HCHO-(DL-苹果酸)-BrO-3-Mn2+-H2SO4体系化学振荡反应动力学研究

研究了HCHO参与下的(DL-苹果酸)-BrO-3-Mn2+-H2SO4化学振荡反应体系的非线性动力学行为,考察了该体系中各反应物的初始浓度范围及主要影响因素. 结果表明,在5.0×10-5～1.0×10-2 mol·L-1范围内, HCHO对振荡反应的诱导期和周期有较大影响,且HCHO浓度的对数lnc(HCHO)与诱导期倒数的对数ln(1/tin)及周期倒数的对数ln(1/tp)均存在线性关系. 诱导期和周期的表观活化参数分别为70.87,55.71 kJ·mol-1. 另外还对HCHO参与下的可能振荡反应机理进行了探讨.     

苯系物Lewis酸碱性的定量化尝试及估算

Lewis酸碱理论研究目前尚处于定性阶段,在环境化学上应用甚少,Gutmann等曾采用热力学与~(31)P NMR方法定量了少量有机溶剂的酸碱性,Kamlet等也利用~(19)F NMR测定了一些有机物的碱性.本文提出了一种利用多种溶剂/水分配系数来定量苯系物酸碱性的方法,该法简便、快速,有广泛的适用性。     

全新设计蛋白质的折叠机制

蛋白质全新设计和折叠研究是从两个不同的方向来理解蛋白质序列-结构-功能关系这一结构生物学重要问题. 蛋白质全新设计取得的成功实例一定程度上检验了人们对蛋白质结构和相互作用理解的准确性, 但它们中多数所表现的不同于天然蛋白质的折叠动力学特征也表明, 要达到最终的功能化实现目标还面临着不少的挑战. 本文综述了蛋白质全新设计的发展过程及现状, 蛋白质折叠研究在实验、理论及模拟方面的研究进展, 以及全新设计蛋白质的折叠机制的研究现状. 阐述了深入了解全新设计蛋白质与天然蛋白质折叠机制的不同, 可以为进一步有效地合理化设计蛋白质提供有益的参考.     

室内环境条件下促进NO氧化的主要因素解析

利用风洞实验装置，对室内环境条件下促进NO氧化的主要因素进行了研究。结果表明，紫外线强度增大可以加快NO的氧化速率；照度增大也可加快NO的氧化速率，但不显著；温度、湿度对NO的氧化速率无明显影响；NO的初始浓度对NO的氧化速率有影响。当NO的初始浓度在500-900μg/L范围内。初始速率的对数与NO的初始浓度的对数有良好的线性关系，而且NO浓度倒数对数与时间t也具有良好线性关系，据此可推断NO反应级数α=1。当微量臭氧、丙烯、甲烷共存时，NO的氧化速率显著加快。因而在室内环境条件下，微量的O3、丙烯、甲烷对NO的氧化有明显的促进作用。另外较高浓度NO2共存时对上述反应也具有明显的促进作用。     

穿插程度对高分子链结晶初始阶段的影响

用分子动力学方法模拟了具有不同穿插程度的寡链凝聚体系结晶初始阶段的有序化过程. 链间穿插程度通过径向分布函数的统计进行表征. 模拟计算结果表明, 链间的穿插程度对体系的有序化过程具有明显的影响, 穿插程度越小的体系有序化越快, 形成的有序结构也更完整. 与实验结果的比较表明, 在聚合物粒子结晶的初始阶段, 体系由穿插引起的缠结就已经起到了作用.     

基于Si3N4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺研究

设计了基于Si3N4掩模的太阳电池选择性掺杂工艺,并对其工艺参数进行了仿真优化。选择性掺杂电池的一次掺杂条件为仿真所得最佳非选择性掺杂电池的工艺参数。运用SILVACO软件分别对选择性掺杂的时间、预淀积浓度和温度进行了仿真研究。仿真结果表明,随着选择性掺杂的预淀积浓度的增加,光谱响应率先增加后降低;随着扩散温度和扩散时间的增加,电池的光谱响应率逐渐减小。所得最佳选择性掺杂工艺参数为预淀积磷硅玻璃杂质浓度1×1019 cm-3、扩散温度800℃、扩散时间5min。     

微波溶样流动注射分光光度法在线测定金矿石中的金

采用微波溶样 流动注射在线泡塑富集分离 分光光度联用技术建立了在线快速测定金矿石中金的方法。比较了微波溶样法与传统电热板溶样法,二者结果基本一致。前者溶样时间近似为后者的1 9。确定了两条工作曲线:校正曲线范围为0 1～1.0μg mL,检出限2.2×10-2μg mL;校正曲线范围为1.0～9 0μg mL,检出限1.6×10-1μg mL。FI SP系统分散系数为3.78。对管理样GBW(E) 070014平行11次测定,其RSD为1.3%,对所得结果进行t检验,置信度95%时,无系统误差存在。     

非晶硅薄膜的YAG激光晶化工艺研究

应用YAG激光器在不同工艺条件(激光脉冲频率及脉宽)下对非晶硅薄膜进行了微晶化处理。采用XRD和AFM对所制薄膜的物相结构和表面形貌进行了分析,并探索了激光脉冲占空比对非晶硅薄膜晶化的影响。结果表明,非晶硅薄膜在不同激光脉冲占空比情况下的结晶变化趋势均为多晶硅衬底表层先非晶化,后与非晶硅薄膜一起结晶,而利于其结晶的最佳占空比为1/25。已晶化硅薄膜的晶粒尺寸随占空比的增加先变大后变小。     

Material removal rate of 6H-SiC crystal substrate CMP using an alumina（Al2O3） abrasive

正The influences of the polishing slurry composition,such as the pH value,the abrasive size and its concentration,the dispersant and the oxidants,the rotational velocity of the polishing platen and the carrier and the polishing pressure,on the material removal rate of SiC crystal substrate(0001) Si and a(0001) C surface have been studied based on the alumina abrasive in chemical mechanical polishing(CMP).The results proposed by our research here will provide a reference for developing the slurry,optimizing the process parameters,and investigating the material removal mechanism in the CMP of SiC crystal substrate.