平行平板传输线激励的氮分子激光器

一、引言 氮分子激光器是一种毫微秒脉冲紫外激光器,输出波长为3371A,本装置采用平行平板传输线激励,横向放电。火花隙为同轴形充气结构,输出峰值功率为1兆瓦,重复频率连续可调,可达50赫芝。测量了单次脉冲能量随电压和气压的变化,观测了光脉冲波形,在小于120托时脉宽随气压增加明显变窄,在120托至180托之间无明显变化;实验了储能电容器的长度及脉冲形成电容器长度对单次脉冲输出能量的影响,两部分长度应适当匹配才可使输出效率提高。     

Ge中束缚施主电子的自旋共振及其各向异性线宽

本文利用Ge中浅施主杂质的有效质量波函数,计算了束缚电子的等效自旋哈密顿量,得到在没有外压力及内应力情况下,仅当Ge的导带极值偏离(2π)/α[111]点时,共振频率才是各向导性的。指出通过电子-核双共振实验可能较确切的判断Ge中导带极值的位置。利用畸变势理论及微扰论,计算了在一般缓变的非均匀内应力作用下,共振频率及自旋共振线宽随磁场方向的各向异性变化。最后具体计算了在以拉伸法生长的晶体中和在弯曲的范性形变下,在最主要的位错类型([211]方向刃型及[110]方向螺型位错)应力场作用下自旋共振线宽的非均匀加宽,指出对于不同类型及不同取向的位错有不同的各向异性线宽。与Wilson的实验结果比较,我们得到当位错密度小于10⁴εcm^-2时,位错应力不是形成线宽的主要原因,当磁场在不同的(110)平面内旋转时,线宽将有相似的各向异性。当位错密度大于10⁵εcm^-2时,位错应力对线宽的贡献是主要的。这很容易由实验判断。     

双光子共振介质光学双稳特性的理论研究

最近报导了在原子蒸气中,工作在三能级双光子近共振情形的光学双稳实验。由于在F-P腔内形成对双光子跃迁消除Doppler效应的结构,所有原子都对光学双稳的形成具有贡献,因此会形成较好的双稳特性。本文试图对双光子共振介质中的双稳特性进行一般性的理论分析,包括稳态双光子离共振情形,稳态双光子近共振情形以及瞬态双光子近共振情形。 对于双光子离共振情形,本文不需引入通常采用的平均场近似,便可得到一般非线性标准具的双稳特性方程组。     

束缚施主电子与Si29核超精细作用的各向异性

本文利用Si中浅能级施主的有效质量波函数,计算了束缚施主电子与Si²⁹核超精细作用的等效自旋哈密顿量。超精细作用中不同谷的Bloch函数之间,相干效应非常明显,超精细作用的各向异性主要是由谷间相干效应决定的。在强场近似下求出了Si²⁹核的核磁共振频率的表示式,定量地解释了Feher的实验结果,并且可以由实验定出谷间磁偶极相互作用矩阵元。从正交干面波的观点出发进行了计算,与实验结果比较定出了导带底布洛赫函数中2P心态波函数的组合系数的大小为0.20。指出了利用双共振方法及其压力效应有可能测定导带底的波矢及有效质量波函数的各向异性分布。