级联信道编码的多幅值差分空时分组码方案及性能

通过引入多电平振幅调制和变换矩阵方法,提出了一种基于多幅值调制的差分正交空时分组码方案。该方案可克服通常基于PSK调制的单幅值差分空时码(DSTC,differential space-time coding)在高频带利用率下由于星座符号间的最小距离减小所带来的性能下降,而且可用于编码矩阵是非方阵情况,避免了已有方案仅适合于方阵码矩阵。与已有单幅值DSTC相比,所提方案有着高的频谱效率和编码增益,且可实现线性译码复杂度和高的码率。此外,还给出了所提方案级联信道编码时的性能。仿真结果表明所提方案与已有单幅值DSTC方案相比,有着较低的误比特率,而且信道编码后的所提多幅值DSTC也好于相应的单幅值DSTC。     

具有电压尖峰抑制能力的高增益Y源逆变器

针对传统Y源逆变器器件电压、电流应力过高,产生直流链电压尖峰的问题,提出了一种新型Y源逆变器。逆变器的新型Y源结构可有效减小器件电压、电流应力,附加的L、C、D缓冲电路既能提升电压增益,还可有效抑制直流链电压尖峰。分析了改进型Y源逆变器直流母线电压尖峰产生的原因、新型Y源逆变器电压尖峰抑制的原理,并由数学推导证实了新型Y源逆变器存在抑制电压尖峰的工作过程。在器件应力方面将新型Y源逆变器与改进型Y源逆变器的进行对比,证明了新型Y源逆变器的稳态性能。最后,搭建了新型Y源逆变器与改进型Y源逆变器的实验样机,实验所得数据与理论分析相符,证明了理论分析的正确性和新型逆变器的可行性。     

导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面

β-Ga₂O₃单晶作为高压大功率器件的衬底,其位错密度直接影响器件的漏电特性,位错腐蚀坑显露面与外延生长密切相关。β-Ga₂O₃单晶属于单斜晶系,对称性低,研究不同晶面位错腐蚀坑的形状与显露面难度较高。对采用导模(EFG)法生长的(001)、■和(010)面β-Ga₂O₃晶片进行腐蚀,采用扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀坑形貌,采用共聚焦激光扫描显微镜对显露面与表面晶面之间的夹角进行表征,根据测试结果可推算出腐蚀坑显露面晶面指数,为衬底和外延生长提供重要的参考依据。