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41.
采用高温固相法,制备了适于紫外-近紫外及蓝光激发,主峰位于573nm的Ca2BO3Cl:Eu2+黄色荧光粉。研究了Ce3+以及CaCl2和H3BO3用量对材料发光特性等的影响。结果表明,添加Ce3+,明显增强了Ca2BO3Cl:Eu2+材料在紫外-近紫外区的吸收,有效地提高了材料的发射强度;添加过量的CaCl2或H3BO3,均能提高Ca2BO3Cl:Eu2+材料的发射强度,最佳的CaCl2和H3BO3用量分别为过量5mol%和15mol%。将Ca2BO3Cl:Eu2+材料与460nm InGaN芯片组合,获得了白光发射,色坐标为(0.339,0.351)。  相似文献   
42.
在不同衬底上制备的ZnO薄膜透射率的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用反应磁控溅射在不同结构衬底上生长ZnO薄膜,通过X-ray衍射(XRD)及透射光谱来分析薄膜的成膜情况,并得出在Al2O3/AlN复合基上溅射沉积的ZnO薄膜比单独在AlN薄膜衬底的结晶质量好且透过率也较高。而经不同的快速热退火温度验证,发现在400 ℃时,ZnO薄膜的结晶化及在(002)方向上的择优取向达到最好,并在可见光范围内的平均透过率达到88%以上。当退火温度超过450 ℃时,温度过高改变了ZnO薄膜的内部结构,使其氧原子和锌原子发生了较大距离的位移,导致薄膜内部缺陷的增多,从而存在过多的晶界,增加了其薄膜的散射机制,使光的透过性变差,退火温度为500 ℃时,薄膜的平均透过率为80%。  相似文献   
43.
实验过程中制备了3种不同周期的有机阱结构器件,分别用N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-napthyl)-1,1’-biphenyll-4,4’-diamine(NPB)和4,4,N,N’-dicarbazolebiphenyl(CBP)作为电子的势阱和势垒。讨论了3个器件在反向偏压调制下的光致发光的猝灭。研究结果显示在作者所制备的器件中NPB层中激子的猝灭速度要比CBP层中的激子猝灭速度快。这主要是因为NPB层中的有效电场要比CBP层中的有效电场强。当所制备的有机阱结构器件的周期数增加时,在相同的反向电场下,NPB和CBP层中的激子猝灭速度会随之增加,因为实验中制备的这3个器件为Ⅱ型量子阱结构,激子在这种阱结构器件中会随着阱周期数的增加而变得越来越不稳定,因此周期数较大的器件猝灭现象比较明显。  相似文献   
44.
固态阴极射线器件的加速层,是提高固态阴极射线性能的重要部分,它能够加大电子能量,倍增电子数量。其中增加注入电子从而提高过热电子的数量,是提高固态阴极射线器件性能的关键。为此 ,文章尝试将加速层复合,兼顾加速与电子注入性能。首先将SiO2,ZnS和ZnO分别与有机聚合物MEH-PPV组合,确定较适合的复合加速层的组合:SiO2/ZnS和 ZnO/SiO2。然后将这两种复合加速层的性能对比,发现SiO2/ZnS的性能更优越,因为电子注入性能ZnS和ZnO相当,而电子加速倍增性能ZnS明显优于ZnO,其中 SiO2为主要的加速层,而ZnS起到降低注入势垒变成阶梯势垒的作用。最后又将复合加速层结构的固态阴极射线器件和传统的SiO2夹层固态阴极射线器件对比,发现这种复合 加速层结构,尤其在高场下,可提高固态阴极射线的初电子源和过热电子的数目,从而提高其发光效率具有促进作用。  相似文献   
45.
铽配合物Tb(o-BBA)3(phen)有机电致发光研究   总被引:7,自引:4,他引:7  
合成了一种新的稀土配合物邻苯甲酰苯甲酸-1,10-菲罗啉-铽(Tb(o-DDA)3(phen))并用于有机电致发光。研究了Tb(o-DDA)3(phen)与PVK混合薄膜的光敛发光特性,找出了PVK:Tb的最佳比例为3:1。制备了结构为ITO/PVK:Tb/Al的单层电致发光器件,得到了铽离子的特征光谱,其电流-电压特性(I-V)在一定电压范围内符合空间电荷限制电流机制。研究结果表明稀土铽配合物Tb(o-BBA)3(phert)掺杂PVK体系的光致发光是源于PVK到Tb配合物的能量传递及稀土Tb配合物的直接激发两种作用机制,而电致发光以载流子俘获为主。  相似文献   
46.
