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2
11.
同步辐射光电子能谱对ITO表面的研究
总被引:9,自引:0,他引:9
来冰
丁训民
袁泽亮
周翔
廖良生
张胜坤
袁帅
侯晓远
陆尔东
徐彭寿
张新夷
《半导体学报》
1999,20(7):543-547
首次利用同步辐射光电子能谱(SRPES)研究了铟锡氧化物(ITO)薄膜表面的化学状态.发现ITO表面的铟和锡分别具有多种价态.对比真空退火前后ITO样品的电阻率与透射率,结合对ITO导电机理的分析讨论,可以认为In2O3-x与Sn3O4的含量变化是影响ITO的导电与透光性能的主要原因
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