具有混合I-V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I-V特性的静电感应晶体管有实用价值.     

IMS中基于策略的网络管理研究

文章介绍了IMS系统中基于策略的QoS管理和接入控制机制，详细描述了IMS系统中的业务呼叫建立流程，并提出了一种适用于多域、多运营商环境下的策略管理结构。     

二平行传输线间的串扰分析

对其地平行传输线间的串扰耦合进行分析,得出耦合响应与信号频率、线间距及线距地高度的关系,给出了电子电路设计中传输布设的原则。并对PCB布线提出参考。     

一种新型结构的静电感应晶体管

提出了一种新型结构的静电感应器件,设计了一道环绕的深槽,用以切断寄生效应.静电感应器件的寄生效应会导致器件性能的劣化甚至失效,文中提出了寄生效应的模型,并用PSPICE进行了仿真模拟,数值模拟结果和实验结果一致.实验表明这种深槽结构能够有效截断寄生路径,消除寄生电流的影响,优化器件性能.同时,文章详细描述了这种器件的设计和制造工艺.     

基于小波变换的视觉信号特征提取方法

该文提出了一种用于视觉信号特征提取的新方法将CCD获取的图像投影后的信号波形进行小波变换。当小波的尺度选择恰当时,小波变换结果的零交叉点可用于确定图像的中心。实验结果表明,该方法相对于其他方法对随机误差的干扰具有更强的鲁棒性。     

无线网络中的移动性管理

下一代无线通信网络的特点是异构性和全IP化,为了在这种环境下给用户提供无缝的业务体验,必须提供一个开放的、有高度适应性的移动性管理解决方案。文章详细介绍了传统的移动性管理,并基于此分析了潜在的通用移动性管理解决方案：移动IP和会话初始化协议以及它们的优缺点。最后指出了未来无线网络移动性管理要面对的挑战。     

静电感应器件栅源击穿特性的改善

对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究,结果表明,当使用高阻单晶材料作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂深度较高时,器件的击民ｇｓ０基本上局限在１０Ｖ以下,与外延层的厚度没有明显关系,作者指出静电感应器件栅 源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同的。在这种情况下,栅源击穿电压ＢＶｇｚ０与半导体的击穿电场Ｅｂ和沟道宽度Ｗ的关系可表     

不同方法生长的InSbMIS结构的退火效应研究

不同方法生长的ＩｎＳｂＭＩＳ结构的退火效应研究张钢（电子工业部第十一研究所北京１０００１５）本文介绍了采用等离子体ＣＶＤ和光致ＣＶＤ两种方法进行介质膜生长。在预处理好的新鲜Ｎ型ＩｎＳｂ材料上生长一层厚度约为０．１２μｍ的氮氧化硅层，生长温度为１８０℃...     

DFT方法理论研究星际分子C3S+结构和光谱

在B3LYP／6—31lG(d)水平上对可能的星际分子C3S^ 的各种异构体进行了理论计算研究，得到其几何构型、红外光谱和精确能量以利于实验室和星际观测，讨论了其星际含义，并与其中性分子C3S做了比较．结果表明：C3S^ 有3个稳定的异构体，包括线形、三元环和四元环几何构型．按热力学稳定的异构体依次是直线型具有C∞v对称性的CCCS^ (1)，其次是具有CC桥键四元环构型的cC3S^ (2)，能量最高是三元环构型具有CC环外键的C—cCCS^ (3)。