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801.
用多相合成方法, 以金属铝粉作还原剂还原FeSO4·(NH4)2SO4和NiSO4·(NH4)2SO4的混合溶液, 制备了Ni-Fe合金的钠米粉体, 并对反应的过程进行了讨论. 相似文献
802.
以SrCl2·6H2O、(NH4)6P2Mo18O62·nH2O为原料,在PEG-600/H2O微乳体系中于80~130 ℃温度下水热反应8~12 h,从而制得一种多金属氧酸盐棒状超细晶体,组成是Sr3P2Mo18O62·nH2O。该超细晶体具有长棒状形貌、高结晶度且分散性能较好,长度范围在10.0~20.0 μm,径度在1.0~2.0 μm。对反应体系中的PEG-600/H2O体积比(VPEC-600∶VH2O)、水热温度以及(NH4)6P2Mo18O62·nH2O/SrCl2·6H2O质量比(WPOMs∶WSrCl2·6H2O)3个影响因素进行了探讨,结果表明:VPEC-600∶VH2O主要对棒状超细晶体的形貌、长径比以及晶体结晶度有着重要影响,体积比在范围VPEC-600∶VH2O=(1.50~2.00)∶1.00有利于大长径比的棒状超细晶体的形成;水热温度则优选80~130 ℃范围,过低则不发生反应,过高则发生了多金属氧酸盐与PEG-600的氧化-还原反应;WPOMs∶WSrCl2·6H2O基本上不影响超细晶体的形成。还初步探讨了该棒状超细晶体的形成机理。 相似文献
803.
本文采用超声波技术合成了水合氧化钌/多壁碳纳米管纳米复合材料(Ru-MWNTs)前驱物,在150 ℃下热处理15 h后得到Ru-MWNTs。采用XRD及TEM对纳米复合材料进行表征,结果表明,水合氧化钌以无定型态比较均匀地沉积在MWNTs上。在1.0 mol·L-1 H2SO4电解液中对Ru-MWNTs复合电极进行了电化学测试,循环伏安结果表明纳米复合物具有良好的电容性能,其比容量为100 F·g-1,是MWNTs的6倍(MWNTs的比容量为15.5 F·g-1);本文还采用交流阻抗方法来分析频率与电容的关系,比较分析了MWNTs和复合材料的孔结构,表明在MWNTs中复合少量的水合氧化钌可以提高电极材料的充、放电速度。 相似文献
804.
以CH3COOLi·2H2O、(CH3CO2)2Mn·4H2O、氧化物和柠檬酸为原料,采用流变相法经过2次灼烧后得到了不同氧化态离子掺杂的尖晶石化合物LiMn1.95M0.05O4(M:Li,Mg,Co,Ti,V)。通过X射线衍射测试技术对合成的产物物相进行表征,所得产物均具有纯相尖晶石结构。同时应用软件计算了其晶格常数,结果发现金属离子的掺杂不同程度地减少晶格大小。通过循环伏安法研究发现,在4V区域有2步可逆过程发生,对应于锂离子的脱嵌。掺杂的金属离子对于峰电位以及峰面积都有影响。Mn3 的含量越低,峰的面积越小。金属离子与氧的键能越大,峰电位越高。50次充放电循环测试表明,通过掺杂改性来改善尖晶石LiMn2O4的电化学性能时,在掺杂相同量阳离子的尖晶石化合物中,以选择氧化态为Co3 掺杂的化合物具有最佳的充放电容量和循环性能。 相似文献
805.
806.
807.
本文采用超声波技术合成了水合氧化钉/多壁碳纳米管纳米复合材料(Ru-MWNTs)前驱物,在150℃下热处理15 h后得到Ru-MWNTs.采用XRD及TEM对纳米复合材料进行表征,结果表明,水合氧化钌以无定型态比较均匀地沉积在MWNTs上.在1.0 mol·L-1H2SO4电解液中对Ru-MWNTs复合电极进行了电化学测试,循环伏安结果表明纳米复合物具有良好的电容性能,其比容量为100 F·g-1,是MWNTs的6倍(MWNTs的比容量为15.5 F·g-1);本文还采用交流阻抗方法来分析频率与电容的关系,比较分析了MWNTs和复合材料的孔结构,表明在MWNTs中复合少量的水合氧化钌可以提高电极材料的充、放电速度. 相似文献
808.
809.
The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm was studied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of molecule Si(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. In addition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ were determined:
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
810.