ZnS型薄膜电致发光器件输运过程的解析能带模拟

采用解析能带模型对ZnS型薄膜电致发光器件的输运过程进行了Monte Carlo模拟.利用分段的多项式拟合了ZnS的实际导带结构,计算了能态密度和散射速率.以这些结果为基础,模拟了ZnS中的电子输运过程.通过比较,这一模型既具有非抛物多能谷能带模型运算速度快、使 用方便的优势,又具有与采用全导带模型相近的计算精度.进而,讨论了能带模型对模拟结 果的影响,发现色散关系与能态密度均对模拟结果有较大影响.     

不同温度下ZnS的高场输运特性

研究了ZnS中的电子声子相互作用.以此为基础,利用Monte Carlo方法研究了ZnS中电子在不同温度下的高场输运特性.电子加速的瞬态时间基本不随温度变化.电子的动能分布函数随温度升高向低能方向移动,即平均动能降低.电子在各能谷间的分布随温度升高而向低能谷移动.电子的漂移速度则随温度升高而降低.给出了这些物理量随温度变化的具体规律. 关键词：     

高场作用下有机双层器件的场致复合发光

以在高场作用下载流子对三角势垒的Fowler Nordheim隧穿理论为基础 ,建立了双层有机电致发光器件载流子的输运与复合发光模型。求出了稳态下电荷载流子的复合发光与电压和界面势垒的函数关系式 ,计算并讨论了所加电压和阳极区与阴极区厚度之比 (Lh/Le)对复合发光的影响。该理论模型很好地解释了电场对复合区域的调制作用。     

ZnS:Mn,Tm材料中Mn中心高激发态与Tm中心间的能量传递及温度的影响

本文系统地研究了硫化锌材料中Mn中心高激发态与Tm中心的相互作用。证实了Mn中心高激发态与Tm中心间亦存在能量传递。同时还注意到温度对Mn中心与Tm中心间能量传递的影响。     

两种基质中Er~(3 )的上转换发光特性

合成了一种新型共掺杂Er3 和Yb3 的氟氧化物 (ZnF2 SiO2 基质 )材料 ,研究了Er3 在这种基质材料中的吸收和在 980nm激发下的上转换发光 ,并对比了同等激发条件下Er3 离子在ZBLAN玻璃和这种氟氧化物中的上转换发光特性。实验发现两种基质中Er3 离子吸收峰位置基本相同 ,但吸收强度明显不同。氟氧化物中Er3 离子的上转换发光强度要低于ZBLAN基质中Er3 离子的上转换发光强度 ,不同的是Er3 离子在氟氧化物基质中红光发射强度要强于绿光强度。分析了两种基质中Er3 的上转换发光机制 ,氟氧化物基质中Er3 离子红绿光发射均为双光子过程 ,ZBLAN基质中Er3 离子绿光发射为双光子过程 ,而红光发射为双光子和三光子混合过程。     

Transient demonstration of exciton behaviours in solid state cathodoluminescence under different driving voltage

In the solid state cathodoluminescence (SSCL), organic materials were excited by hot electrons accelerated in silicon oxide (SiO₂) layer under alternating current (AC). In this paper exciton behaviours were analysed by using transient spectra under different driving voltages. The threshold voltages of SSCL and exciton ionization were obtained from the transient spectra. The recombination radiation occurred when the driving voltage went beyond the threshold voltage of exciton ionization. From the transient spectrum of two kinds of luminescence (exciton emission and recombination radiation), it was demonstrated that recombination radiation should benefit from the exciton ionization.     

Electroluminescence quenching mechanism in Rubrene doped host-guest system

In this paper, the electroluminescence quenching mechanism in a 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (Rubrene) doped host--guest system is studied by utilizing a specially designed organic light-emitting diode with an emission layer consisting of a few periodic host/guest structures. Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq₃) and Rubrene are used as the host and the guest, respectively. The thickness variation of the guest layer in each period enables the study of the effect of molecule aggregation, and the thickness variation of the host layer suggests a long range quenching mechanism of dipole--dipole interaction. The long range quenching mechanism is a F?rster process, and the F?rster radius of Rubrene is between 3 and 10~nm.     

从热释光曲线同时确定电子复合与俘获之比及陷阱深度

复合发光的本质是两种载流子的复合,但其衰减规律则视具体情况可以从一个极限(指数)变到另一个极限(抛物线),即复合发光是一个连续变化的过程。这主要取决于导带电子的行为,导带电子的行为可以用电子与离化发光中心复合与被陷阱俘获之比来表示。加热发光是在变化温度下的发光弛豫,它既与复合与俘获之比有关,还是陷阱深度的函数,因此在利用加热发光曲线测定陷阱深度时,要同时确定这两个参数。利用热释光动力学模型及其原理,对其发光过程进行了分析,解释了热释光过程既不是一个单分子过程也不是一个双分子过程,这两个过程实际是两个极端情形,都是近似。文章同时利用一些工具软件具体计算了ZnS:Cu, Co的陷阱深度及电子复合与俘获概率之比,精确的计算了这些参数,得n₀ =2.6, ε=0.86eV。     

有机磷光材料的固态阴极射线发光研究

采用有机磷光材料三-(2-苯基吡啶)-铱(Ir(PPY)₃)与无机材料SiO₂复合制成夹层结构器件,用交流电压驱动获得了Ir(PPY)₃主峰位于517nm的发光和主峰位于435nm的蓝色发光.通过分析器件的光谱特性,发现这两个发光峰都是源于SiO₂中加速电子直接碰撞激发有机层引起的固态阴极射线发光.继实现多种有机聚合物材料和有机小分子材料八羟基喹啉铝(Alq₃)的固体阴极射线发光之后,又证实了有机 关键词： 夹层结构器件 有机磷光材料 固态阴极射线发光     

Effects of concentration and annealing on the performance of regioregular poly（3-hexylthiophene） field-effect transistors

This paper investigates the effects of concentration on the crystalline structure, the morphology, and the charge carrier mobility of regioregular poly(3-hexylthiophene) (RR-P3HT) field-effect transistors (FETs). The RR-P3HT FETs with RR-P3HT as an active layer with different concentrations of RR-P3HT solution from 0.5~wt% to 2~wt% are prepared. The results indicate that the performance of RR-P3HT FETs improves drastically with the increase of RR-P3HT weight percentages in chloroform solution due to the formation of more microcrystalline lamellae and bigger nanoscale islands. It finds that the field-effect mobility of RR-P3HT FET with 2~wt% can reach 5.78× 10^-3~cm²/Vs which is higher by a factor of 13 than that with 0.5~wt%. Further, an appropriate thermal annealing is adopted to improve the performance of RR-P3HT FETs. The field-effect mobility of RR-P3HT FETs increases drastically to 0.09~cm²/Vs by thermal annealing at 150~℃, and the value of on/off current ratio can reach 10^4.