罗丹明B的飞秒双光子荧光显微成像研究

利用宽带飞秒振荡器作为激发光源搭建了双光子荧光显微成像系统,在飞秒脉冲的宽带激发下,测量了罗丹明B溶液的双光子荧光光谱,开展了罗丹明B固体样品的双光子荧光显微成像研究。在双光子荧光显微成像研究中,通过调节激发脉冲的功率,分析了双光子荧光强度和激发脉冲功率之间的关系,并且利用半波片改变线偏振激发光场的偏振方向,研究了双光子荧光强度随激发脉冲偏振方向的变化趋势,实现了双光子荧光强度的类正弦调制。     

Al-Ni-Rh复杂合金相中特殊面缺陷的电子显微学研究

利用高分辨透射电子显微学方法,研究了复杂合金相ξ'-Al-Ni-Rh和ξ-Al-Ni-Rh相中一种特殊类型面缺陷.这种面缺陷的晶体学特点是,其结构特征不仅涉及描述通常晶体中面缺陷的平移矢量,而且还涉及原子团簇之间的位置交换.而后者通常出现在不具平移周期性的准晶中,称为相子缺陷.研究表明,这种特殊的面缺陷不仅呈现随机分布状态,也可周期性排列形成新的大晶胞调制结构.此外,本文还将报道与这种特殊面缺陷相关的晶界、畴界、孪晶、层错等面缺陷的研究.     

Ta2O5-TiO2调制结构和介电性能相关性

本文略述了近来用高分辨电子显微术及其模拟技术,解析Ta2O5和(Ta2O5)1-x(TiO2)x的晶体结构的进展,并揭示了(Ta2O5)1-x(TiO2)x固溶体中由于Ti离子有序占据八面体位置所形成的调制结构和介电性能之间的关联.     

硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制

本文利用反射式高能电子衍射(RHEED)、高分辨透射电镜和选区电子衍射方法,系统研究了Si(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的界面控制工艺.发现低温下Mg(0001)/Si(111)界面互扩散得到有效抑制,形成了高质量的单晶镁膜,进一步通过低温氧化法和分子束外延法实现了单晶MgO缓冲层的制备,从而为ZnO的外延生长提供了模板.在这一低温界面控制工艺中,Mg膜有效防止了Si表面的氧化,而MgO膜不仅为ZnO的成核与生长提供了优良的缓冲层,且极大地弛豫了由于衬底与ZnO之间的晶格失配所引起的应变.上述低温工艺也可用来控制其它活性金属膜与硅的界面,从而在硅衬底上获得高质量的氧化物模板.     

基于FM接收机的可变带宽频率综合器设计

本文介绍了应用在单芯片FM接收系统中可变带宽频率综合器的设计.通过同时改变电荷泵电流和滤波器的结构使锁相环的带宽发生变化,这样在不影响噪声性能(phase jitter)的前提下,锁定时间显著减小.在大电流状态下,环路带宽比锁定状态下提高了4.6倍.电路设计是采用0.6μm BICMOS工艺,仿真结果显示,在3V的电源电压下,锁定时VCO纹波电压小于0.2mV,功耗大约12mW.     

函数的逼近及其在下半连续函数可微性中的应用

通过函数的下卷积函数列的逼近方法,在变分原理中从扰动最小值点集的“大小”入手,研究了下半连续函数的可微性。     

六方柱状SiC纳米线的TEM表征

自Iijima发现碳纳米管以来，一维纳米材料（纳米管、纳米线、纳米棒、纳米带等）由于优异、有趣的性能，引起了人们极大的兴趣，对各种纳米材料的制备、结构、性能的研究已广泛地开展起来。SiC纳米线由于具有优越的力学、热学、电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性，在高温、高频、大功率、高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力，也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相，受到人们密切的关注。     

关于红外加热技术及其应用的讨论(五) 电阻炉辐射换热系统模型的研讨

本文对传统电阻炉设计的理论依据提出了初步质疑,提出了红外辐射电阻炉的换热模型和计算公式,并作了实验验证。     

12千兆赫,NF为1.8分贝的低噪声GaAsFET

据报导三菱电机的MGF-1403型是频率为12千兆赫,最低噪声系数NF_(min)为1.8分贝,功率增益高达10.5分贝的低噪声GaAsFET.同样频率下的最大有用增益MAG达14分贝.在卫星广播上使用.甚至可用在更高的Ku带(12.4—17.6千兆赫).18千兆