Fe2O3的掺杂对BaSn0.11Ti0.89O3陶瓷介电性能的影响

实验发现Fe2O3可以有效地展宽并压抑BaSn0.11Ti0.89O3电介质陶瓷材料的居里峰值。该文研究了Fe2O3的掺杂对BaSn0.11Ti0.89O3基陶瓷的介电性能的影响。用环境扫描电镜(SEM)对不同掺杂量样品的表面形貌进行了观察。发现其介电常数-温度(ε-T)曲线、材料的抗电强度、品粒的粒径及其分布以及晶粒生长状况等都随Fe2O3掺杂量的变化而有规律地变化，并在所获数据的基础上讨论了Fe2O3掺杂的改性机理。     

基于有机螯合前驱体LaCrO_3薄膜合成及显微结构

用有机螯合前驱体的溶胶—凝胶法在较低温度下合成了LaCrO3薄膜。通过IR、DTA TG、XRD、SEM和TEM手段分析了凝胶形成和转化以及LaCrO3薄膜合成过程和显微结构。结果表明 :螯合前驱体凝胶约在 1 95℃分解 ,在 2 0 0℃、 1h下形成LaCrO3,并且前驱体中络合方式对LaCrO3形成有着重要影响 ;LaCrO3薄膜形成过程包含LaCrO3在基片上成核、生长 ,并通过制膜次数增加来形成具有一定厚度的连续陶瓷薄膜 ;提高热处理温度薄膜的颗粒增大。     

梯度煅烧对PZT铁电薄膜表面形貌的影响

研究了通过梯度煅烧制度改善薄膜开裂同题的方法和机理。实验在Al2O3基片上采用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法制备了PZT铁电薄膜，发现薄膜的开裂程度随预烧制度的不同而存在明显的差别。结果表明，通过选择薄膜的预烧温度，使各个薄膜层的预烧温度呈梯度分布，可减小薄膜中的应力，从而改善薄膜的开裂情况。     

PTC热敏电阻器阻温特性的自动测量

<正> 一、前言众所周知,PTC陶瓷热敏电阻器在某一温度区间,阻值随温度升高迅速增大。如开关型热敏电阻,其最大、最小值之比达10~3～10~7;在该温度区间,温度系数可达(10～100)×10~(-2)/℃。这种温度特性使PTC     

锰掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3-MgTiO3复相陶瓷的制备和介电性能

以分析纯的Ba(NO3)2、Sr(NO3)2、草酸和钛酸丁酯为原料, 采用草酸盐共沉淀法制备了钛酸锶钡（Ba0.6Sr0.4TiO3, BST）纳米粉体. XRD和SEM分析结果表明, 该方法制备出立方相的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体, 平均粒径小于100 nm, 具有较高的烧结活性. 用传统固相法制备了锰掺杂钛酸锶钡-钛酸镁(Ba0.6Sr0.4TiO3-MgTiO3, BST-MT)复相陶瓷, 系统研究了掺杂0.1%-2.0%(x, 摩尔分数, 下同)锰对钛酸锶钡-钛酸镁复相陶瓷微观形貌和介电性能的影响机理. 结果表明, 当锰的掺杂量小于1.5%时, Mn作为受主掺杂取代占据钙钛矿ABO3的B位, 因此导致居里点略微向高温偏移和相变扩散的发生, 锰的掺杂导致晶格畸变, 促进了晶粒生长, 使晶界相比例下降, 因此介电损耗随着锰掺杂量的增大而减小; 当锰的掺杂量为1.5%时, 介电损耗达到最小值, 继续增大掺杂量, 介电常数下降, 介电损耗上升.     

掺铂TiO_(2-x)氧敏薄膜的制备和性能

以钛酸丁酯和无水乙醇分别为原料和溶剂,添加适量稳定剂制成稳定溶胶,用浸涂法在Ａｌ２Ｏ３基片上制备ＴｉＯ２薄膜,经１０００℃Ｈ２气氛下还原制得ＴｉＯ２－ｘ薄膜．最后在氯铂酸甲醛溶液中浸泡得到掺铂薄膜．实验结果表明掺铂薄膜在８００℃下具有良好的氧敏感性和重复性,薄膜在Ｎ２气氛下具有良好的电阻温度特性．本文分析了铂在薄膜中的作用原理．     

主晶相的合成方法对BSTO材料介电性能的影响

分别采用水热法和碳酸盐固相合成法获得的原料制备了Ba0.7Sr0.3TiO3基的陶瓷样品，研究分析了样品的介电性能和微观形貌，并将两种样品的性能进行比较。实验结果表明，水热法合成的Ba0.7Sr0.3TiO3样品烧结温度较碳酸盐固相合成法获得的样品有较大幅度的降低，材料的相对介电常数和介电常数温度变化率和介电常数频率变化率都有所降低。在用两种方法合成原料所制备的烧成样品中都发现了偏离原始组分的现象，采用水热法生产原料制备的样品的相组成与碳酸盐固相合成法获得样品相比偏离原始组分较多。     

锰掺杂Ba0.6Sr0．4TiO3-MgTiO3复相陶瓷的制备和介电性能

以分析纯的Ba(NO3)2、Sr(NO3)2、草酸和钛酸丁酯为原料,采用草酸盐共沉淀法制备了钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4tiO3,BST)纳米粉体.XRD和SEM分析结果表明,该方法制备出立方相的Ba0.6Sr0.4TiO3粉体,平均粒径小于100 nm,具有较高的烧结活性.用传统固相法制备了锰掺杂钛酸锶钡.钛酸镁(Ba0.6Sr0.4TiO3-MgTiO3,BST-MT)复相陶瓷,系统研究了掺杂0.1%-2.0%(x,摩尔分数,下同)锰对钛酸锶钡-钛酸镁复相陶瓷微观形貌和介电性能的影响机理.结果表明,当锰的掺杂量小于1.5%时,Mn作为受主掺杂取代占据钙钛矿ABO3的B位,因此导致居里点略微向高温偏移和相变扩散的发生,锰的掺杂导致晶格畸变,促进了晶粒生长,使晶界相比例下降,因此介电损耗随着锰掺杂量的增大而减小;当锰的掺杂量为1.5%时,介电损耗达到最小值,继续增大掺杂量,介电常数下降,介电损耗上升.     

氧化工艺在一次烧成法制备SrTiO_3多功能压敏陶瓷中的作用

通过一次烧成法制备了同时具有压敏及介电特性的ＳｒＴｉＯ３，基半导体陶瓷，研究了氧化温度及氧化时间对其电性能的影响。结果表明，以ＭｎＣＯ３和ＣｕＯ为受主掺杂的试样，在１２００℃氧化１５～２０ｍｉｎ其效果最佳。