非均匀介质的光学常数

提出了一种计算非均匀介质光学常数的新方法,该方法仔细地考虑了光在非均匀介质中的吸收和散射.研究了非均匀介质层的厚度、介质中颗粒粒径、衬底反射性能等对介质光学常数的影响.这种研究将有利于同有关的测量实验结合和比较.     

应力补偿型InGaN-A1GaN量子阱发光二极管结构优化研究

薄的应力补偿层AIGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察。由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率。应力补偿层A1GaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因。定量优化A1GaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究。计算结果表明,当应力补偿型InGaN—A1GaN量子阱结构中Al-GaN厚度为1nm,Al含量为0．25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率。     

InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计

计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场,对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Reao-Hall(SRH)非辐射复合速率进行了研究,确定内建电场引起的量子阱区域载流子浓度分布均匀性是影响器件效能高低的关键因素.对大电流下晶格优化的A10.02In0.1Ga0.88N四元材料作为量子阱垒层的器件效能和发光特性下降的原因进行了深入分析,同时提出了具体的解决方法.     

衬底剥离的量子阱红外探测器研究

对用MBE生长的GaAs/A lGaAs量子阱材料进行了衬底剥离,在此基础上制备了单元器件并测量了器件的黑体响应率以及光电流响应.实验解决了衬底剥离及器件制备中的工艺问题,研究了衬底剥离对材料及器件性能的影响以及用这种方法制备器件的可行性.结果表明选择腐蚀法是一种有效的衬底剥离方法,用这种方法得到的多量子阱薄膜材料仍具有较好的红外探测性能,为进一步实验提供了依据.     

非均匀涂层的热辐射

考虑非均匀涂层自身辐射,以及对衬底辐射的透射和对外来辐射的反射,建立了热辐射传输方程;给出了涂层表观发射比和反射比的公式;并讨论了影响涂层辐射性能的诸因素。     

红外晶格振动频率求和律与力常数

研究了闪锌矿结构晶格振动频率的平方和与力常数之间的关系。计算并分析了常见的11种金刚石和闪锌矿结构中化合物的力常数。