基于VB的OPC数据通信的研究与开发

通过分析OPC服务器的作用和功能,以横河CS3000控制系统(DCS)为基础,以缓冲槽液位监测为控制对象,设计了CS3000系统中的FCS卡件组态以及反馈控制组态。利用VisualBasic语言作为开发语言,编写OPC客户端,使其与CS3000系统中的OPC服务器连接,实现数据通信,能成功读取控制站中的检测数据。     

B和H离子顺次注入单晶Si 引起的缺陷及其热演变(英文)

室温下将130 keV,5x1014 cm-2 B离子和55 keV,1x1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT) 研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B 和H 离子顺次注入到单晶Si 可有效减少(111) 取向的H板层缺陷,并促进了(100) 取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT 观测结果显示,在顺次注入的样品中,B 离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B 离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。Abstract:Cz n-type Si (100) wafers were singly or sequentially implanted at room temperature with 130 keV B ions at a fluence of 5x1014 cm-2 and 55 keV H ions at a fluence of 1x1016 cm-2. The implantation-induced defects were investigated in detail by using cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and slow positron annihilation technique (SPAT). XTEM results clearly show that sequential implantation of B and H ions into Si could eliminate the (111) platelets and promote growth of (100) platelets during annealing. SPATmeasurements demonstrate that in B and H sequentially implanted and annealed Si, more vacancy-type defects could remain in sample region around the range of B ions. These results indicat e that the promotion effect shouldbe attributed to the role of both B and B implanted induced vacancy-type defects.     

V槽结型场效应晶体管在模拟集成电路中的应用

结型场效应晶体管(简称J-FET)具有低噪声、高输入阻抗以及高截止频率、高输出阻抗的特点。把它做进模拟集成电路里,用于输入级、动态负载和恒流源,可以提高电路的性能。但是,在模拟集成电路里,外延层厚度、扩散深度被双极型晶体管要求所固定。因此,采用一般平面J-FET存在以下二方面的限制: 第一,对J-FET参数的控制,在工艺上比较困难。第二,通常只能把P沟J-FET做进双极型集成电路里,要制造内含N沟低阈值电压的J-FET则是十分困难的。为此,采用了这种新的J-FET结构。它与一般平面的J-FET结构主要不同处是具有V形槽沟道区。顶控制栅沿着V形槽边壁。由于沟道区非     

Rhn、Con(n=3～56)团簇的结构特性研究

采用半经验的Gupta多体势结合遗传算法对Rhn、Con(n=3~56)团簇的基态结构特性进行了系统的研究.除在n=18~40尺寸范围内有少数团簇的构型不同,两种团簇具有相似的几何结构.在Rhn、Con(n=3~56)团簇的生长中,存在类Ih构型与类fcc构型之间的竞争,对于n≤24,两种团簇都从紧致密堆积结构过渡为类二十面体构型,Rh38及Co38为具有Oh对称性的类fcc构型,从n=39开始,铑团簇和钴团簇都呈现出明显的Ih生长模式.两种团簇的平均束缚能随原子数目的增加而增大,且在所研究的尺寸范围内铑团簇的平均结合能高于钴团簇.Rhn、Con(n=3~56)团簇具有相同的幻数序列:n=13,19,23,38,55.     

一种基于区域显著性的红外图像目标分割方法

提出了一种基于区域显著性的红外图像目标分割方法,即首先在方差空间中提取显著性区域,然后根据图像复杂度对显著性区域进行筛选,最后采用阈值分割方法分割显著性区域,获取目标.算法具有较强的适用性和工程实用性.     

中越无线电频率协调会在广西南宁圆满落幕

5月28日，为期5天的中越无线电频率协调会经过双方共同努力．在广西南宁市圆满落下帷幕，会议取得了较好的成果。双方就GSM900MHz频段信道分割使用及场强越界覆盖的技术指标及测试地进行了探讨和协调，达成了一定的共识，为今后双方运营商的合作打下了良好的基础，会议还就将于今年举行的世界无线电通信大会的相关情况进行了磋商。[第一段]     

基于纳米压印技术的GaAs纳米柱阵列ICP刻蚀工艺及其光学特性研究

近年来,半导体纳米阵列结构材料因能激发光学共振及其优良的光电性能在光电子器件领域被广泛的应用。本文采用纳米压印技术制备具有一定直径和周期的SiO₂纳米柱作为掩膜层,采用ICP刻蚀制备了GaAs纳米柱阵列,重点研究了不同刻蚀条件处理工艺对纳米柱阵列形貌的影响,与表面无纳米结构的薄膜材料相比,其反射率得到明显的降低且最低约为3%,因此纳米阵列结构能有效的增强光吸收,具有极其优良的光电性能。     

基于北京大学无线网的VoIP实现

VoIP利用IP网络实现语音通信,是当前校园网流行的一种网络应用.北京大学利用现有的校园无线网络Wireless PKU实验运行VoIP,实现了用户间利用WiFi手机的SIP语音通信;同时通过与基础电信运营商合作,建立与传统电话业务网的连接,实现真正意义上的IP电话.     

P2P系统的可视化研究与实现

实现了对当前几种流行的P2P系统进行测量的技术,并应用于实际测量中.通过分析测量结果,得到P2P系统的网络拓扑、资源、流量等特征分布.设计完成了统一的可视化监控平台,应用不同的可视化手段将不同的P2P测量信息表现出来.管理者可通过可视化界面便捷、直观地了解P2P系统的使用情况.     

SETUP AND APPLICATION OF SCANNING NEAR-FIELD OPTICAL MICROSCOPY

The research on the setup and application of scanning near-field optical microscopy (SNOM) performed in our laboratory is reviewed in this report. We have constructed a versatile low temperature scanning near-field optical microscope with the capability of near-field imaging and spectroscopy, operating at liquid nitrogen temperature. A special designed coaxial double lens was used to introduce the illumination beam through a 200μm fiber; the detected optical signal was transmitted via a fiber tip to an avalanche photon detector. The performance test shows the stability of the new design. The shear force image and optical image of a standard sample are shown. A system of SNOM working at room temperature and atmosphere was used to characterize semiconductors and bio-molecular samples. It revealed the unique features of semiconductor microdisks in the near-field that is significantly different from that of far-field. The effects of different geographic microstructures on the near-field light distribution of InGaP, GaN, and InGaN multi-quantum-well microdisk were observed.