理与测量?化学功能分子实验+化学生物学综合实验+基于项目的研究实验”实验课程新体系,按照一流课程建设要求(高阶性、创新性和挑战度)对实验教学内容进行了优化,并建立起与之相适应的实验教学平台。新课程体系综合考虑了化学一级学科的整体性和关联学科的交叉性,在南京大学化学化工学院“拔尖计划”和“强基计划”学生中实施,教学效果显著。     

辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究

介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜,通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率,建立了掺杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法。方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析,并将分析深度、剖析结果与表面形貌仪的结果进行了对照。试验结果表明,分析方法快速、准确,具有实际应用价值。     

负荷特性对电力系统低频振荡的影响

负荷作为电力系统的重要组成部分,其特性对互联电网低频振荡具有重要的影响。本文在研究了电力系统低频振荡基本分析方法和电力负荷基本特性的基础上,建立了考虑动态负荷特性的用于研究低频振荡的电力系统线性化模型,形成多机系统的状态矩阵。以4机2区系统为研究对象,采用模态方法分析系统状态矩阵的阻尼比等结果随系统负荷模型参数变化的变化轨迹,从而获得不同负荷特性对系统低频振荡的影响。     

液体光击穿阈值的研究

运用声学基础理论,讨论了激光入射到液体中,激光能量与声信号强度间的变化关系.发现激光能量与声信号强度之间存在着对数线形关系.根据液体中光声信号的连续性,得到了一种求取液体光击穿阈值的新方法.     

Ni/Al2O3催化剂上甲烷部分氧化制合成气反应积炭的研究

合成气制备;Ni/Al2O3催化剂上甲烷部分氧化制合成气反应积炭的研究     

聚氯乙烯(PVC)膜固相光度法测定废水中汞

采用一种新型的、高灵敏度且简便易行的聚氯乙烯(PVC)膜固相光度法测定废水中汞含量。此方法基于Hg2+与Br-生成络阴离子HgBr-3,再与碱性染料罗丹明B(RB+)大阳离子形成有色缔合物(RB+·HgBr-3)。此缔合物被PVC膜吸附、富集后,于560nm波长下测定膜的吸光度。此方法线性范围为0.05～1.0μg·ml-1,检出限为0.01μg·ml-1,相对标准偏差小于5%。     

电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究

随着半导体技术的进步, 集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域, 使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战. 进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估. 参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取, 对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究. 通过试验对比, 定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响, 得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化, 在不同阶段对器件参数的影响. 结果表明, 总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化, 二者的共同作用远大于单一影响因子.     

Single event soft error in advanced integrated circuit

As technology feature sizes decrease, single event upset (SEU), and single event transient (SET) dominate the radiation response of microcircuits. Multiple bit upset (MBU) (or multi cell upset) effects, digital single event transient (DSET) and analogue single event transient (ASET) caused serious problems for advanced integrated circuits (ICs) applied in a radiation environment and have become a pressing issue. To face this challenge, a lot of work has been put into the single event soft error mechanism and mitigation schemes. This paper presents a review of SEU and SET, including: a brief historical overview, which summarizes the historical development of the SEU and SET study since their first observation in the 1970's; effects prominent in advanced technology, which reviews the effects such as MBU, MSET as well as SET broadening and quenching with the influence of temperature, device structure etc.; the present understanding of single event soft error mechanisms, which review the basic mechanism of single event generation including various component of charge collection; and a discussion of various SEU and SET mitigation schemes divided as circuit hardening and layout hardening that could help the designer meet his goals.