发射极开关晶闸管正向特性分析

本文在对发射极开关晶闸管ＥＳＴ正向特性二维数值分析的基础上，提出了ＥＳＴ正向工作时的五个区域，从剖面图及等效电路图出发，分区、分阶段对其正向特性进行了解析分析，最后将实验结果、解析分析结果及数值分析结果进行比较，发现数值分析结果和解析分析结果吻合较好，同时说明了解析结果和实验结果之间存在差别的原因。     

PSM调制电荷泵电路

跨周期调制(PSM)是一种新的DC-DC变换器调制方式，将其应用到电荷泵电路，可实现响应速度快、抗扰动性能好、负载调整率好、电磁干扰小、效率高等特性。介绍了PSM和电荷泵的基本结构，以及采用PSM调制电荷泵的基本原理。讨论了PSM电荷泵的电学特性。     

阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型

提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷(SBOC)SOI新型高压器件,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型,对阶梯数n从0到∞时的器件击穿特性进行了研究.结果表明,该结构突破常规SOI结构纵向耐压极限,使埋氧层电场从常规75V/μm提高到500V/μm以上;同时得到均匀的表面电场分布,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾,因此SBOC结构是一种改善SOI耐压的良好结构.     

从摄像头MIMO分析可见光无线通信系统

摄像头MIMO可见光无线通信系统是一种多光源输入输出的系统,通过摄像头来使无线信号接收端实现无线信号的采集,并对该信号进行图像识别,从而使n路码流恢复.根据实验结果发现,少数误码现象得到纠正,并且发送端在信号码流的发送中,接收端可以将信号准确的恢复,很好的规避了发光二极管中信号接收存在同步难与光源布局的干扰,具有可操作性特点.     

一种具有高稳定跨导的OTA设计

本文设计了一种具有高稳定跨导的运算跨导放大器(OTA)模块,并将其与经典的双极型OTA的跨导稳定性作了对比分析。在分析中,本文引入并使用了跨导的相对温度系数、跨导对电源电压的敏感度、跨导特性改善因子三项指标。三项指标的分析表明,改进的OTA的跨导在稳定性方面比经典的双极型OTA具有更好的性能。经过仿真验证,所设计的OTA具有很高的跨导稳定性。     

漂移区阶梯掺杂的双栅SOI LDMOS研究

A new double gate SOI LDMOS with a step doping profile in the drift region is proposed. The structure is characterized by one surface gate and another embedded gate under the P-body region. The broadened current flow path and the majority carrier accumulation layer on the side wall of the embedded gate reduce the specific on-resistance （Ron, sp）. The electric field distribution is improved due to the embedded gate and step doping profile, resulting in a high breakdown voltage （BV） and low Ron, sp. The influences of device parameters on BV and Ron, sp are investigated by simulation. The results indicate that BV is increased by 35.2% and Ron, sp is decreased by 35.1% compared to a conventional SOI LDMOS.     

Conductivity modulation enhanced lateral IGBT with SiO2 shielded layer anode by SIMOX technology on SOI substrate

New Lateral IGBT with SiO2 shielded layer anode on SOI substrate is proposed and discussed. Compared to the conventional LIGBT, the proposed device offers a conductivity modulation enhanced effect due to the SiO2 shielded layer anode structure which can be formed by SIMOX technology. Simulation results show that, for the proposed LIGBT, during conducting state, the electron-hole plasma concentrations in n-drift region are several times larger than that of conventional LIGBT; the conducting current is up to 37% larger than that of conventional one. The SiO2 shielded layer anode conductivity modulation enhanced effect do not sacrifice other characteristics of device, such as breakdown and switching, but is compatible to other optimized technologies.     

一种新型半绝缘键合SOI结构

报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si-Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.     

阶梯掺杂漂移区SOI高压器件浓度分布优化模型

基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构的临界电场和击穿电压进行了研究.结果表明,对于所研究的结构,一阶或二阶掺杂可以在不提高工艺难度的情况下获得足够高的击穿电压,因而可以作为线性漂移区的理想近似.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果非常吻合,证明了模型的正确性.     

阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型

提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参数的关系,其解析与数值结果吻合较好.结果表明:在导通电阻相近情况下,阶梯掺杂漂移区LDMOS较均匀漂移区的击穿电压提高约20%,改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.