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采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对扶手椅型(4,4)和(6,6)及锯齿型(8,0)和(10,0)C/SiC纳米管异质结的电子结构进行了研究.结果表明两类异质结结构都表现为半导体特性.扶手椅型纳米管异质结形成了Ⅰ型异质结,电子和空穴都限制在碳纳米管部分.锯齿型纳米管异质结中价带顶主要分布在碳纳米管部分及C/SiC界面处,而导带底均匀分布在整个纳米管异质结上.这两种异质结结构在未来纳米器件中具有潜在的应用价值.
关键词:
C/SiC纳米管异质结
第一性原理
电子结构 相似文献
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替代效应和渗透效应是信息通信技术对经济增长的两种表现.替代效应是科技的进步而带来产品价格下调,渗透效应是指信息通信技术对其他行业的影响.研究这两种效应实际上也就是研究如何在成本降低的前提下增加信息通信技术的功能,促进其可持续发展. 相似文献
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