SiC单晶片C面固结磨料化学机械抛光的研究

本文研究了三种不同种类的磨料对SiC单晶片去除率的影响.最终选用金刚石磨料作为SiC单晶片的化学机械抛光磨料.结果表明:固结磨料CMP的材料去除率是游离磨料的3倍以上,固结磨料抛光垫,可大幅度提高材料去除效率.     

乙酰乙酸乙酯-BrO3--Mn2+-H2SO4振荡体系的非线性动力学研究

研究了乙酰乙酸乙酯(AA)-BrO₃^--Mn²⁺-H₂SO₄体系不经过诱导期而直接进入振荡状态的非线性化学反应新特征。测定了各物种的起振浓度范围及最佳反应条件。升高温度T，振荡周期t_p、寿命t_l均显著缩短，且ln(1/t_p)与(1/T)具有良好线性关系，周期表观活化参数为41.94 kJ·mol^-1。Ag⁺、维生素C(Vc)、葡萄糖(G)、H₂O₂、C₂H₅OH等共存时，或使振荡周期增长，或具有显著的抑制作用。另外，AA的酸性水溶液放置120～720 min后重新参与振荡反应时，可产生诱导期，甚至抑制振荡反应, 表明AA的水解性对振荡反应有一定的影响。最后结合FKN机理，对本振荡反应机理进行了初步探讨。     

单分子链穿插进入双链凝聚线团的分子动力学方法模拟

用分子动力学(MD)方法模拟了聚乙烯(含300个CH₂单元)单链凝聚线团与一个双链处于平衡态的凝聚线团相互穿插的融合过程,考察分析了体系结构演变的能量信息及第三个链的引入对原来两链穿插状态的影响.研究发现,在两部分线团凝聚成一体后,各分子链一方面在表面势能各向异性的作用下试图挤入体系内部,另一方面在构象熵的驱动下又尽可能地占据体系的空间,线团的穿插是在两者共同作用下逐步完成的.第三个链的融入使得原来两个链的质心距离有所增加,链段的邻接程度减弱.     

基于白刚玉微粉的6H-SiC单晶基片化学机械抛光材料去除率研究

碳化硅单晶基片已广泛应用于微电子、光电子等领域,如集成电路、半导体照明(LED)等,本文根据前期的研究结果,以白刚玉微粉为磨料,通过大量的实验,研究了抛光液成分(PH值、磨粒粒径与含量、分散剂、氧化剂、活性剂)、抛光盘转速以及载物台转速对SiC单晶片(0001)Si面和C面化学机械抛光(CMP)时对材料去除率的影响。研究结果表明,在SiC晶体基片化学机械抛光时,抛光液在一定的pH值、一定的氧化剂含量、一定的分散剂含量、一定的磨粒含量及尺寸下,能够获得最佳的材料去除率;抛光盘的转速对材料去除率影响较大,材料去除率随抛光压力的增加而增大,C面的材料去除率远大于Si面的材料去除率,但无论是Si面或C面,抛光后表面无划痕,经过2个半小时的抛光,表面粗糙度达到Ra1nm以下。结果表明,氧化铝(Al2O3)磨粒可用于碳化硅单晶基片的化学机械抛光,其研究结果可为进一步研究SiC单晶片的高效低成本化学机械抛光液、抛光工艺参数及化学机械抛光机理提供参考依据。