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A3Ln(Ⅲ)1—xTb(Ⅲ)x(A=邻氨基苯甲酸;Ln=La,Gd,Y;x=0—0.1)稀土配?… 总被引:7,自引:1,他引:6
采用共沉淀法合成了掺杂La、Gd、Y的Tb-邻氨基苯甲酸配合物,研究其荧光性能,结果显示,掺杂La、Gd、Y后,对Tb配合物的发光有增敏作用,讨论了不同的掺杂离子(La、Gd、Y)及掺杂量对其荧光性能的影响。发现,当掺杂离子取代大部分Tb^3+时,其发光增强仍十分显著。 相似文献
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采用共沉淀法合成了掺杂 L a、 Gd、 Y的 Tb-邻氨基苯甲酸配合物 ,研究其荧光性能 ,结果显示 ,掺杂L a、Gd、Y后 ,对 Tb配合物的发光有增敏作用 ,讨论了不同的掺杂离子 (L a、Gd、Y)及掺杂量对其荧光性能的影响。发现 ,当掺杂离子取代大部分 Tb3+时 ,其发光增强仍十分显著。 相似文献
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The conductive mechanisms of a titanium oxide memristor with dopant drift and a tunnel barrier
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Nano-scale titanium oxide memristors exhibit complex conductive characteristics, which have already been proved by existing research. One possible reason for this is that more than one mechanism exists, and together they codetermine the conductive behaviors of the memristor. In this paper, we first analyze the theoretical base and conductive process of a memristor, and then propose a compatible circuit model to discuss and simulate the coexistence of the dopant drift and tunnel barrier-based mechanisms. Simulation results are given and compared with the published experimental data to prove the possibility of the coexistence. This work provides a practical model and some suggestions for studying the conductive mechanisms of memristors. 相似文献
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总结了移动通信系统中的信息安全问题,对GSM、UMTS和LTE移动通信系统的安全体系、安全目标、安全机制和安全缺陷等问题进行了详细分析;对未来移动通信网络进行了展望,认为未来移动通信网络是多种接入网络融合的通信网络,是开放的、弹性的、可编程的网络,其更加开放和灵活的网络架构不可避免地会引入新的安全风险。 相似文献
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Nd10.1Fe(83.7-x-y)CoxZryB6.2永磁材料结构和磁性能的研究 总被引:7,自引:0,他引:7
采用熔体快淬及晶化热处理工艺制备Nd10.1Fe(83.7-x-y)CoxZryB6.2纳米晶永磁材料. 在快淬速度为18 m·s-1时, 经710 ℃/4 min晶化处理后, Nd10.1Fe76Co5Zr2.7B6.2粘结磁体出现最佳磁性能, 分别为Br=0.67 T, JHc=754 kA·m-1, (BH)max=75.1 kJ·m-3. 粘结磁体的磁性能对于快淬速度非常敏感. 随着合金元素的添加, 出现最佳磁性能的快淬速度逐渐减少. 为了得到最佳磁性能, 除了选择合适的快淬速度外, 添加合适的合金元素变得非常重要.添加Zr元素抑制了亚稳相的析出以及细化了晶粒尺寸.比较不加Zr元素的Nd10.1Fe78.7Co5B6.2, 添加Zr元素晶化温度增加了9 ℃, 表明Zr元素也增加了快淬薄带的热稳定性. 相似文献