二茂铁-噻吩和联噻吩桥连吡啶盐类化合物的合成与电化学性质

设计并合成了3个二取代和三取代的二茂铁-噻吩、二茂铁-联噻吩吡啶盐类化合物： 碘化(E,E)-N-甲基-2,4,6-三{2-[5-(2-二茂铁乙烯基)噻吩-2-基]乙烯基}吡啶盐、 碘化(E,E)-N-甲基-2,6-二{2-[5’-(2-二茂铁乙烯基)-2,2’-联噻吩-5-基]乙烯基}吡啶盐、碘化(E,E)-N-甲基-2,4,6-三{2-[5’-(2-二茂铁乙烯基)-2,2’-联噻吩-5-基]乙烯基}吡啶盐。初步研究了这些化合物的电化学性质,结果表明,该类多取代二茂铁吡啶盐具有很好的氧化-还原可逆性,是潜在的电化学分子材料。     

抗菌素痢菌净与牛血清白蛋白相互作用的光谱研究

用荧光光谱和紫外吸收光谱法研究了抗菌素痢菌净(MEQ)与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用。讨论了荧光猝灭机理,结果表明是动态猝灭过程;计算了不同温度下的猝灭常数和热力学参数。MEQ与BSA的相互作用为一个由熵驱动的自发过程,疏水作用力也起重要作用。由FRET能量转移理论计算得出了MEQ与BSA结合位置的距离r=4.5 nm。应用同步荧光和三维荧光研究了BSA在MEQ存在或不存在时的构象变化,结果表明：MEQ对BSA构象的影响不大。     

新型芯片电泳柱端安培检测系统的构建与评价

自行设计开发了一套便于与电泳芯片集成的一体式柱端安培检测池系统．该系统由整块透明有机玻璃精密加工而成,包括电泳芯片支架和安培检测池两部分,芯片可通过芯片插槽和不锈钢夹具固定在芯片支架上,各种检测用电极可直接通过螺母固定在安培检测池中．以100μmol／L的DA为模式分析物,分别采用直径为100、300和500μm的铂金圆盘电极与表观直径为240μm的碳纤维电极作为工作电极均在该装置上实现了良好组装和高灵敏检测．采用碳纤维工作电极对该系统的检测参数进行了优化．测试结果表明该系统在电化学清洗程序下连续六次测定100μmol／L多巴胺的峰电流相对标准偏差为3．2％,保留时间相对标准偏差为0．5％,DA的检测限为0．4μmol／L（按照S／N=3计）．该系统体积小巧,测试稳定,检测灵敏度较高,工作电极更换方便,适合作为芯片电泳柱端安培检测通用平台．     

光度法快速测定水泥中的钛

研究了显色剂二安替比林甲烷分光光度法测定钛Ti(IV)的方法.在酸性介质中,二安替比林甲烷与钛发生灵敏显色反应,生成黄色络合物,最大吸收波长为390 nm,摩尔吸光系数为2.9×104 L/(mol·cm),钛含量c在0～35 μg/(25 mL)范围内与吸光度A符合比耳定律,线性回归方程为A=0.03243+0.02388c,溶液中大量共存离子均不干扰测定.该方法不需要萃取、分离步骤,可直接测定水泥中微量钛的含量.     

马尔可夫过程H-值可加泛函的向前向后鞅分解

本文研究了马尔可夫H-值可加泛函的向前向后鞅分解.利用Lyons-Meyer-Zheng鞅分解得到了泛函数极限定理所必需的极大不等式和紧性结果,在最小条件限度内得到了马尔可夫过程经验测度的泛函中心极限定理,将该定理从实值情形推广到了希尔伯特值情形.     

多线性算子的各向异性Hardy空间估计

文中我们证明了一类由Calderón-Zygmund奇异积分算子生成的从乘积空间Lp1(Rn)×Lp2(Rm)×…×LpJ(Rn)到各向异性Hardy空间Hq(Rn)和各向异性弱Hardy空间Hq,∞(Rn)的多线性算子是有界的.作为上述结果的应用,得到了一类由Calderón-Zygmund奇异积分算子和各向异性BMO函数生成的交换子Lp(1相似文献   

基于近似熵的随机数检验方法的设计与实现

把近似熵用于密码技术中,设计一种实用的随机数检验方法.该方法可以检测随机序列发生器产生序列的随机性,也可以用于检验密码算法的安全性.通过实验,发现该方法能更全面检验序列的随机特性.     

一类索赔相关且带干扰的风险模型

该文讨论了索赔时间间隔与索赔量相关且带干扰的风险模型. 借助拉普拉斯变换研究了此模型的破产时刻、破产前瞬间盈余及破产时赤字三者的联合分布,得到了此联合分布拉普拉斯变换的一个分析表达式并讨论了当初始盈余值趋于无穷大时,此联合分布的渐近表达式.     

一类替换环的偏序$K_{0}$-群的无扭性

A ring R is called orthogonal if for any two idempotents e and f in R, the condition that e and f are orthogonal in R implies the condition that [eR] and [fR] are orthogonal in K0（R）^＋, i.e., [eR]∧[fR] = 0. In this paper, we shall prove that the K0-group of every orthogonal, IBN2 exchange ring is always torsion-free, which generalizes the main result in [3].     

改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.