密度泛函理论研究Nin,Ni±n(n=1~5)团簇的结构和电子性质简

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法系统研究了中性及带电Ni小团簇的基态几何结构和电子结构特性.对中性Nin(n=1~5)团簇,除去一个电子对基态几何结构所引起的变化相比增加一个电子所引起的影响要更加明显.n=4时,Ni+4,Ni4以及Ni-4较之相邻个体具有较大的能隙,但在所讨论的尺寸范围内,没有找到幻数结构.随着原子数的递增,Ni+n,Nin,Nin(n=1~5)团簇体系的磁矩总体呈上升趋势,值得关注的是:添加一个电子能够显著增强中性体系的磁性.讨论了与实验结论符合较好的绝热电子亲和能(AEAs)以及绝热离化势(AIPs).     

基于增强GA-BP神经网络的软件错误定位方法

在软件开发和后期维护的过程中,进行软件调试来定位错误并修正错误是其中最复杂且成本最大的一部分;文章针对现有基于神经网络的软件错误定位方法中的权值和阈值设定不方便、鲁棒性差等问题,结合正交实验设计思想和遗传算法(Genetic Algorithm),提出了一种基于增强遗传BP神经网络的软件错误定位方法;并将其同基于GA-BP神经网络的和基于BP神经网络的定位方法都在MATLAB上进行了实验,实验数据来源西门子测试集,从结果上看,基于增强GA-BP神经网络的软件错误定位方法在定位错误的效率和精确度上都有一些进步。     

气相色谱-质谱法同时测定果蔬清洗剂中12种防腐剂和抗氧化剂

建立了气相色谱-质谱同时检测果蔬清洗剂中12种防腐剂和抗氧化剂的方法。果蔬清洗剂样品先加入乙醇,经旋转蒸发除去样品中的水分,然后用正己烷饱和的乙腈溶液提取,饱和氯化钠溶液洗涤净化,净化后的样品溶液浓缩后用乙腈定容。被测组分经HP-5MS UI石英毛细管色谱柱（30 m×0.25 mm×0.25 μm）分离后在选择离子监测模式下测定。12种防腐剂和抗氧化剂在0.1~10 mg/L范围内线性关系良好,相关系数（r²）>0.999;检出限和定量限分别为0.010~0.030 mg/kg和0.030~0.090 mg/kg。按照建立的方法进行0.2、2.0和10 mg/kg 3个添加水平的加标回收试验,回收率为68.3%~115.3%,相对标准偏差为3.1%~11.3%。该法灵敏度高,定性准确,前处理净化效果好,适用于果蔬清洗剂中防腐剂和抗氧化剂的检测。     

传感器与调理电路实践教学模式探索

实践类通识课程以培养学生的思维方式、学习和实践能力为目标。如何在学生基础专业水平不同的状况下展开教学,是这类课程面临的重要问题。本文以北航开设的“传感器调理电路的设计与仿真”为例,阐述如何开展“理论-仿真”并行和“自主设计型考核”这两个措施的具体实施方式及实际成效。     

基于Sentinel-1/2遥感数据的冬小麦覆盖地表土壤水分协同反演

冬小麦是我国重要粮食作物之一,对冬小麦覆盖地表土壤水分进行监测有助于解决因土壤供水导致的冬小麦歉收和农业用水浪费等问题.为了降低冬小麦覆盖地表土壤水分微波遥感反演过程中冬小麦对雷达后向散射系数的影响,该文基于Sentinel-1携带的合成孔径雷达(SAR)数据和Sentinel-2携带的多光谱成像仪(MSI)数据,结合...     

Ca掺杂(Bi0.5Na0.5)TiO3-BaTiO3压电陶瓷结构与性能

采用传统电子陶瓷工艺制备了(Bi0.5Na0.5)0.93(Ba1-xCax)0.07TiO3(x=0.02,0.04,0.06,0.08或0.10)陶瓷,研究了Ca掺杂量对陶瓷的结构、介电、压电性能的影响。结果表明,陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构固溶体。陶瓷的介电、压电性能受Ca掺杂量的影响显著。所有陶瓷样品均表现出弥散相变特征。x=0.04时,室温εr达到最大值1451.7,且tanδ较小,为0.042;当x=0.06时,d33和kp达到最大,分别为140.5pC/N和19.7%。     

ConCm±(n=1-5; m=1,2)团簇的密度泛函理论研究

本文采用基于自旋极化的密度泛函理论系统研究了Co_nC_m^± (n=1-5; m=1,2)团簇的几何结构和电子结构特性. 将Co_nC^± (n=2-5)团簇中的一个Co替换为C原子, 个体的基态几何结构发生明显变化; 在Co_nC₂^± (n=1-5)团簇的生长序列中, 发现从n=3开始团簇中的两个C原子有彼此分离分布的趋势, 我们分析, 这是Co金属能够维持单壁碳纳米管(SCNTs)保持开口生长, 成为非常有效的一种催化剂的重要原因. 同时, 将Co_nC^± (n=2-5)团簇中添加一个Co原子后系统的总磁矩出现大幅下降的趋势, 但仍保持奇偶交替的规律. 通过比较中性及带电的Co_nC以及Co_nC₂ (n=1-5)团簇的碎裂能, 本工作发现: 由实验获取的SCNTs应均为带正电的体系, 这一结论与已有的实验模型拟合得很好.     

B和H离子顺次注入单晶Si 引起的缺陷及其热演变(英文)

室温下将130 keV,5x1014 cm-2 B离子和55 keV,1x1016 cm-2 H离子单独或顺次注入到单晶Si中,采用横截面试样透射电子显微镜(XTEM)和慢正电子湮没技术(SPAT) 研究了离子注入引起的微观缺陷的产生及其热演变。XTEM观测结果显示,B 和H 离子顺次注入到单晶Si 可有效减少(111) 取向的H板层缺陷,并促进了(100) 取向的H板层缺陷的择优生长。SPAT 观测结果显示,在顺次注入的样品中,B 离子平均射程处保留了大量的空位型缺陷。以上结果表明,B离子本身及B 离子注入所产生的空位型缺陷对板层缺陷的生长起到了促进作用。Abstract:Cz n-type Si (100) wafers were singly or sequentially implanted at room temperature with 130 keV B ions at a fluence of 5x1014 cm-2 and 55 keV H ions at a fluence of 1x1016 cm-2. The implantation-induced defects were investigated in detail by using cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) and slow positron annihilation technique (SPAT). XTEM results clearly show that sequential implantation of B and H ions into Si could eliminate the (111) platelets and promote growth of (100) platelets during annealing. SPATmeasurements demonstrate that in B and H sequentially implanted and annealed Si, more vacancy-type defects could remain in sample region around the range of B ions. These results indicat e that the promotion effect shouldbe attributed to the role of both B and B implanted induced vacancy-type defects.     

基于VB的OPC数据通信的研究与开发

通过分析OPC服务器的作用和功能,以横河CS3000控制系统(DCS)为基础,以缓冲槽液位监测为控制对象,设计了CS3000系统中的FCS卡件组态以及反馈控制组态。利用VisualBasic语言作为开发语言,编写OPC客户端,使其与CS3000系统中的OPC服务器连接,实现数据通信,能成功读取控制站中的检测数据。     

无界域上一类高阶奇异T算子的Holder连续性及其应用

首先定义了Rⁿ上一类高阶奇异T算子,然后将该算子分为两部分分别讨论得到了该算子在Rⁿ上的Holder连续性,最后给出了这个算子的广义导数并通过导数和正则函数的性质给出了高维空间中的一类广义H_n方程组的解.