基于单传感器的低照度彩色图像增强系统

针对低照度下传统彩色图像传感器成像质量差的问题,提出一种基于单传感器的低照度彩色图像增强系统.系统同时采集可见光(VIS)和近红外(NIR),用NIR对VIS图像进行增强.系统中,为处理混合光图像提出了一系列图像处理方法:针对NIR对VIS颜色干扰的问题,提出一种颜色差值与降噪处理相结合的VIS分离方法;针对VIS与N...     

三代微光管防离子反馈Ａｌ２Ｏ３ 膜电子轰击放气成分分析

为了解决防离子反馈Ａｌ２Ｏ３膜污染对三代微光管ＧａＡｓ光电阴极灵敏度的影响,用四级质谱计对制管超高真空室残气、无膜微通道板（ＭＣＰ）和带Ａｌ２Ｏ３膜ＭＣＰ在电子轰击时的放气成份进行分析。结果表明,带Ａｌ２Ｏ３膜ＭＣＰ放出有对阴极光电发射有害的Ｃ、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｈ２Ｏ２和ＣXＨY化合物,它们来源于Ａｌ２Ｏ３膜制备过程的质量污染。经过对制膜工艺质量进行改进,制备出了放气量小于２１０－９ Ｐａ且无ＣＸＨＹ化合物气体的Ａｌ２Ｏ３膜。     

一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路

设计了一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路。采用具有正负温度系数的电流相减,得到随温度变化更加明显的电流,经过电阻分压控制三极管的通断,并采用推挽反相器整形滤波后得到输出信号,实现了芯片过温关断和迟滞开启的功能。采用HHNEC BCD 0.35μm工艺,使用Cadence软件进行仿真验证。仿真结果显示,在各个工艺角及电源电压波动情况下,电路均能在芯片温度上升到170℃时关断、在芯片温度下降到140℃时开启,迟滞值为30℃(±2℃)。     

优化传输栅下电势分布改善四管像素的电荷转移效率

提出了一种通过优化传输栅下沿电荷转移路径的电势分布来提高电荷转移效率的方法。通过使用非均匀掺杂传输管沟道,形成了传输管沟道内部的电势分布梯度。通过对R1区与传输栅的交叠长度,R1区的掺杂剂量,防穿通注入（APT）与传输栅交叠长度的调整,减小了传输管沟道与箝位光电二极管（PPD）连接区域的电子势垒与电子势阱,增强了二者的电势连接。仿真结果显示,剩余电荷占总电荷的比例由1/104减小至1/107,转移时间由500 ns缩短为110 ns。这意味电荷转移效率得到了提高。     

基于平衡态的动态比较器失调电压分析和设计优化

本文提出了一种基于平衡态的动态比较器失调电压分析设计技术。以两支路电压电流相等的平衡态为分析基础,通过在复位电压跳变时刻引入补偿电压的方法,逐一分析了动态比较器各晶体管参数对总体失调电压的影响,建立了失调电压的数学模型;采用Chartered 0.18um1P6M工艺对Lewis-Gray型动态比较器进行了电路和版图设计,并利用可快速提取失调电压的定步长仿真方法对其失调电压进行了仿真,结果表明所提出的分析方法可以相对准确的估算失调电压。以该分析方法为基础,本文还提出一种基于总体失调电压影响权重的晶体管分组优化方法,在保证总体面积不变的条件下,可将失调电压有效降低50%以上。经流片测试结果表明,本文所提出的分析和优化方法可应用于高速高精度系统中比较器的设计。     

光电阴极减源材料放气成分质谱分析

用四级滤质器对光电阴极碱源材料放气成分进行质量分析，给出分析结果，并讨论所放出的有害气体对制备光电阴极带来的影响。     

蒙哥马利算法在RSA公钥算法中的应用

RSA算法是第一个能同时用于加密和数字签名的算法,是一个被研究的最广的算法,从提出到现在经历了各种攻击的考验,逐渐为人们接受,普遍认为是目前最优秀的公钥算法之一。但是幂模运算是RSA的速度瓶颈,而模幂运算又可以转化为平均(3e)/2次的模乘运算,蒙哥马利算法被认为是计算大数模乘的最快算法,利用蒙哥马利算法对幂模运算的改进可以大大提高RSA的加解密效率。实验证明,使用1 024位密钥加密文件,利用蒙哥马利算法改进后的RSA算法的加密耗时减少了3/4左右。     

二代近贴管微通道板(MCP)电子清刷技术

主要介绍二代近贴微光管MCP电子清刷技术研究结果,结合质谱分析对MCP释放的残气对阴极光电发射产生的影响进行讨论.     

高帧频大动态范围CMOS图像传感器时序控制电路的设计与实现

本文主要论述了CMOS图像传感器时序控制电路的系统设计和实现方法.针对双采样结构的图像传感器,分析了常用的并行式曝光方式和滚筒式曝光方式两种时序控制方法及其具体实现过程,并根据时序控制电路的功能仿真和在FPGA上的验证结果,对二者进行了比较,证明了这两种方法的可行性.     

应用于CMOS图像传感器中带有失调电压消除功能的电容比值非相关十位循环式模数转换器

A 10-bit ratio-independent switch-capacitor（SC） cyclic analog-to-digital converter（ADC） with offset cancelingforaCMOSimagesensorispresented.TheproposedADCcompletesanN-bitconversionin1.5N clock cycles with one operational amplifier. Combining ratio-independent and polarity swapping techniques, the conversioncharacteristicoftheproposedcyclicADCisinherentlyinsensitivebothtocapacitorratioandtoamplifieroffset voltage. Therefore, the circuit can be realized in a small die area and it is suitable to serve as the column-parallel ADC in CMOS image sensors. A prototype ADC is fabricated in 0.18- m one-poly four-metal CMOS technology.The measured results indicate that the ADC has a signal-to-noise and distortion ratio（SNDR） of 53.6 dB and a DNL of C0：12/0：14 LSB at a conversion rate of 600 kS/s. The standard deviation of the offset variation of the ADC is reduced from 2.5 LSB to 0.5 LSB. Its power dissipation is 250 W with a 1.8 V supply, and its area is0.030.8 mm2.