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在孔穴塌缩模型的基础上,建立了计算泡沫态硅橡胶在不同初始密度下的冲击绝热线参数的理论方法。获得了泡沫态硅橡胶在两种不同初始密度下(0.52 g/cm3和0.92 g/cm3)的冲击绝热线,并与已有的实验数据进行对比分析。结果表明,建立的理论方法对于泡沫态硅橡胶的冲击绝热线计算是适用的。 相似文献
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Transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode in III-V compound solar cell
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The application of transparent conducting indium-tin-oxide (ITO) film as full front electrode replacing the conventional bus-bar metal electrode in III-V compound GaInP solar cell was proposed. A high-quality, non-rectifying contact between ITO and 10 nm N+-GaAs contact layer was formed, which is benefiting from a high carrier concentration of the terrilium-doped N+-GaAs layer, up to 2×1019 cm-3. A good device performance of the GaInP solar cell with the ITO electrode was observed. This result indicates a great potential of transparent conducting films in the future fabrication of larger area flexible III-V solar cell. 相似文献
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针对铁电薄膜/GaN基FET结构,利用数值方法研究了铁电栅材料自发极化强度PS变化对GaN基表面电子浓度nS和场效应晶体管转移特性Id-Vg的影响,给出了典型PS和εr值下跨导gm与Vg的关系。结果表明:零栅压下,nS在随PS(0~±59μC/cm2)变化时有4~6个数量级的提高或降低;当Vg=0.65V、PS为-26~26μC/cm2时,nS提高约4个数量级;负栅压下,nS因受引起电子耗尽的PS的影响而降低6~7个数量级,而PS未对Id-Vg产生明显影响,跨导gm在1V左右的栅偏压下达到最大值。这些结果对利用铁电极化和退极化可能改善新型器件性能的研究具有重要意义。 相似文献
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本文报道了氧化铟锡(ITO)分别与金属和半导体的接触电阻率。采用电子束蒸发的手段制备高质量ITO材料。薄膜电阻率为2.32×10-4 Ω?cm,可见光范围透射率为92.8%,禁带宽度为3.804 eV。采用圆点型传输线模型的方法,对ITO/金属和ITO/n型GaAs之间的接触电阻进行了分析。测得ITO与Ni之间最低接触电阻率为2.81×10-6 Ω?cm2 ,ITO与n型砷化镓之间的接触电阻低至7×10-5 Ω?cm2,这是目前所报道的最好的结果。根据以上结果,我们可以确定将ITO应用在GaAs基太阳电池中来提升器件的性能。 相似文献
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讨论了如何利用走时数据重建声波地震波或某些电磁波这类波长较长的射线慢度(波速的倒数)分布问题。首先根据费马原理,利用加权有向图求射线在给定介质中的最短传播路径,然后,基于Hopifield神经网络的联想功能,提出一种射线非直线传播的重建慢度分布的方法,计算机模拟表明,迭代是收敛的,并且能得到较好的慢度重建结果。 相似文献