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文章报道了一个二极管激光抽运的1123 nm被动调Q激光器. 激光晶体为混晶Nd:LuYAG, 饱和吸收体选为Cr4+:YAG晶体. 在连续运转情况下, 最高输出功率为2.77 W, 对应的光-光转换效率为29.53%. 调Q运转时, 在9.38 W吸收抽运功率下, 最高输出功率为0.94 W. 脉冲宽度整体在105 ns左右. 在最高吸收抽运功率下, 1123 nm激光的输出重复频率为9.40 kHz, 对应的单脉冲能量可达100 μJ, 高于目前报道的单晶Nd:YAG 1123 nm单脉冲能量, 证明其在能量存储方面较单晶Nd:YAG更具优势. 另外, 据我们所知, 这是关于混晶Nd:LuYAG 1123 nm输出的首次报道. 相似文献
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新一代无线室分工程自动设计与仿真系统 总被引:1,自引:0,他引:1
徐晓东 《电信工程技术与标准化》2009,22(6):24-27
本文提出了基于Visio2003的无线室内分布工程自动设计和仿真系统的具体实现方法,利用本系统可以通过不同网络模具的开发和管理来实现灵活的设计方案,同时本文也给出了无线室内分布仿真工程的实现原理、方法和效果展示,最后总结了该自动设计和仿真系统的成果特点。 相似文献
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广州市800兆数字集群共网系统介绍 总被引:2,自引:2,他引:0
文章给出了广州市800兆数字集群共网系统的项目背景、网络概况、网络建设和运营基本情况等,结合广东电信的网络建设和网络运营的实际情况,展示了广州市800兆数字集群网络建设和运营工作取得的阶段性成果,最后总结了广州市800兆数字集群共网系统建设的意义。 相似文献
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应用中频感应提拉法生长出不同掺杂浓度的Yb∶FAP激光晶体。运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定了Yb3+离子在Yb∶FAP晶体中的分凝系数约为0.03。随着晶体的生长,晶体中Yb3+离子的轴向浓度逐渐增大。研究Yb∶FAP晶体在77 K和300 K温度下的吸收光谱发现,振动谱的变化主要是由电子-声子近共振耦合作用引起的。系统地研究了不同Yb3+离子掺杂浓度Yb∶FAP晶体的吸收光谱和荧光光谱。通过吸收光谱的测量计算了晶体的吸收截面。Yb∶FAP晶体在904 nm和982 nm处存在Yb3+离子的两个吸收带,适合激光二极管抽运。 相似文献
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固体激光器中复合结构的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了固体激光器中复合结构工作物质的概念、优点和制作方法。详细总结了每种方法制作的尺寸大小及应用于固体激光器中激光性能方面的改善程度。综述了复合结构工作物质和复合结构激:光器的研究历史和现状,并总结了Yb:Y3Al5O12晶体复合结构在同体激光器中的应用。最后指出了复合结构工作物质未来的发展方向。 相似文献
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采用微下拉法成功生长出Sm∶YAG和Sm∶Y3ScAl4O12单晶光纤。XRD结果表明晶体为立方晶系,晶胞参数分别为a=1.199 3 nm和a=1.200 0 nm。测试了室温下单晶光纤的拉曼光谱、吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命。Sm∶Y3ScAl4O12最大声子能量为766 cm-1。Sm∶YAG和Sm∶Y3ScAl4O12 在可见波段的最强吸收位于405 nm附近,非常适合InGaN/GaN二极管泵浦。404 nm激发下,最强发射带位于618 nm处, 对应于Sm3+的4G5/2→ 6H7/2能级跃迁, 测得Sm∶YAG和Sm∶Y3ScAl4O12上能级4G5/2的荧光寿命分别为1.86 ms和1.83 ms。实验结果表明Sm∶YAG和Sm∶Y3ScAl4O12单晶光纤是有潜力的红橙光波段激光增益介质。 相似文献
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Diode-Pumped Passively Q-Switched Yb:YAG Microchip Laser with a GaAs as Saturable Absorber
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A passively Q-switched Yb: YAG microchip laser has been constructed by using a doped GaAs as the saturable absorber as well as the output coupler. At 13.5 W of pump power the device produces high-quality 3.4μJ 52ns pulses at 1030nm with a pulse repetition rate of 7.8 kHz in a TEM00-mode. 相似文献
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