三色碳纳米管场发射灯的研制

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到～1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm2,发射点密度从～103/cm2增加到～105/cm2.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.     

三色碳纳米管场发射灯的研制

报道了以粉末状碳纳米管为原料用丝网印刷法制备图形化的碳纳米管阴极的技术.采用热处理和氢等离子体表面处理方法提高了丝网印刷法制备的碳纳米管阴极的场发射性能,处理后阴极的阈值场强从4V/μm降到～1V/μm,场发射电流密度在4.5V/μm时达到了2.53mA/cm2,发射点密度从～103/cm2增加到～105/cm2.在此基础上,成功地设计和封装了三极管结构的三色高亮度碳纳米管场发射灯器件.     

热处理温度对MgB2超导线材临界电流密度及磁通钉扎的影响

将化学计量比为1∶2的Mg粉和B粉直接装管,采用原位粉末套管(PIT)技术制备了MgB2/Fe线材,在四个温度条件下(650℃,750℃,850℃,950℃)进行了热处理.采用四引线法测量了不同温度和磁场下线材的临界电流密度(Jc),分析了热处理温度对磁通钉扎的影响,采用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)研究了线材中MgB2超导相的微观结构.结果表明:热处理温度对MgB2/Fe线材的Jc和磁通钉扎特性有显著影响,最佳热处理温度应为750℃.     

Ce∶KNSBN晶体光扇效应的入射光强度阈值特性研究

采用非同时读出条件下的两波耦合实验装置,以单束光入射Ce∶KNSBN光折变晶体,系统研究了Ce∶KNSBN晶体中光扇效应随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化情况。结果表明异常偏振光入射晶体时光扇效应明显,且存在明显的入射光强度阈值特性,入射光强度阈值为38.2mW/cm2;相同光入射角下,稳态光扇强度随入射光强度的增强而明显变大;对应相同的入射光强度,稳态光扇强度随光入射角θ的增大而增大,当θ为15°时到达峰值,而后随θ的增大而逐渐减小。同时对光扇效应的入射光强度阈值特性以及稳态光扇强度随入射光偏振态、入射光强度、光入射角的变化作出了相应的物理解释。     

TCM-8PSK在非线性卫星信道下的误码性能研究

首先推导了TCM-8PSK信号在带限非线性卫星信道下的误码率性能。其次，运用Maflab中的动态仿真工具Simulink（仿真验证了误码率性能推导的正确性并在Saleh非线性模型下分别寻找到QPSK及TCM-8PSK的最佳工作点。最后，提出了改善非线性失真的均衡算法并给出了仿真结果。推导及仿真结果表明，研究非线性条件下的调制编码问题是十分必要的。     

MIMO系统中的天线选择技术

MIMO系统是无线通信领域的研究热点,他能够极大地提高通信系统的容量和频谱利用率。然而使用多个射频的MIMO系统增加了天线的体积、功率和硬件,从而增加了成本。因此寻找具有MIMO天线优点且低价格、低复杂度的最优天线选择极具吸引力。总结了天线选择的方案、介绍了两类关键实现算法和最新研究进展,并在性能上进行分析比较,最后指出了该技术的实际应用问题。     

L′ω1ω上的α-省略型定理及其应用

本文建立了L′_(ω1ω)上的一种α-省略型定理,并利用这一定理证明了当|T|是可测基数时的Morley猜想。     

丝状液晶膜的光—光调制放大作用

文章研究了单束和双束连续Ar~+激光照射到垂面排列的丝状液晶薄膜所产生的光调制和光放大效应。利用球面波激光束通过液晶膜所产生的空间自相位调制效应能实现光—光调制放大作用。对5CB液晶所作的理论分析与实验结果很好地符合。     

(S_(nn))~(1/2)=200GeV下Au-Au中心碰撞中Di-omega产额上限的蒙特卡罗模拟(英文)

根据现有的关于(ΩΩ)0 的生成截面的理论计算,利用HIJING事例产生器研究了(S_(nn))~(1/2)=200GeV下Au- Au中心碰撞中(ΩΩ)0 和(NΩ)022产生过程,分别对(ΩΩ)0 的电磁作用产生过程和两步产生过程中的第一步过程进行了(ΩΩ)0 产率的计算,给出了(ΩΩ)0 产额的上限,对于电磁作用过程,其产率为(1.097±0.293)×10-10 同时我们也对(NΩ)022进行了初步的模拟,初步给出了它的产率为(0.894±0.005)×10-4.