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TiCoSb-based half-Heusler compounds with the substitution of Zr for Ti have been prepared quickly by combining high-energy ball milling method with spark plasma sintering technique, and their thermal transport properties have been investigated. With the increase of the concentration of Zr, the thermal conductivity of Til-xZrxCoSb compounds decreases significantly. Compared with the thermal conductivity of TiCoSb compound, that of Ti0.5Zr0.5CoSb decreases by 200% at 1000 K.[第一段] 相似文献
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用高温熔融结合放电等离子烧结(SPS)方法合成了Sb掺杂的单相n型Ba8Ga16-xSbxGe30化合物,探索了Sb对Ga的取代对其热电性能的影响规律.研究结果表明随着Sb取代分数x的增加,Seebeck系数逐渐降低,Seebeck系数峰值对应的温度向低温方向偏移.电导率随着x的增加先增大后减小,当x=2时达到最大值.Sb取代Ga后对化合物的热性能有较大影响,其热导率和晶格热导率都有不同程度的降低.在所有n型Ba8Ga16-xSbxGe30化合物中,Ba8Ga14Sb2Ge30化合物的ZT值最大,在950 K左右其最大ZT值达1.1. 相似文献
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以Sb ,Co为起始原料 ,采用固相反应法合成了CoSb3.通过高能球磨制得CoSb3纳米粉末 ,用放电等离子烧结(SPS)方法制备出最小平均晶粒尺寸为 1 5 0nm的块体材料 .研究了晶粒尺寸与热传输性能之间的关系 :CoSb3化合物结构纳米化对其晶格热导率κL 有显著影响 ,当晶粒尺寸由微米尺度减小到纳米尺度 ,晶格热导率κL 显著降低 ,但对载流子热导率κc 的影响不甚显著 .CoSb3化合物的热导率κ随晶粒尺寸的减小而降低主要是由于晶格热导率κL 随晶粒尺寸的减小而降低所致 相似文献
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用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律.研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4.4°;当取代分数x=0,2,4时,对应样品的电导率明显高于x=1,3时对应样品的电导率,在室温附近,Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率,约为3.0×105 S/m,当x=1时,对应化合物的电导率在测试温度范围内最低;当取代分数x=0,2,4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1,3时对应样品的Seebeck系数,且随着填充分数的增加,Seebeck系数分别逐渐降低;Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能,在1000K处具有最大的功率因子1.03×10-3 W/(m·K2). 相似文献
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I-型硅基笼合物Ba8Ga16ZnxSi30-x的合成及电传输特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律. 研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变Δθ最大为4.4. ;当取代分数x=0, 2, 4时,对应样品的电导率明显高于x=1, 3时对应样品的电导率,在室温附近,Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率,约为3.0e5S/m,当x=1时,对应化合物的电导率在测试温度范围内最低;当取代分数x=0, 2, 4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1, 3时对应样品的Seebeck系数,且随着填充分数的增加,Seebeck系数分别逐渐降低;Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能,在1000K处具有最大的功率因子1.03e-3W/ (m·K2) . 相似文献
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用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律.研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4.4°;当取代分数x=0,2,4时,对应样品的电导率明显高于x=1,3时对应样品的电导率,在室温附近,Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率,约为3.0×105 S/m,当x=1时,对应化合物的电导率在测试温度范围内最低;当取代分数x=0,2,4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1,3时对应样品的Seebeck系数,且随着填充分数的增加,Seebeck系数分别逐渐降低;Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能,在1000K处具有最大的功率因子1.03×10-3 W/(m·K2). 相似文献
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用两步固相反应法合成了p型Ba填充方钴矿化合物Ba0.3FeCo3S b12,并采用放电等离子烧结法(SPS)制备了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料. 研究了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合 材料的结构及多壁碳纳米管对 其热电性能的影响规律:SEM分析表明多壁碳纳米管比较均匀地分布在Ba0.3 FeCo3S b12基体中;随着碳纳米管添加量的增加,Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳 纳米管复合材料的电导率下降、塞贝克系数略微下降、晶格热导率大幅度降低,当碳纳米管 含量为5%时其晶格热导率最小;当碳纳米管的含量为3%时,本研究得到的Ba0.3 sup>FeCo3Sb12/碳纳米管复合材料的最大ZT值达078. 相似文献
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用两步固相反应法合成了P型Ba填充方钴矿化合物Ba0.3FeCo3Sb12,并采用放电等离子烧结法(SPS)制备了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料.研究了Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料的结构及多壁碳纳米管对其热电性能的影响规律:SEM分析表明多壁碳纳米管比较均匀地分布在Ba0.3FeCo3Sb12基体中;随着碳纳米管添加量的增加,Ba0.3FeCo3Sb12/多壁碳纳米管复合材料的电导率下降、塞贝克系数略微下降、晶格热导率大幅度降低,当碳纳米管含量为5%时其晶格热导率最小;当碳纳米管的含量为3%时,本研究得到的Ba0.3FeCo3Sb12/碳纳米管复合材料的最大ZT值达0.78. 相似文献