开关DC-DC变换器的自适应占空比跨周期控制方法

针对脉冲跨周期调制(PSM)开关DC-DC变换器输出电压纹波较大的问题,该文提出一种新型的自适应占空比跨周期(ADPS)控制方法。在ADPS控制的变换器中,轻载下,每个周期变换器控制脉冲的占空比与该周期开始时输出电压与参考电压误差的平方根近似成正比;负载越轻,变换器的输出电压纹波越小。研究表明,ADPS控制的DC-DC变换器不仅具有比PSM控制的变换器更低的输出电压纹波,同时具有优异的鲁棒性和瞬态响应能力。     

阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析

提出了一种阶梯埋氧型SOI（SBOSOI）RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性．优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和．模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μｍ时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50％;漂移区厚度小于1μｍ时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%．     

均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型

提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式.借此模型并对阶梯数从0到无穷时器件结构参数对临界电场和击穿电压的影响进行了深入研究.从理论上揭示了在厚膜SOI器件中用阶梯掺杂取代线性漂移区,不但可以保持较高的耐压,而且降低了设计和工艺难度.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果符合良好.     

阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型

提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参数的关系,其解析与数值结果吻合较好.结果表明:在导通电阻相近情况下,阶梯掺杂漂移区LDMOS较均匀漂移区的击穿电压提高约20%,改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.     

一种宽带运放的设计及恒定跨导电路稳定性分析

介绍了一种宽带CMOS运算放大器的设计,通过对其S域传输函数的分析,设计合理的补偿办法,分析了影响电路传输函数的因素,在各种条件下研究了电路偏置的稳定性,最后得到了一种比较理想的实用偏置结构,从而极大地改善了电路的稳定性.     

一种新型高精度曲率补偿CMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准CMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过利用电压电流转换器和基区-发射区间PN结的电压电流特性,获得正比于VTln(T)的补偿量,从而实现基准源高阶温度补偿。基于CSMC 0.5-μm CMOS工艺进行流片验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到3.9 ppm/℃的温度系数,高达72 dB的电源抑制比,并且优于0.304mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗42 μA供电电流。     

一种采用全温度曲率补偿的2.2-V 2.9-ppm/℃ BiCMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准BiCMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过简单的架构产生了一种新型的指数曲率补偿和分段曲率补偿,从而实现了全温度范围内的温度补偿。基于0.6-μm BCD工艺进行验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到2.9 ppm/℃的温度系数,高达85 dB的电源抑制比,并且优于0.318mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗45 μA供电电流。带隙基准源的有效面积为260×240 μm2。     

具有双栅的部分薄膜LIGBT

本文提出一种新型的具有阴极栅和阳极栅的部分薄膜SOI LIGBT。正向导通状态下,当负压加在阳极栅上时,器件具有低导通电阻。在阻断状态下,阴极栅和阳极栅分别短接在发射极和收集极,导致高开关速度。而且,漂移区以下部分硅衬底的刻蚀避免在埋氧层下界面聚集电荷,这使得电势线可以释放到薄膜以下,因而产生高击穿电压。再有,无衬底-漏极电容使器件具有高开关速度。最后,漂移区横向均匀和线形掺杂相结合的浓度分布不仅提高了耐压,而且降低了导通电阻。与常规LIGBT相比,提出的新结构展示了高电流容量,高开关速度,低导通电阻和2倍的击穿电压。     

一种用于抑制EMI的单片数字式随机载波扩频时钟产生器

本文提出一种全集成的随机载波频率调制扩频时钟产生器,抽象出了它的解析模型并且仿真和讨论了调制参数对扩频效果的影响。该扩频时钟信号产生器利用数字化可变电流调制技术,通过直接改变时钟信号产生器中振荡电容的充/放电电流的大小来改变时钟信号产生电路输出时钟信号频率,产生扩频时钟信号。本电路避免使用难以集成的滤波器件,从而降低了芯片的面积;而用数字技术来产生扩频时钟信号具有较低的功耗和良好的鲁棒性。本文中的RCF-SSCG已经在0.5µm CMOS工艺下制造出来并用于Class D放大器,占用面积 0.112 mm2 ,功耗为9mW。实验结果验证了理论分析。     

一种基于负电阻的高输出阻抗的电流源

给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法.利用该方法,文中所提出的电流源可在不增加电源电压的前提下显著提高其输出阻抗.基于0.6μm的CMOS工艺模型,仿真所得电流源的输出阻抗可达109Ω,同时,该电流源频带宽度为1.04GHz,在-40～145℃之间,电流源的温度系数只有10.6ppm/℃.