The properties of top-contact organic thin-film transistors (TC-OTFTs) using ultra-thin 2, 9-dimethyl-4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline (BCP) as a hole-blocking interlayer have been improved significantly and a BCP interlayer was inserted into the middle of the pentacene active layer. This paper obtains a fire-new transport mode of an OTFT device with double-conductible channels. The accumulation and transfer of the hole carriers are limited by the BCP interlayer in the vertical region of the channel. A huge amount of carriers is located not only at the interface between pentacene and the gate insulator, but also at the two interfaces of pentacene/BCP interlayer and pentacene/gate insulator, respectively. The results suggest that the BCP interlayer may be useful to adjust the hole accumulation and transfer, and can increase the hole mobility and output current of OTFTs. The TC-OTFTs with a BCP interlayer at VDS=-20~V showed excellent hole mobility μFE and threshold voltage VTH of 0.58~cm2/(V\cdots) and --4.6~V, respectively.  相似文献   
47.
信息对人类的发展有非常重要的作用,21世纪是信息时代。随着信息技术的发展,对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求。平板显示技术是本世纪最有发展前途的显示技术之一,平板显示具有十分突出的优点,在于它全固态、无真空、驱动电压低、视角广、耐恶劣环境等,薄膜电致发光器件具有平板显示技术的特点。本文针对无机薄膜电致发光的原理、目前获得蓝光所遇到的问题及可能的解决方案进行了深入探讨。  相似文献   
48.
研究了掺杂浓度及热退火对磷光材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2’)吡啶甲酰合铱(Flrpic)发光性能的影响.不同掺杂浓度的薄膜及有机电致发光器件(OELDs)的发光颜色部随Flrpic浓度的增大由蓝色逐渐变化到黄绿色.纯Flrpic薄膜的吸收光谱和光致发光(PL)光谱在440-480 nm范围内有明显的光谱重叠,476 nm处的发光强度随Flrpic掺杂浓度增大而降低主要是由自吸收效应引起的.测量了不同激发密度下的光致发光光谱和不同掺杂浓度下的电致发光(EL)光谱,发现530 nm处的发光强度随激发强度或掺杂浓度的增大而增强,证实了530 nm处的发光是来源于Flrpic分子间的激基缔合物发光.通过比较热退火前后薄膜微观形貌及电致发光器件光谱的变化,进一步证实了热退火促进Flrpic分子聚集,增强了Flrpic分子间的辐射跃迁发光.通过调控Flrpic掺杂浓度和优化器件结构,并对器件进行热退火处理得到一系列发光颜色从蓝色逐渐变化到黄绿色的有机电致发光器件.  相似文献   
49.
有机电致发光器件自从C.W.Tang等发表了高效、高亮度双层结构器件以来,因其工艺简单、成本低、直流低压驱动,并且可制成大面积的平板显示而成为当前显示器件研究的热点[1-4]。Forrest等人提出的有机多层量子阱结构的概念应用到了有机电致发光器件(OLEDs)中,进而提高了有机电致发光器件的性能,引起了学者们的研究热情。文章将这种结构器件的研究情况给予综述,从结构的应用、工作原理、优缺点和应用前景方面予以展望。  相似文献   
50.
刘瑞  徐征  赵谡玲  张福俊  曹晓宁  孔超  曹文喆  龚伟 《物理学报》2011,60(5):58801-058801
制备了结构为ITO/Pentacene/C60/Al的双层光伏电池器件,在C60/Al界面插入了常用的缓冲层材料bathocuproine(BCP)作为阴极缓冲层,通过优化BCP层的厚度来提高电池的性能并研究了阴极缓冲层的作用机理.实验发现,BCP厚度为10 nm时器件的效率最高,为0.46%.在此基础上,利用bathophenanthroline(Bphen)和3,4,9,10-Perylenetetracarb-oxylicdianhydride(PTCDA 关键词: 有机太阳能电池 Pentacene 60')" href="#">C60 缓冲层  相似文献   
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