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本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
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利用模拟软件MEDICI对碳化硅混合PiN/Schottky二极管(MPS)的输运机理及伏安特性进行了模拟.输运机理的模拟结果表明MPS的工作原理是正向肖特基起主要作用,而反向时PN结使漏电流大大减小.伏安特性的模拟结果表明MPS的正向压降小,电流密度大,在2V正向偏压下达10-5A/μm,反向漏电流小,击穿电压高(2000V左右),可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS的性能,与硅MPS、碳化硅PN结以及碳化硅肖特基二极管相比具有明显的优势,是理想的功率整流器. 相似文献
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研究了一种新型的覆膜钡钨阴极——双层膜(Os-W/Re膜)钡钨阴极.对这种新型阴极的发射性能进行了测试,重点对其老炼前后表面薄膜的微观形貌进行了分析,表明中间层Re膜的加入使覆膜钡钨阴极的性能得到了改善.通过对Os-W双元合金膜钡钨阴极和Os-W/Re双层膜钡钨阴极发射特性的比较,发现Os-W/Re双层膜阴极的直流发射性能好于Os-W合金膜阴极.对两种阴极激活后发射表面的X射线光电子能谱分析表明,Os-W/Re双层膜阴极激活后表面形成的三元合金膜是其发射特性优于Os-W合金膜阴极的主要原因.应用扫描电子显微镜分析比较两种阴极激活老炼后的表面状态,结果表明:Os-W合金膜阴极在老炼一段时间后,其表面薄膜出现开裂,这会导致阴极发射均匀性下降;而Os-W/Re双层膜阴极在同样老炼条件下,发射表面薄膜均匀并保持完整,从而确保覆膜钡钨阴极发射均匀性和工作可靠性.
关键词:
双层膜钡钨阴极
Os-W/Re膜
Os-W膜
薄膜开裂 相似文献
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Al-Cu-Fe系初生准晶相凝固过程的电子显微分析 总被引:3,自引:0,他引:3
采用包括金相(OM),粉末X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)观察和透射电子显微(TEM)分析等方法,研究了铸态Al592.Cu36.8Fe3.0Si1.0合金(700℃保温2.5h后水淬)的显微组织及相组成。发现铸锭中存在4种相:准晶I相,τ3相(或φ相),θ-Al2Cu相和η-AlCu相,凝固过程可描述为:初生晶是准晶Ⅰ相;在保温过程中发生包晶或共晶反应(L+i→τ3(或φ)或L→τ3(或φ)+i)形成的τ3相(或φ相),呈微畴结构;而剩余液体水淬形成θ-Al2Cu相和η-AlCu 相。 相似文献
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微波设备中的副载波分盘包括副载波调制盘和副载波解调盘.这两类盘数量大,故障率高,检修任务重.传统的办法是利用转接板在微波架上进行"在线"检修.但这样做操作起来不方便,且影响设备的正常运行,不利于播出安全.因此,笔者设计了如下的副载波分盘检修台. 相似文献
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以文献综述的方式解释概念转变的含意,指出物理概念转变的困难所在,提出解决概念转变的认知冲突策略,并提供了实施该策略的一些方案.然后列举初学电学的学生中存在的一些前概念,为设计认知冲突策略提供依据.最后阐述运用认知冲突策略时要注意的问题. 相似文献
90.
本文简要介绍了用于传感器和执行器封装的硅一硅键合,硅一玻璃阳极键合及基于表面修饰工艺的选择键盒技术;讨论了如何消除键合晶片之间空隙的方法。 相似文献