Ce：LiCAF对激光器紫外短脉冲序列的产生

利用由常用的１０－ｎｓＱ开关Ｎｄ：ＹＡＧ激光的四次谐波泵浦的Ｃｅ：ＬｉＣＡＦ激光器，直接地，被动地产生了２９０－ｕｍ，６００－ｐｓ脉冲序列。使用Ｃｅ：ＬｉＣＡＦ激光增益介质，采用最近提出的自注入种子脉冲序列结构，实现了简单的，全团体的紫外短脉冲激光器系统。     

100—172MHZ带状支架抗震型石英谐振器的研制

本文叙述了１００－１７２ＭＨＺ石英谐振器。采用了３个和２个带状支架支撑晶片，从而提高了谐振器的抗外界环境的冲击振动能力，实现了设计目标。     

40Ar+诱导无定形碳到金刚石纳米晶相变的研究

通过60 keV的⁴⁰Ar⁺辐照无定形碳靶合成了大量尺寸不同的金刚石纳米颗粒.高分辨透射电子显微镜配合能量色散X射线谱和电子衍射以及Raman谱分析的结果表明，这些嵌于具有扰动石墨结构薄膜中的纳米金刚石颗粒，其成核率很高(约为10¹³/cm²)，而且可以生长到较大的尺寸，有的甚至可以达到微米量级.对其相转变过程也进行了初步探讨. 关键词： 离子束 金刚石纳米晶 相变 透射电子显微镜     

CD电路开发和设计

本文以我们自已设计的一套电路为例，较详细地介绍了ＣＤ主电路的原理及一些设计方法，并介绍了我们在设计工作中所做的工作，同时也对ＣＤ机另一关键技术－调整技术作一详细介绍。     

对SOC设计综合的反思

~~对SOC设计综合的反思@黄国勇     

胃动力信息采集与分析系统设计

本文设计了一套提取胃电和胃阻抗信号的胃动力信息采集与分析系统，该系统由采集系统和分析系统两部分构成。前者以单片机（ADuC834）为核心部件，实现了胃电和生物阻抗信号的同步采集和数据传输。后者对提取的阻抗信号和胃电信号运用小波多分辨分析处理，利用小波变换将胃阻抗信号从呼吸和血流信号中分离。系统可以应用于分析功能性消化不良患者胃动力的电过程和机械过程。     

双阱结构含时量子输运的微扰论及输运方程

利用Lewis-Riesenfeld不变量理论和与不变量有关的幺正变换方法研究了双阱结构含时量子 输运的微扰论.获得了双阱内含时薛定谔方程的精确解的完备集，在此基础上，把双阱与左 右热库的相互作用作为微挠，获得了双阱结构一阶近似下的输运方程，并在绝热近似下提供 了一种用于研究量子输运过程中几何相因子(Berry相因子)的方法. 关键词： 含时量子输运 输运方程 不变量 几何相因子     

一种8毫米波变张角,半径突变多模圆锥馈源

我们研制了一种8毫米波变张角、半径突变的多模圆锥馈源。计算出其模比并推导出其辐射方向图公式;给出其在两个主平面——E平面与H平面上的辐射方向图和波束场分布特性的测试结果以及电压驻波比VSWR的测量结果;同时给出频带和旁瓣特性。分析与测试共同表明,在34.5GHz～37GHz频带里,该多模馈源的辐射图在大于24dB范围内获得幅度等化且不出现旁瓣,因此具有一定的应用价值。     

倾斜Bragg光纤光栅反射谱特性理论和实验研究

光纤Bragg光栅在通信和传感领域有着广泛的应用。根据倾斜光纤Bragg光栅的结构特点，利用耦合模原理，运用传输矩阵法，模拟分析了倾斜角度对光纤Bragg光栅反射特性的影响，并用实验对模拟结果进行了验证。实验和模拟结果表明：随着倾斜角的增大，中心反射波长向长波方向移动，反射带宽变窄，反射率减小。这个结论对倾斜Bragg光纤光栅的生产和应用有一定的指导作用。     

Effect of Substrates on CuInSe2 Nanoparticle Thin Films by Radio Frequency Reactive Sputtering

CuInSe2(CIS) nanoparticle thin films have been prepared by radio frequency reactive magnetron sputtering from compound ternary fan-shaped targets on low-temperature substrates with pure argon gas as the atmosphere.The stoichiometry of the ternary compound semiconductor quantum dots can easily be controlled by the ratios of the ternary elements and sputtering parameters.CIS nanoparticle thin films regularly shaped and distributed reasonably uniform in size on substrates of 7059 glass etc can be grown in this way.The average particle diameter can be varied between 40-80 nm by an appropriate choice of the substrate temperature,power density and total CIS coverage.the optical and electrical properties of the CIS films have also been studied.