双掺杂聚合物电致发光中能量传递的光谱分析

将两种荧光染料掺杂到有机聚合物中,制作了双掺杂的电致发光器件ITO/PVK:TPB:Rubrene/LiF/Al, 得到了聚合物与两种荧光染料之间的阶梯式的能量传递。当PVK作为能量给体,Rubrene为能量受体时,能量传递不是很有效。但通过研究共掺杂体系的发光性质,发现辅助染料TPB的加入,作为能量传递的桥梁,提高了能量传递的效率,从而增加了器件的色纯度。     

固态阴极射线发光的发现

通过分层优化方案,采用有机场致发光材料,发现了一种新的激发发光方式,即固态阴极射线发光（solid state cathodoluminescence,简称SSCL）,文章主要介绍了固态阴极射线发光的发现历史、发光现象的辨认、发光现象的普适性考察以及其良好的发展前景.     

Gd3Ga5O12:Ag薄膜电致发光材料的制备及其发光性质

研究了Gd3 Ga5O12 :Ag材料的制备及其发光性质 .Gd3 Ga5O12 :Ag材料通过固相反应法制得 ,采用X射线衍射法分析了材料的结晶度及成分 .用电子束蒸发将该材料制备成交流的薄膜电致发光器件 ,得到了较好的蓝紫色发光 ,发光峰分别位于 397和 46 7nm .通过对材料的光致发光和激发光谱的研究和比较 ,得出 397和 46 7nm分别来自于氧空位和Ag 的发光 .     

ZnO薄膜受激发射特性的研究

氧化锌薄膜因其大的激子结合能和强的光发射、激光阈值低和能在高温下工作等优点而成为制备短波长激光、发光二极管等光电子器件的有希望材料。采用激光分子束外延 (L MBE)方法制备了ZnO薄膜。在室温下 ,测量了样品的吸收光谱 ,以及不同光泵浦强度下的发射光谱。从光谱图中可以看出该材料有很好的质量。研究了ZnO薄膜的受激发射特性及机理 ;测量了发射光强与泵浦光强之间的关系 ;比较了较高激发密度下的受激发射、自发发射和激光脉冲的时间特性 ,这些都证实了该发射是受激发射。     

CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实. 关键词： CdSe/CdMnSe 量子阱 光学性质     

PCDTBT作为发光层的有机电致发光器件研究

使用PCDTBT作为发光层材料,制备了发光波长为705 nm的红色有机电致发光器件,其结构为ITO/PEDOT:PSS/PCDTBT/BCP/LiF/Al.器件启亮电压为2 V,在9 V时器件达到最高亮度,为29000 cd/m2,最大电流效率为3.5 cd/A.还研究了不同退火温度对器件发光性能的影响.实验结果表明,退火温度为50?C时器件的性能最佳,其原因是此时既有利于溶剂挥发,又保持了分子结构的稳定性,而高温退火降低了PCDTBT的π-π堆积的有序性,从而使得器件性能下降.     

掺Er/Er+O的GaN薄膜光学性质的研究

利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模，并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中，对于注Er的GaN样品出现了300 cm^-1和670 cm^-1两个新的Raman峰，而对于Er+O共注样品，除了上述两个峰外，在360 cm^-1处出现了另外一个新的峰，其中300 cm^-1峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释，670 cm^-1峰是由于与N空位相关的缺陷引起的，而360 cm^-1峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm^-1模的缺陷出现，从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降. 关键词： GaN Er Raman散射 光致发光     

发光学及其新进展

发光是一种物体把吸收的能量,不经过热的阶段,直接转换为有选择性的特征辐射的现象.这和处于热平衡状态的物体所发出的热辐射是不同的.例如,采色电视荧光屏的发光,是屏上的发光材料吸收了电子射线的能量直接转换而来的;而普通白炽电灯的光则是热辐射,是电流使灯丝产生焦耳热,灯丝温度升高而变亮的.虽然对发光现象的研究早在十七世纪就已开始,而且有不少的著名科学家,如伽利略、波义耳、牛顿、贝克勒、连纳尔德、斯托克斯、韦德曼等参与了这一领域的工作,甚至得到了像斯托克斯定则这类带有普遍意义的结果(这个定则告诉我们,发光的波长一般总…     

Influence of Concentration of Vanadium in Zinc Oxide on Structural and Optical Properties with Lower Concentration

ZnO films doped with different vanadium concentrations are deposited onto glass substrates by dc reactive magnetron sputtering using a zinc target doped with vanadium. The vanadium concentrations are examined by energy dispersive spectroscopy （EDS） and the charge state of vanadium in ZnO thin films is characterized by x-ray photoelectron spectroscopy. The results of x-ray diffraction （XRD） show that all the films have a wurtzite structure and grow mainly in the c-axis orientation. The grain size and residual stress in the deposited films are estimated by fitting the XRD results. The optical properties of the films are studied by measuring the transmittance. The optical constants （refractive index and extinction coefficient） and the film thickness are obtained by fitting the transmittance. All the results are discussed in relation with the doping of the vanadium.     

水溶性CuPc旋涂转速及退火方式对蓝色有机电致发光器件性能的影响

本文以Be(PP)₂为发光层、水溶性酞菁铜(WS-CuPc)为空穴注入层、NPB为空穴传输层,制备了结构为ITO/WS-CuPc/NPB/Be(PP)₂/LiF/Al的蓝色有机发光二极管(OLEDs).研究了WS-CuPc不同旋涂转速对器件性能的影响.并在WS-CuPc最佳旋涂转速的基础上,进一步研究了WS-CuPc薄膜不同退火方式对器件性能的影响.实验中,对WS-CuPc层采用了一种新的退火方式,即对ITO玻璃衬底先加热后旋涂WS-CuPc层,并与传统退火方式 关键词： 水溶性CuPc 蓝色有机电致发光 旋涂转速 退火方式