OLEDs瞬态延迟时间的模拟及在信号通讯的应用

基于有机发光二极管的电致发光原理,建立了载流子注入延迟时间和发光延迟时间模型,探索了延迟时间的影响因素,发现发光延迟时间与器件有效面积、器件厚度、外加电压等密切相关。通过制备不同面积的OLED器件,发现器件面积越小,发光延迟时间越短。以高速信号激励不同面积的OLEDs器件,面积为0.01 mm2的器件能够实现1 000 Mbit/s的信号传输速率,且能量利用率达到47.7%。     

基于Windows Azure云计算的移动医疗健康系统

针对当前医疗信息化建设过程中产生的重复投入和”信息孤岛”问题,结合医疗信息系统的应用需求,提出了基于云计算的移动医疗健康系统.系统基于Windows Phone智能手机,通过无线网络接入Windows Azure微软云平台,利用SQL Azure进行医疗数据的存储.介绍了系统的整体框架,并分析和阐述了移动终端和云端之间的WebService通信方式、SQL Azure和Isolated Storage存储方式以及MNPS推送过程.结果表明该系统为病人异地求医远程诊断咨询提供了有效的途径,是一种应用前景广阔的新型医疗服务应用.     

The Phase Stability,Thermodynamics Properties and Electronic Structures of L12-Type Al3Sc and Al3Y under High Pressures

The phase stability, thermodynamics properties and electronic structures of L12-Al3Sc and Al3Y compounds under pressure up to 40 GPa are investigated by using first-principles within a local density approximation. The results of formation energies show that Al3Sc is more stable than Al3 Y and the stability of Al3Sc will be better with the increasing pressure. The Gibbs free energy, heat capacity, Debye temperature and thermal expansion coefficient are also investigated. The decreasing density of states at the Fermi level and the strengthening Sc/Y-d orbital hybridization with Al （s, p） under high pressure lead to the observed increase of the structural stability for L12-Al3Sc and Al3 Y under pressures.     

蒸汽滴状冷凝液滴表面温度分布及演化

利用红外热成像技术研究了蒸汽滴状冷凝中液滴合并过程表面温度分布及演化机制,并基于此分析了不同尺寸液滴表面温度随传热通量变化的分布规律。实验结果表明:与蒸汽在微小液滴表面发生连续冷凝不同,液滴合并过程中蒸汽通过四个阶段实现在大液滴表面的周期性冷凝传热;其中,在液滴吸收蒸汽冷凝放热阶段和向壁面传热阶段之间存在一个平衡,高热通量时,蒸汽向液滴表面传热过程占主导,液滴表面温度随尺寸增加而升高;低热通量时,液滴向冷凝壁面传热过程占主导,液滴表面温度随尺寸增加而降低。液滴运动引起的蒸汽在大液滴表面直接冷凝过程为强化低压蒸汽冷凝传热提供了新思路。     

First-principles study of the electronic structure and optical properties of cubic Perovskite NaMgF_3

The structural, electronic, and optical properties of cubic perovskite NaMgF3 are calculated by plane-wave pseudopo- tential density functional theory. The calculated lattice constant a0, bulk modulus B0, and the derivative of bulk modulus B~ are 3.872/~, 78.2 GPa, and 3.97, respectively. The results are in good agreement with the available experimental and theo- retical values. The electronic structure shows that cubic NaMgF3 is an indirect insulator with a wide forbidden band gap of Eg = 5.90 eV. The contribution of the different bands is analyzed by total and partial density of states curves. Population analysis of NaMgF3 indicates that there is strong ionic bonding in the MgF2 unit, and a mixture of ionic and weak covalent bonding in the NaF unit. Calculations of dielectric function, absorption coefficient, refractive index, electronic energy loss spectroscopy, optical reflectivity, and conductivity are also performed in the energy range 0 to 70 eV.     

TiO_2/氧化石墨烯纳米复合物的制备及结构变化

为了探讨TiO2/氧化石墨烯纳米复合物的制备技术及产物结构的变化规律,采用微波法将钛酸丁酯引入季铵盐/氧化石墨插层复合物的层间域内,钛酸丁酯经原位水解在氧化石墨层间生成Ti(OH)4,再经焙烧处理制备TiO2/氧化石墨烯纳米复合物。采用XRD、SEM、FTIR和XPS对原料和不同阶段生成的产物的结构及变化、微观形貌、氧化官能团特征和化学键特点进行表征。结果表明,钛酸丁酯在原位水解过程中将氧化石墨剥离为氧化石墨烯;TiO2/氧化石墨烯纳米复合物中锐钛矿型TiO2的形成温度比纯TiO2的提高了约100℃;TiO2/氧化石墨烯纳米复合物中的TiO2和纯TiO2的平均晶粒尺寸都随焙烧温度的升高而增大,但前者的平均晶粒尺寸均小于相同温度焙烧处理的纯TiO2的;在TiO2/氧化石墨烯纳米复合物中氧化石墨烯与TiO2之间形成Ti-O-C键,并抑制了锐钛矿型TiO2的形成,而氧化石墨烯作为阻隔层则阻碍了锐钛矿晶粒的长大。     

求解图像分割CV模型的BB算法

给出图像分割的一种新算法——BB算法.该方法的优点在于利用迭代过程中当前点和前一点的信息确定搜索步长,从而更有效地搜索最优解.为此,首先通过变分水平集方法将CV模型转化为最优化问题;其次,将BB算法引入该优化问题进行求解;然后,对BB算法进行收敛性分析,为该算法应用在CV模型中提供了理论依据;最后将该方法与已有的最速下降法、共轭梯度法的分割结果进行比较.结果表明,跟其他两种方法相比,BB算法在保证较好分割效果的前提下,提高了算法的速度和性能.     

生态学视角下的集装箱海运网络适应度 BA 模型

集装箱海运网络主要反映的是港口与航线的空间组织,其演化是一种复杂的社会、经济、历史的整合过程。运用生态学的隐喻方法对其演化的动力机制进行剖析,充分考虑到现实集装箱海运网络的规模限制与动态发展的演化特征,提出基于“优胜劣汰”的五种机制：节点增加、节点删除、择优连接、反择优删除与重新连接;通过设计港口腹地经济、港口吞吐量、港口区位等适应性指标对港口节点适应度进行度量,构建出一个适应度BA模型;对港口节点度分布的理论推导与数值模拟结果表明：（1）该模型的度分布不仅取决于港口节点的度,更依赖于港口节点的适应度。（2）该模型能够得到一个度分布服从幂律指数为γ＝1＋1／β的无标度网络。（3）若每个港口节点取相同适应度时,该模型呈现出“先到者赢”的特征;若每个港口节点适应度并不完全相同时,该模型呈现出“适者更富”的特征。     

S波段功率SiC MESFET(芯片)研制

介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术。针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对Al记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术。研究了栅长与沟道厚度纵横比(Lg/a)对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响。采用了凹槽栅结构和体标记电子束直写技术以及热氧化SiO2和SiNx复合钝化层设计等新制备工艺,实现了栅、漏泄漏电流的减小和源、漏击穿电压的提高。测试结果表明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz频率下脉冲输出功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏极效率40%。测试条件为漏极工作电压48 V,脉宽100μs,占空比10%。