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671.
贵金属掺杂Ti/TiO2电极的制备及其电催化性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用阳极氧化-阴极电沉积两步法: 先在钛基体上用阳极氧化法制备多孔TiO2薄膜, 接着在这层多孔状薄膜上采用阴极电沉积方法掺杂Pt, Ir来制备Ti/TiO2-Pt修饰电极和Ti/TiO2-Ir修饰电极. 用XRD, SEM分析了掺杂前后的成分、相结构及表面形貌的变化, 结果表明: Pt优先沉积在TiO2多孔中; 与Pt不同, Ir没有表现出在TiO2孔中优先沉积的现象, 出现这种现象的原因是这两种贵金属的电沉积电位相对于n-TiO2的平带电位不同. 使用SIMS分析了在Ti/TiO2-(Pt/Ir)修饰电极中Ti, Pt, Ir的浓度分布, 大致算出TiO2薄膜厚度为750 nm左右. 由极化曲线和阻抗谱结果得出: 掺杂Pt, Ir明显改善了Ti/TiO2 电极的电催化性能, 且随着Pt沉积时间的增长, 修饰电极在硫酸析氧反应中的电催化活性提高. 相似文献
672.
用于一维图像识别的支撑矢量机方法 总被引:9,自引:1,他引:9
研究了支撑矢量机的分类机理,并利用支撑矢量机对雷达目标一维像进行了识别,识别的结果表明了该方法的优越性,并显示它可以对残缺不全的样本进行识别。 相似文献
673.
674.
张莉 《无线电技术与信息》2005,(12):87-91
1.概述 当今,无线通信在人们的生活中扮演越来越重要的角色,低功耗、微型化是用户对当前无线通信产品尤其是便携产品的强烈追求,因此近距离无线通信正逐渐引起越来越广泛的注意。 相似文献
675.
在普通D系列连接器中,产品的耐压一般要求为300V,而我厂的DB13型连接器,要求工作电压为:高压大于等于2000V,低压小于等于500V,同时要求结构精巧。我们在产品结构中采用了绝缘防护墙,使产品较好地达到了要求,且可靠性很高。本文论述了绝缘防护墙的结构及特点。 相似文献
676.
在2005年年初开始的3GPPLTE国际标准化进程中,我国不断加大研发投入,在LTEFDD和TD—LTE的标准化方面均取得了令人瞩目的成果。2007年年底,国内企事业单位自主研究提出的TD—SCDMA演进技术TD—LTE成为LTE唯一的TDD标准,得到了国际上的广泛支持, 相似文献
677.
贵金属掺杂Ti/TiO2电极的制备及其电催化性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用阳极氧化-阴极电沉积两步法: 先在钛基体上用阳极氧化法制备多孔TiO2薄膜, 接着在这层多孔状薄膜上采用阴极电沉积方法掺杂Pt, Ir来制备Ti/TiO2-Pt修饰电极和Ti/TiO2-Ir修饰电极. 用XRD, SEM分析了掺杂前后的成分、相结构及表面形貌的变化, 结果表明: Pt优先沉积在TiO2多孔中; 与Pt不同, Ir没有表现出在TiO2孔中优先沉积的现象, 出现这种现象的原因是这两种贵金属的电沉积电位相对于n-TiO2的平带电位不同. 使用SIMS分析了在Ti/TiO2-(Pt/Ir)修饰电极中Ti, Pt, Ir的浓度分布, 大致算出TiO2薄膜厚度为750 nm左右. 由极化曲线和阻抗谱结果得出: 掺杂Pt, Ir明显改善了Ti/TiO2 电极的电催化性能, 且随着Pt沉积时间的增长, 修饰电极在硫酸析氧反应中的电催化活性提高. 相似文献
678.
679.
Study on the Extraction of L-Phenylalanine with Organo-phosphoric Acid in Two and Three-phase System
Introduction Theextractionofaminoacidshasrecentlyattractedagreatdealofattention .Theycouldbeextractedintore versemicellesormicroemulsionswithasurfactantsuchasAOT [sodiumdi (2 ethylhexyl)sulfosuccinate].Lea didisetal.investigatedthepartitionofaminoacidsbe … 相似文献
680.