新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析

本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。     

聚酰亚胺与硅片粘附牢度的研究

本文针对聚酰胺与硅片粘附性问题进行了实验和考察,提出了一种新的提高其粘附牢度的方法,此方法就是通过使用简单方便的液相钝化方法,先在硅片表面上生长一层薄膜,再在生长的薄膜上用聚酰农副业 胺进行保护.