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952.
953.
煤微孔表面的分形维数及其变化规律的研究 总被引:4,自引:2,他引:4
本文利用气体吸附数据确定了各种煤阶煤(从褐煤到无烟煤)和煤焦气化反应过程中微孔表面的分形维数及其变化规律。这有助于进一步认识煤的孔结构特征。 相似文献
954.
The photoionization spectroscopy of Si(CH3)3Cl in the range of 50 -130 nm was studied with synchrotron radiation source. The adiabatic ionization potentials of molecule Si(CH3)3Cl and radical Si(CH3)3 are 10.06 ±0.02 eV and 7.00±0.03 eV respectively. In addition, the appearance potentials of Si(CH3)2Cl+, Si(CH3)3+, SiCl+ and SiCH3+ were determined:
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
AP(Si(CH3)2Cl+) =10.49±0.02eV, AP(Si(CH3)3+) = 11.91 ±0.02eV
AP(SiCl+) = 18.64 ±0.06eV, AP(SiCH3+)= 18.62 ±0.02eV
From these, some chemical bond energies of Si(CH3)3Cl+ were calculated:
D(Si(CH3)2Cl+ - CH3) =0.43 ±0.02eV, D(Si(CH3)3+ - Cl) = 1.85 ± 0.02eV
D(SiCH3+ - (2CH3 + Cl)) = 8.56 ± 0.06eV, D(SiCH3+ - 2CH3) =6.71±0.06eV
D(SiCl+ - 3CH3) = 8.58 ± 0.06eV, D(SiCl+- 2CH3) = 8.15 ±0.06eV
D(SiCH3+- (CH3 + Cl)) =8.13 ±0.06eV 相似文献
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维生素B类药物在薄层原位的近红外付立叶变换表面增强拉曼光谱 总被引:3,自引:0,他引:3
维生素B类药物在薄层原位的近红外付立叶变换表面增强拉曼光谱汪瑗,于秉正张煦(首都师范大学分析测试中心北京100037)(北京大学分析测试中心北京)关键词维生素B_1,维生素B_2,薄层色谱,表面增强拉曼散射,近红外付立叶变换拉曼光谱将薄层色谱(TLC)... 相似文献
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959.
ICP—AES中内标法的应用研究:Ⅲ.用内标法校正基体干扰 总被引:13,自引:0,他引:13
通过观测基体对分析元素发射强度的干扰情况,分析了扰机制,从而确定用来正基体干扰的内村元素与分析元素的匹配条件。实验结果表明,只要选择合适的内标元素,可以校正基体干扰。 相似文献
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PDA—ICP—AES中光谱干扰校正的卡尔曼滤波法研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本实验采用光电二极管阵列(PDA)检测器消除波长定位误差,并藉平滑处理原始光谱图以减轻随机噪声影响,研究了卡尔曼滤波法在PDA-ICP-AES中光谱中干扰校正方面的应用,探讨了影响滤波结果准确性的若干因素,藉化法分析了一些合成试样,回收主经一般为90%~110%。 相似文献