双栅酞菁铜有机薄膜晶体管

有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5V,场效应迁移率0.025cm2/V.s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高。     

一种新型有机聚合物深红色发光材料的合成及发光特性的研究

合成了一种深红色发光的聚苯乙烯喹啉(PPV-Q)材料,研究了其光致发光,电致发光及吸收光谱。这种材料在紫外和蓝光区具有很强的吸收能力,波长为463 nm的光对此材料具有最高的激发能力。用此材料作为发光层制备了ITO/PPV-Q/Al结构的电致发光器件,发光光谱的中心波长为670 nm,发光光谱的半高全宽为90 nm左右。在不同驱动电压下,器件电致发光的色坐标(x=0.67, y=0.32)基本上没有变化, 是一种深红色的电致发光。器件中的电流随驱动电压的增加而明显增强,导致器件稳定性的降低。     

基于叠层结构的本体异质结有太阳电池

研究了叠层结构的本体异质结有机太阳电池,下层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)作为光敏层,上层电池由共轭聚合物(MEH-PPV)和ZnO纳米颗粒(50nm)组成光敏层.器件结构为ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Ag/MEH-PPV:ZnO /Al.与单层有机太阳电池 (ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/Al) 相比,叠层结构的开路电压VOC是单层电池的3.7倍,短路电流JSC是单层电池的1.6倍.     

Ir(ppy)3掺杂PVK体系发光特性的研究

对常温下磷光染料Ir(ppy)3掺杂PVK薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。器件结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(ppy)3/BCP/Alq3/Al。实验发现随磷光材料掺杂浓度的不同,器件的发光性能发生变化。当浓度适宜时,主体材料PVK的发光很弱,主要为Ir(ppy)3的磷光发射。通过L-I-V特性曲线的比较,掺杂浓度为5%的光电性能最好,说明器件在掺杂浓度为5%时效果最佳。     

一维有序ZnO纳米棒阵列的制备与表征

通过改进传统水热法的密闭、高压的条件,在非密闭、常压环境下在氧化铟锡玻璃衬底上自组装生长了取向高度一致并且分散性好的ZnO纳米棒阵列.首先将乙酸锌溶胶旋涂到氧化铟锡玻璃衬底上,经热处理得到致密的ZnO纳米晶薄膜,然后将其垂直放入前驱体溶液中通过化学溶液沉积生长得到ZnO纳米棒阵列.室温条件下,对样品进行了SEM和XRD的测试.表明生成的氧化锌纳米棒阵列沿c轴取向,实现了定向生长,且纳米棒结晶较好,为六方纤锌矿结构,直径约为40 nm,长度达到微米量级.室温下的吸收光谱表明,由此方法得到的纳米棒纯度较高,有强的紫外吸收.室温下,观测到了该有序ZnO纳米棒阵列在387 nm处强的窄带紫外发射,半高宽小于30 nm,在468 nm处还有一强度较弱的蓝光发射峰.     

利用多掺杂体系制备白色OLED的研究

利用PVK、Eu(aspirin)3phen稀土配合物和Alq3共掺杂体系,制备了PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3为发光层、结构为ITO/PVK:Eu(aspirin)3phen:Alq3/BCP/Alq3/Al的有机发光二极管显示器件(OLED).保持PVK和Eu(aspirin)3phen的质量比为5∶1不变,改变PVK和Alq3的质量比,当PVK和Alq3的质量比为10∶1,得到了效果较好的白光,在电压为16 V时,器件色坐标达到(0.32,0.31),亮度为150 cd/m2.分析了掺杂体系中的能量传递过程以及器件的电致发光(EL)机理.     

Enhanced performance in organic photovoltaic devices with KMnO4 solution treated indium tin oxide anode modification

The properties of poly(3-hexylthiophene):(6,6)-phenyl C₆₁ butyric acid methyl ester (P3HT:PCBM) organic photovoltaic devices (OPVs) with indium tin oxide (ITO) anode treated by KMnO₄ solution are investigated. The optimized KMnO₄ solution has a concentration of 50 mg/L, and ITO is treated for 15 min. The modification of ITO anode results in an enhancement of the power conversion efficiency (PCE) of the device, which is responsible for the increase of the photocurrent. The performance enhancement is attributed to the work function modification of the ITO substrate through the strong oxygenation of KMnO₄, and then the charge collection efficiency is improved.     

Electroluminescence quenching mechanism in Rubrene doped host-guest system

In this paper, the electroluminescence quenching mechanism in a 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (Rubrene) doped host--guest system is studied by utilizing a specially designed organic light-emitting diode with an emission layer consisting of a few periodic host/guest structures. Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq₃) and Rubrene are used as the host and the guest, respectively. The thickness variation of the guest layer in each period enables the study of the effect of molecule aggregation, and the thickness variation of the host layer suggests a long range quenching mechanism of dipole--dipole interaction. The long range quenching mechanism is a F?rster process, and the F?rster radius of Rubrene is between 3 and 10~nm.     

Transient demonstration of exciton behaviours in solid state cathodoluminescence under different driving voltage

In the solid state cathodoluminescence (SSCL), organic materials were excited by hot electrons accelerated in silicon oxide (SiO₂) layer under alternating current (AC). In this paper exciton behaviours were analysed by using transient spectra under different driving voltages. The threshold voltages of SSCL and exciton ionization were obtained from the transient spectra. The recombination radiation occurred when the driving voltage went beyond the threshold voltage of exciton ionization. From the transient spectrum of two kinds of luminescence (exciton emission and recombination radiation), it was demonstrated that recombination radiation should benefit from the exciton ionization.     

从热释光曲线同时确定电子复合与俘获之比及陷阱深度

复合发光的本质是两种载流子的复合,但其衰减规律则视具体情况可以从一个极限(指数)变到另一个极限(抛物线),即复合发光是一个连续变化的过程。这主要取决于导带电子的行为,导带电子的行为可以用电子与离化发光中心复合与被陷阱俘获之比来表示。加热发光是在变化温度下的发光弛豫,它既与复合与俘获之比有关,还是陷阱深度的函数,因此在利用加热发光曲线测定陷阱深度时,要同时确定这两个参数。利用热释光动力学模型及其原理,对其发光过程进行了分析,解释了热释光过程既不是一个单分子过程也不是一个双分子过程,这两个过程实际是两个极端情形,都是近似。文章同时利用一些工具软件具体计算了ZnS:Cu, Co的陷阱深度及电子复合与俘获概率之比,精确的计算了这些参数,得n₀ =2.6, ε=0.86eV。