无线市话及接入网新技术 将掀中国电信发展新高潮

由信息 产业部电信科学技术情报研究所主 办的２０００国际无线市话及接入网 新技术研讨会，３月 ７日至９日在北 京召开。来自全国各地固定电信运 营部门及制造企业有关人员约１００ 多人参加会议。电信科学技术情报 研究所信息发展中心陈育平主任主 持会议，并对无线市话技术与市场 进行了全面而深刻地分析。中国科 学研究院声学研究所侯自强所长、 广东省电信科学技术研究院　和仁 主任在会上做了技术分析报告。华 为、广州ＬＧ拓普仕、朗讯、北电、京 瓷、ＵＴＳｔａｒｃｏｍ、Ｐ—ＣＯＭ等公司的 代表分别阐述了各自在无线市话及 接入网方面的见解及方案。 此次会议是在中国电信重组之 后，面临国内及国外竞争压力，急需 拓展现有业务，并随时准备进军新 业务领域的形势之下，为了更好地 让制造商与固定电信运营商能坐在一起互相交流，寻找中国电信企业长远发展之路，分析巳经出现的各种短期行为的利弊，共同迈向中国电信美好明天而召开的。与会者就多种巳经实施或可能实施的木地无线市话方案进行了热烈地讨论。他们表示，相信这次会议能给中国的电信企业带来新的思索与转机。无线市话及接入网新技术 将掀中国电信发展新高潮@岳     

密码协议的形式化分析与设计原则

介绍了密码协议的形式化分析方法和设计原则，着重介绍了BAN逻辑及其发展以及一些重要的协议设计原则，并提出了作的一些观点。     

适用于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术

本文从几个方面探讨了一种应用粘合二氧化硅片制作绝缘体上硅的新技术。粘合是通过将一对亲水表面相互贴合的硅片置于惰性气体中加热来实现的。提出了一种以裂解传播理论为基础的适用于计算粘合表面能的定量方法。研究发现粘合强度随着粘合温度的升高而增加,从室温下的60～85尔格/cm~2升到1400℃时的2 200尔格/cm~2。粘合强度基本上与键合时间无关。通过800℃退火10分钟达到的机械强度,足以承受为获得所需厚度而对上面硅片进行的机械或化学减薄加工以及随后的器件制作工序。提出了一种模型解释在实验温度范围内粘合的三种明显状态。采用金属-氧化物-半导体(MOS)电容器来测试粘合的电特性,其结果与在粘合界面处的负电行密度约10~(11)cm~(-2)一致。采用两次深腐蚀工艺将芯片低薄到希望的厚度,其厚度均匀性在 4英寸硅片上为± 20nm。剩余硅层中的线位错密度是10~2～10~3cm~(-2),残留的掺杂剂浓度少于5×10~(15)cm~(-3),两者都是腐蚀阻挡层的剩余物。在20～100mm厚的硅层上制作的互补金属-氧化物-半导体(CMOS)器件具有 60mV/dec亚阈值斜率(包括n沟和p沟MOS晶体管)。有效载流子寿命在80nm和300nm厚硅膜中是15～20μs。在硅膜覆盖的氧化层界面上的界面态密度是≥5 ×10~(10)cm(-2)。     

美国科学家正在设计用于跟踪可疑恐怖分子的光学传感器

据www．thaindian．com网站报道，美国科学家正在设计一种利用无人驾驶飞机跟踪步行或驾车中的可疑恐怖分子的新型光学传感器。该计划的负责人——美国罗彻斯特理工学院切斯特卡尔逊中心的John Kerekes副教授说：“美国空军已经清楚地认识到我们所面临的恐怖威胁的变化。我认为大家十分理解军方在观念上的转变。我们不是在空旷的沙漠中与坦克作战，而是与小股的恐怖分子作斗争，他们是一种不对称的威胁。”     

中国电影技术展望与目标

随着数字技术、网络技术进入电影的制作和播放领域,电影与电视的界限越来越模糊,尤其是制作手法越来越接近。国家广电总局电影局鲍林岳副局长在此为广大读者介绍了中国电影技术发展规划及实现目标,他提到“十五”期间,我国要建设世界先进水平的电影数字工作站、数字电子影院、DVD多媒体节目生产基地、电影节目数字平台、高清晰度电视播出的电影节目库等项目,以此来全面提高我国电影技术水平。     

KDP晶体高效二倍频实验

本文报导了关于ＫＤＰ晶体Ⅱ类相位匹配的实验研究。用Ⅱ类匹配的ＫＤＰ晶体对功率密度４ＧＷ／ｃｍ２的钕玻璃激光，以偏振方向与晶体Ｏ轴夹角４５°，３５．３°的情况进行实验，分别获得７９．５４％，６４．０６％的倍频转换效率。并对倍频绿光用Ｔｅｘｔｒｏｎｉｃｓｓｃｄ１０００，ＴｒａｎｓｉｅｎｔＤｉｇｉｔｉｚｅｒ示波器进行波型测量，用２０４８一维ＣＣＤ进行光谱分析，光谱线宽为０．００２３ｎｍ。实验还发现了倍频晶体ＬｉＮｂＯ３在达到破坏时出现的烟状斑痕     

直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究

本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响.     

单模激光场的非经典效应

本文考虑了有损耗、有吸收、有失谐以及有热场影响的四能级单模激光系统。在粗粒时间变率近似下,导出了主方程,并进行了数值计算。结果表明: 1.在一定的泵浦条件下,稳态运转的单模激光可以诱导出具有亚泊松光子统计的辐射场。     

双栅GaAs MESFET的计算机辅助测试与分析

研制了双栅GaAs MESFET的计算机辅助测试系统,可广泛应用于一般四端(或小于四端)器件.该系统包括硬件部分——四端器件直流特性的计算机读入设备FMR,和通用软件部分——FMR-BASIC.同时研制了工艺参数最优化分析程序——DGF TPOA,从而能够自动测报常规直流特性,并由所测结果按最优化技术(单纯形调优法)分析给出工艺参数n、a、L_1、L_2.