64K位NMOS动态RAM

MOS存储器的高集成度就产品的水平来讲仍然继续以4倍/3年的比例增长。从维持该局面的技术准备情况来看,预计目前这种发展趋势还将继续下去。众所周知,带动这种高集成化技术的牵引车是动态NMOS存储器。动态存储器产品研究重心已开始从16K转向64K。用户强烈希望64K能在IBM公司的新系列中得到应用。但长期以来,半导体厂家并没有满足用户们的这一愿望。其主要原因除了需要微细加工技术的制造工艺和软误差等问题外,还需要考虑所谓的电源电压问题。开始的     

CCD摄象器件—转移过程

光照射到CCD摄象器件的光敏面上将产生电子——空穴对,其中的少数载流子被时钟脉冲产生的势阱取样,然后聚集起来形成信号电荷包,进而在时钟脉冲驱动下由移位寄存器转移到输出端而取出。本文讨论信号电荷在CCD中的转移过程。在三相CCD中,信号电荷包存储在其中     

用光学显微术和X-射线衍射法研究焦炭结构

用X-射线衍射测定了具有各种不同光学组织(从各向同性到直径大于60μm 的广域)的24种焦炭。研究了光学组织指数(OTI)与微晶高度和面间距之间的关系。对于光学组织中大于中粒锒嵌(1.5—5.0μm)的焦炭,其OTI 值随X-射线衍射指数的变化很小。对于光学组织中结构很小的焦炭,则微晶高度急剧下降和面间距增加。这些结果可以解释为当生成中粒锒嵌焦炭时,流动中间相融并,消除了缺陷。而光学组织尺寸较小的焦炭则是未经融并,因此缺陷残存于焦炭中,从而降低了结晶化程度。     

制作高集成度动态RAM的各种单管单元结构的综合比较

大容量MOS动态RAM的进展显著。促进这种进展的基本技术之一是单管单元。存储单元的设计左右着存储器芯片的整个设计。根据字线和数据线(位线)的结构,可以将在16K位阶段中已成为主流的单管单元分为几种。作者通过综合性的评价,主张对高集成度动态RAM采用低阻材料的字线形成的折叠式数据线最为合适。 集成度一但从256K位提高到1M位以上,信号电荷量的减少就成为问题。为了改善这一点,作为单管单元介绍堆积型和开槽型结构。也要涉及到最近的CMOS化的倾向。作者认为,最重要的是成本,目前尚未见到能取代单管单元的实用单元。     

高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究

 在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下，从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO₃、单稀土氧化物Tb₄O₇、CeO₂和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO₂+Tb₄O₇等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa，温度高于600 ℃时发现了混合物CeO₂+Tb₄O₇、氧化物Tb₄O₇中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明，对应这一电阻变化，在结构上出现了变化。结果分析表明，这一变化与Tb⁴⁺→Tb³⁺的价态变化密切相联。     

信号保密装置

1.发明名称:信号保密装置。2.发明内容:把话音信号分成多个频带,各个频带按不同时间进行传输,这时的话音信号将失去可懂性。在这种装置中,主要由辅音所占有频带上的传输时间,与主要由元音所占频带上的传输时间相比较,至少要比平均一个音节的时间长。以上就是本发     

CCD摄象器件 (2)—CCD的势阱

CCD出现之后,最初是用作摄象器件和延迟线。在摄象器件方面,研制出了一维线摄象器件和二维面摄象器件。当前尤其引人注目的是家用视频CCD彩色摄象机,将来很可能向8毫米摄象机领域发展。不过,对于CCD摄象机,为了得到人的视觉灵敏而舒适的图象,必须把CCD的材料,结构,特性提高     

热敏电阻湿度传感器及其应用

很久以前人们就已经知道水分的蒸发能使湿球的温度下降.1815年首次制成了乾湿球湿度计.之后,人们对它进行了各种各样的改进,其中,尤以1887年阿斯曼研制的通风式阿斯曼湿度计最为突出,一直到现在由于它的精度最高,仍然获得广泛地使用.另外,还有毛发湿度计,因为精度高,结构简单和使用方便也是现在广泛使用的一种湿度计.至于其他许多人研制的各种类型的湿度计,除了少数几种外,大部分都达不到实用阶段.     

P14原子簇的理论研究

以Ｐ_２、Ｐ_４（Ｔｄ）、Ｐ_８（Ｃ_（２ｖ））及Ｐ_（１０）（Ｃ_（２ｖ））为结构单元设计了Ｐ_２＋Ｐ_４（Ｔ_ｄ）＋Ｐ_８（Ｃ_（２ｖ））→Ｐ_（１４）（Ｃ_ｓ）（Ａ）、Ｐｓ（Ｃ_（２ｖ）＋３Ｐ_２→Ｐ_（１４）（Ｃ_（２ｖ））（Ｉ）（Ｂ）、Ｐ_（１０）（Ｃ_（２ｖ）＋２Ｐ_２→Ｐ１４（Ｃ_（２ｖ））（Ⅱ）（Ｃ），利用从头算Ｇａｕｓｓｉａｎ－９４程序，选择６－３１Ｇ基组，对４种结构单元及Ｐ_（１４）原子簇的３种几何构型Ｃｓ、Ｃ_（２ｖ）（Ⅰ）、Ｃ_（２ｖ）（Ⅱ）进行全优化。相对能量的计算结果表明，Ｐ_（１４）（Ｃ_ｓ）与Ｐ_（１４）（Ｃ_（２ｖ））（Ⅰ）构型稳定。进一步设计（７／２）Ｐ_４（Ｔ_ｄ）→Ｐ_（１４）（Ｄ）及７Ｐ_２→Ｐ_（１４）（Ｅ），其相对能量表明，Ｐ_（１４）（Ｃ_ｓ）构型是稳定的．磷与磷连结单键键长范围为０．２２０～０．２２８ｎｍ，双键键长范围为０．２００～０．２０２ｎｍ，与实验结果大体相当。