GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析

为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题,运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析, 获得了GaAs电子发射层原子级表面。结果表明：组件150℃为表面放气,450℃为材料体内放气,580℃为洁净表面获得温度,大于650℃ 时GaAs发射层面有As蒸发。这说明严格控制发射层表面洁净温度,是保证制备高性能阴极灵敏度的关键。     

基于自适应曝光的CMOS图像传感器的设计与实现

从硬件结构、曝光策略和模拟结果入手，在传统滚筒式曝光基础上，通过对用户设定区域像素饱和值的统计和曝光时间选择算法，提出了一种CMOS图像传感器大动态范围自适应曝光的设计。曝光时间可从1ps至65ms，探测光强范围达到10^1～10^6lux，设计将充分发挥现有像素性能，实现快速实时的自适应曝光需求。     

14位流水线A/D转换器采样电容值的优化

针对14位流水线A/D转换器中各级采样电容值的优化问题,提出了在系统模型中加入热噪声模型的方法。在14位流水线A/D转换器结构下,通过系统级仿真,得出采样保持放大器(SHA)的采样电容Cs必须大于10 pF,第一级余数放大器的采样电容必须大于2 pF,才能使有限的采样电容引起系统信噪比的衰减小于1 dB的结论。     

CMOS图像传感器时序控制方法研究与实现

针对CMOS图像传感器滚筒式曝光模式,研究采用多种曝光时间,实现多线段拟合像素输出特性曲线,扩展传感器的动态范围,并改善其平滑性,提高图像清晰度;应用电源保护环、像素二次采样等方法消噪。电路选用charter 0.35μm工艺,经仿真验证满足设计要求。     

Al2O3∶C的光释光荧光光谱测量及分光光谱测量系统设计

使用Al₂O₃∶C作为灵敏物质的辐射探测器具有体积小、灵敏度高、可在线远程退火等优点。精确测量Al₂O₃∶C的光释光荧光光谱不仅有助于理解Al₂O₃∶C的能级分布和发光机理,还可用于指导荧光收集和测量系统设计。采用直接测量法和分光测量法测量了Al₂O₃∶C的光释光荧光光谱,两种方法得到的光谱基本一致,具有峰值波长为～414nm,半高宽为～62nm的单峰形状,且长波长侧衰减较缓慢。峰值波长为414nm(对应能量为3.0eV)的宽带光释光荧光对应于Al₂O₃∶C材料中F色心由³P激发态退激到¹S基态所发射的荧光。设计的分光光谱测量系统可完全消除高强度反射激发光的影响,也可用于其他光释光材料的荧光光谱测量。     

二代微通道板（MCP）放气成分质谱分析

模拟二代微光管制管工艺,对MCP经不同工艺处理后的放气成份进行分析,发现工艺质量本质是造成MCP污染的主要因表。经改进工艺,提高了制管成品率和管子性能。     

微光器件铟封漏气因素分析

为解决微光管光电阴极与管体铟封漏气问题,采用扫描电镜和X射线能谱仪对铟材和封接过程工艺质量进行全面分析,结果表明造成铟封漏气的根本原因是铟量小,铟表面氧化和吸附的杂质污染造成的,与铟纯度无关。采取提高真空度,改进化铟工艺,控制铟高温外流等措施解决了阴极与管体铟封漏气问题,使气密性成品率大于90%。     

一种低温度系数带隙基准电压源

描述了一个具有高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路。基于1阶零温度系数点可调节的结构,通过对不同零温度系数点带隙电压的转换实现低温度系数,并采用了电源波动抑制电路。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,经过Cadence Spectre仿真验证,在-20℃～100℃温度范围内,电压变化范围小于0.5mV,温度系数不超过7×10-6/℃。低频下的电源抑制比为-107dB,在10kHz下,电源抑制比可达到-90dB。整个电路在供电电压大于2.3V时可以实现正常启动,在3.3V电源供电下,电路的功耗约为1.05mW。     

A charge pump for driving CMOS active pixel reset

To overcome the limitation of low image signal swing range and long reset time in four Iransistor CMOS active pixel image sensor, a charge pump circuit is presented to improve the pixel reset performance. The charge pump circuit consists of two stage switch capacitor serial voltage doubler. Cross-coupled MOSFET switch structure with well close and open performance is used in the second stage of the charge pump. The pixel reset transistor with gate voltage driven by output of the pump works in linear region, which can accelerate reset process and complete reset is achieved. The simulation results show that output of the charge pump is enhanced from 1.2 to 4.2 V with voltage ripple lower than 6 inV. The pixel reset time is reduced to 1.14 ns in dark. Image smear due to non-completely reset is elIminated and the image signal swing range is enlarged. The charge pump is successfully embedded in a CMOS image sensor chip with 0.3 × 10^6 pixels.