F／Cl比与Eu~（2＋）：BaFCl中F色心的浓度和光激励截面的关系

研究了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２在紫外线辐照下的光激励发光。通过改变激励方式及激励光的扫描方向，给出了Ｅｕ（２＋）：ＢａＦｘＣｌ２－ｘ光激励发光过程中，两种Ｆ色心的浓度比值与光激励截面比值的测定方法。利用这种测定方法，进一步研究了两种Ｆ色心的浓度比值和光激励截面比值与Ｆ／ＣＩ比值的关系。     

一种新型平板彩色显示器件的制备和光谱分析

以MEH-PPV(聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基己氧基-对苯乙烯)])和Alq₃作为发光层, 成功制备出ITO/SiO₂/MEH-PPV/SiO₂/Al结构和ITO/SiO₂/Alq₃ /SiO₂/Al结构的固态阴极射线器件。通过分析SSCL光谱,认为这些高速电子激发有机材料后形成Frenkel激子。当器件两个电极之间加的电压比较低时,有机薄膜层的场强也比较低,这些激子被解离的概率很小,从而产生的是激子发光的长波发射;当器件两个电极之间加的电压比较高时,有机薄膜层的场强很高, 在有机层形成的激子大部分被解离, 解离后的电子直接跃迁至LUMO(lowest unoccupancied molecular orbit),这些电子弛豫后从LUMO能级到HOMO(highest occupancied molecular orbit )能级直接辐射跃迁, 接着重新复合发光,从而产生短波发射。制作的固态阴极射线器件可以实现全色发光, 提高发光效率和加强蓝光发射。作者可以预期所研制出的这种SSCL器件必将引发平板显示领域一场新的革命性变革。     

Ga3+对Ce3+光致发光的影响

研究了Ｇａ３＋在ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＳｒＧａ２Ｓ４∶Ｃｅ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）材料中的作用及其对Ｃｅ３＋发光特性的影响。在ＳｒＳ中掺入Ｇａ２Ｓ３并烧结，发现Ｇａ３＋的浓度增加时，Ｃｅ３＋的发光显著向短波方向移动，激发谱中对应于ＳｒＳ带间吸收的激发峰相对减弱，而对应于Ｃｅ３＋的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高，并出现逐渐增强的ＳｒＧａ２Ｓ４的带间吸收。Ｇａ３＋的引入使Ｃｅ３＋周围的配位场发生变化，相应的能级分布有所改变，Ｓｒ２＋离子性的增强和Ｃｅ３＋－Ｃｅ３＋相互作用的减弱对Ｃｅ３＋发光特性有显著影响。     

稀土掺杂ZnS纳米晶中稀土离子与纳米基质之间的能量传递

以甲基丙烯酸为表面包覆剂在水／醇溶液中合成了ZnS:Eu^3 ,ZnS:Tb^3 纳米晶,用傅里叶变换红外光谱和X射线粉末衍射谱表征了样品的表面与晶型,样品均为立方闪锌矿型,没有出现与稀土离子相关的相;用光致发光和激发谱研究了样品中的发光过程,其中ZnS:Tb^3 纳米晶中存在纳米基质与Tb^3 之间的能量传递,并引起Tb^3 的特征发射。     

CBP/Alq3有机量子阱结构的光致发光

采用多源有机分子气相沉积系统(OMBD)制备了CBP/Alq₃有机多量子阱结构,利用电化学循环伏安特性和吸收光谱、小角X射线衍射、荧光光谱研究了量子阱的能带、结构和光致发光的特性。电化学循环伏安特性和吸收光谱的测量结果表明,CBP的最低占据分子轨道(LUMO)与最高占据分子轨道(HOMO)的位置分别为-2.74,-6.00eV,Alq₃的LUMO与HOMO的位置分别为-3.10,-5.80eV,所以CBP/Alq₃有机量子阱为Ⅰ型量子阱结构。小角X衍射测量显示,在小角的位置(2θ的范围在0°～3°)观察到了对应于量子阱结构的多级布拉格衍射峰,表明多层量子阱结构是有序的层状结构,界面比较完整,界面质量比较好。荧光光谱的研究结果表明,Ⅰ型量子阱结构可以有效地把能量从垒层传递给阱层,从而增强了阱层材料的发光。阱层的厚度对发光峰的位置影响很大,随阱层厚度减小,阱层材料的发光峰出现蓝移现象。并对引起发光峰蓝移的原因进行了讨论。     

高场下界面势垒对双层有机器件复合发光的影响

以高场作用下载流子对三角势垒的Fowler-Nordheim隧穿理论为基础,建立了双层有机电致发光器件中载流子的输运和复合发光模型.计算并讨论了所加电压与界面势垒对器件的复合电流及其复合效率的影响.该理论模型很好地解释了实验现象,并进一步证实了电场对复合区域的调制作用. 关键词： 有机电致发光 双层器件 界面势垒     

物理概念清楚、理论实验并重、从经典到前沿的一本拉曼光谱学专著

上世纪80年代初,我负责组织我国光电显示材料和器件的研制,因而有机会认识当时正从事液晶物理研究的张树霖同志.90年代初,我培养的一个博士,在他的指导下完成了相当出色的博士后研究,这使我开始对张树霖教授所从事的低维半导体的拉曼光谱学研究工作产生了兴趣,并一直加以关注和了解.     

Characteristics of pentacene organic thin film transistor with top gate and bottom contact

High performance pentacene organic thin film transistors (OTFT) were designed and fabricated using SiO₂ deposited by electron beam evaporation as gate dielectric material. Pentacene thin films were prepared on glass substrate with S--D electrode pattern made from ITO by means of thermal evaporation through self-organized process. The threshold voltage V_TH was --2.75± 0.1V in 0---50V range, and that subthreshold slopes were 0.42± 0.05V/dec. The field-effect mobility (μ_EF) of OTFT device increased with the increase of V_DS, but the μ_EF of OTFT device increased and then decreased with increased V_GS when V_DS was kept constant. When V_DS was --50V, on/off current ratio was 0.48× 10⁵ and subthreshold slope was 0.44V/dec. The μ_EF was 1.10cm²/(V.s), threshold voltage was --2.71V for the OTFT device.     

无机材料中复合发光研究的进展

早期观察到的发光现象既有分立中心的发光,也有离化了的自由载流子参与的复合发光.在发现掺杂的重要性后,绝缘体及半导体内分立中心的发光研究得到了很大的发展。结合灯粉及电子束管的需要,应用了晶体场理论和分子轨道理论,发展了能量输运理论、电声子耦合理论及荧光谱线窄化技术[1]等.相形之下,复合发光的研究就较少,以从禁带至导带跃迁中能量最低的激子而言,起初只是研究它的吸收,从七十年代才开始研究它的发光.但是,复合发光和分立中心的发光相比,既不受杂质浓度及杂质激发态寿命的限制,又有较宽的能量状态,变化范围也较大[2].近年来,它…     

DV-X_a计算a-SiO_2电子结构

利用离散变分X_(?)(DV-X(?))的方法,非经验地计算非晶二氧化硅(a-SiO_2)电子结构,得到了与实验值较一致的结果,并研究a-SiO_2体结构畸变对a-SiO_2电子结构的影响.