硼酸化量子点荧光微球免疫层析试纸条定量检测甲胎蛋白

提高表面抗体活性是免疫检测探针制备的关键。硼酸可与IgG的糖基化Fc片段快速发生位点特异性结合,充分暴露抗原结合区Fab片段以提高抗体活性,避免常用的酰胺键共价偶联方法引起的抗体取向不当及自交联。本研究在合成硼酸修饰的聚马来酸酐-alt-1-十八碳烯（PBA-PMAO）的基础上,采用超声乳化法制备表面硼酸改性的量子点荧光微球（PBA-QBs）。该微球既可与抗体简便、快速地定向偶联,又因量子点含量高而具有很强的荧光信号。将其与甲胎蛋白（AFP）单克隆抗体室温共孵育5 min制备高抗体活性的荧光免疫层析检测探针并用于定量检测AFP,线性范围为0.98～31.25 ng mL-1,最低检测限为0.45 ng mL-1,检测耗时20 min。血清样品中AFP的加标回收率为91.0%～107.1%,批内、批间变异系数介于3.65%～10.42%。     

3G和WLAN集成网络中的QoS的研究

将WLAN和3G结合,已经成为一种趋势.因此,需要考虑WLAN和3G结合的QoS问题.在这篇论文中,主要研究了将3G和802.11e相结合,为WLAN和3G集成网络的用户提供端到端的QoS业务.通过仿真,研究了WLAN误码率对3G业务类别传输吞吐量的影响.     

车载边缘计算中多任务部分卸载方案研究

现有车载应用设备对时延有更严苛的要求,车载边缘计算(VEC)能够充分利用网络边缘设备,如路边单元(RSU)进行协作处理,可有效地降低时延。现有研究多假设RSU计算资源充足,可提供无限的服务,但实际其计算资源会随着所需处理任务数量的增加而受限,对时延敏感的车载应用造成限制。该文针对此问题,提出一种车载边缘计算中多任务部分卸载方案,该方案在充分利用RSU的计算资源条件下,考虑邻近车辆的剩余可用计算资源,以最小化总任务处理时延。首先在时延限制和资源约束下分配各任务在本地、RSU和邻近车辆的最优卸载决策变量比例,其次以最小处理时延为目的在一跳通信范围内选择合适的空闲车辆作为处理部分任务的邻近车辆。仿真结果表明所提车载边缘计算中多任务部分卸载方案相较现有方案能较好地降低时延。     

基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器

设计并制作出了一种基于MEMS静电微镜驱动器的光纤相位调制器。MEMS静电驱动器采用垂直梳齿驱动技术,驱动硅微反射镜沿其法线方向的垂直平移运动以实现入射光波的光相位调制。MEMS静电微镜驱动器与光纤准直器耦合构成MEMS光纤相位调制器,避免了拉伸光纤或改变折射率的困难,具有MEMS技术批量制造、低成本等优势。采用MEMS工艺成功制作出MEMS光纤相位调制器,并实现Michelson光纤干涉仪。利用ASE宽带光源对光纤相位调制器的静态调制特性进行测试,采用Michelson光纤干涉仪对光纤相位调制器的动态调制特性进行测试,结果表明,MEMS光纤相位调制器50V偏压实现了1 550nm光波的2π相位调制,当器件谐振频率为7.15kHz以及交、直流电压幅值分别为12.5V时,响应幅值可达6.8μm,可以实现多个2π的相位的正弦调制。     

液相色谱-高分辨质谱联用技术在食品欺诈检测鉴别中的应用

针对我国现阶段较为突出的违法使用农兽药、滥用食品添加剂、非法添加非食用物质和掺杂使假等食品欺诈问题,综述了近5年来液相色谱-高分辨质谱联用技术在该领域的应用情况。重点介绍了高分辨质谱,主要是飞行时间质谱和静电场轨道阱质谱技术的定向筛查和非定向筛查功能在食品欺诈检测鉴别中的应用,以期为解决该类食品安全问题提供有益的参考。     

电信业进入品牌竞争时代?

中国移动品牌已成熟实践,中国联通的品牌体系已历经整合,中国电信的“世界触手可及”,中国网通的“中国网宽天下”似乎向我们发出这样一个信号——电信业的品牌竞争时代已经来到     

“双减”政策下初中数学作业设计的“五优”策略

落实“双减”政策,优化数学作业.本文从优化数学作业增强作业的趣味性、加强数学作业的阅读性、设计数学作业的层次性、落实数学作业的合作性、拓宽数学作业的开放性五个方面浅谈作业设计优化的有效策略.     

三色碳纳米管场发射灯的研制

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到～1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm2,发射点密度从～103/cm2增加到～105/cm2.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.     

三色碳纳米管场发射灯的研制

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到～1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm2,发射点密度从～103/cm2增加到～105/cm2.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.