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881.
声屏障是防治城市高架道路噪声的重要手段,在实践中存在设计形式单一、低频降噪不足等问题。声屏障顶部设计改良已被证明是一种提高屏障整体插入损失值的有效手段。聚焦声屏障顶部设计前沿研究进展,在最优衍射边界Y型顶部的基础上合理布置腔室,利用腔室的干涉相消效应扩大屏障的低频降噪量,设计出Y-3l,Y-3x及树型结构三款屏障顶部衍生型,并将设计结果应用1∶10缩尺模型进行实验验证。结果表明,树型结构的总体降噪提升最为显著,Y-3x型在中频降噪更具优势,而在其余频带不如树型结构,而Y-3l型降噪频谱较为均衡。三种Y型顶部衍生型相较于基础Y型、T型、吸声圆柱型均有宽频降噪提升,在工程上具有一定的参考意义。 相似文献
882.
基于密度泛函理论研究了H2S、HCN、PH3 在FeO(100)表面的吸附行为,其吸附位点主要考虑四个:Fe-top(铁顶位)、O-top(氧顶位)、Hollow(空位)、Bridge(桥位)。结果表明H2S吸附在O-top吸附位点的吸附能最小,为-1.02ev,即在该位点的吸附体系最稳定。当HCN吸附在FeO(100)表面时,各吸附位点的稳定顺序为Hollow>Fe-top>Bridge>O-top。PH3 的最稳定的吸附位点与H2S的一致,为O-top吸附位点,其吸附能为-1.11ev。当H2S吸附在O-top吸附位点时,H2S与FeO(100)表面的电荷转移量最多,说明该吸附构型最稳定,而HCN吸附在FeO(100)表面,在Hollow吸附位点的电荷转移量最多,也即该吸附位点属于最稳定吸附位点。PH3与FeO(100)表面之间的电荷转移量最多的吸附位点与H2S的相同。当H2S和PH3吸附在O-top吸附位点时,吸附后的态密度曲线整体向低能级移动,峰值降低,其吸附结构变得更加稳定。而HCN吸附在Hollow位点时,吸附后的HCN态密度曲线向能量更低的区域移动,吸附体系变得更稳定。 相似文献
883.
用循环伏安法制备了金属氧化物(TiO2-WO3)负载硅钨酸盐聚苯胺膜修饰玻碳电极(PAn/SiW12/TiO2-WO3/GC),优化了聚合条件,并对该化学修饰电极的电化学行为,包括溶液pH值的影响和电极的稳定性等进行了研究。研究结果表明,此修饰电极聚合物膜不但保持了该杂多酸的电化学活性和电催化性能,又具有良好的稳定性。在0.5 mol/LH2SO4溶液中,该膜电极中的SiW12的第2个还原峰对BrO3-有很好电催化活性,催化过程符合EC平行催化机理。 相似文献
884.
以合成的氯代二异丙基膦为原料, 利用电化学全氟化方法, 得到全氟二异丙基膦酸锂(Li[(C3F7)2PF4]), 并对其物理和电化学性能进行了研究. 相似文献
885.
设计了一款高精度、低线性调整率的开关电容带隙基准电压源。分析了NMOS开关高温漏电流对基准输出电压精度的影响,提出了一种高温漏电补偿电路。偏置电路采用多个共源共栅结构的电流镜,增大了从电源到输出的阻抗,降低了基准电压的线性调整率。利用虚拟管抵消了开关关断时带来的沟道电荷注入效应和时钟馈通效应,提高了基准输出电压的精度。该电路基于0.35μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,基准源能稳定输出1.1 V电压,建立时间为5.9μs;在-55~125℃,温度系数为1.38×10-5/℃;27℃下,在2.7~5 V电源电压范围内,线性调整率为0.9 mV/V;电路总静态电流为35.1μA。 相似文献
886.
在具有零中频架构收发机的正交频分复用(OFDM)系统中,接收机解调性能通常会受到载波频率偏移、收发机IQ失配和直流偏置(DCO)的影响。其中直流偏置直接影响频偏的估计并使帧检测变得困难,针对这一现象提出了一种基于多段重复前导序列的双搜索窗分段延迟相关帧检测算法。该算法相比传统直流偏置估计和补偿算法而言,实时性强、复杂度低、实现简单,且采用自相关运算,能在大频偏环境下正常工作。仿真搭建含有直流偏置的多径信道模型,在接收端抓取信号经过射频电路后在多径信道下产生的基带信号并对算法进行性能测试,结果表明,相比于性能较好的OFDM帧检测算法,该算法具有较低的误检率和漏检率。 相似文献
887.
随着我国工业领域数字化、智能化转型的不断提速,工业无线技术的应用场景趋向网络中接入设备种类繁多,无线传输要求高可靠性、低时延和高并发传输。针对工业场景无线技术越来越苛刻的要求,在5G技术现有的技术指标基础上,对工业场景下5G技术应用面临的问题进行了分析,总结了在端到端延迟、可靠性、维护性和部署成本等方面的问题,提出了一种无线局域网技术WIA-FA与5G技术融合的解决方案。合理部署工业现场室内无线局域网络与室外广域无线传输网络,最大程度提高无线网络传输的高靠性和低时延方面的性能,降低部署成本和维护难度。 相似文献
888.
889.