关口垭隧道塌方处理及效果分析

常张高速公路关口垭隧道右洞施工过程中连降暴雨,导致YK73+955~YK73+925段塌方,分析塌方原因后,结合工程具体情况,采用超前小导管预注浆方法处理塌方区,在处理段增设两个监测断面,从隧道收敛位移和拱顶下沉规律结果可知,超前小导管预注浆方法处理塌方区效果良好。     

磷离子注入速率对4H-SiC(0001)晶格恢复与电阻率降低的影响

高剂量的磷离子注入4H-SiC(0001)晶面，注入速率从1.0×1012到4.0×1012 P+ cm-2s-1变化，而注入剂量固定为2.0×1015 P+ cm-2。室温注入，1500oC的高温下退火。利用光荧光和拉曼谱分析注入产生的晶格损伤以及退火后的残余缺陷。通过霍耳测试来分析注入层的电学性质。基于上述测试结果，发现通过减小磷离子的注入速率，极大地减少了注入层的损伤及缺陷。考虑到室温注入以及相对较低的退火温度(1500 oC)，在注入速率为1.0×1012 P+ cm-2s-1及施主浓度下为4.4×1019 cm-3的条件下，获得了非常低的方块电阻106 Ω/sq。     

Analysis of the localization of damage and the complete stress-strain relation for mesoscopic heterogeneous brittle rock subjected to compressive loads

A micromechanics-based model is established. The model takes the interaction among sliding cracks into account, and it is able to quantify the effect of various parameters on the localization condition of damage and deformation for brittle rock subjected to compressive loads. The closed-form explicit expression for the complete stress-strain relation of rock containing microcracks subjected to compressive loads was obtained. It is showed that the complete stress-strain relation includes linear elasticity, nonlinear hardening, rapid stress drop and strain softening. The behavior of rapid stress drop and strain softening is due to localization of deformation and damage. Theoretical predictions have shown to be consistent with the exoerimental results.     

水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜

采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的.     

围绕双基,稳中求变,考查能力,推陈出新——2008年全国高考上海物理试题评析

2008年全国高考上海物理题是一份稳中求变,推陈出新,着重能力考查的好试题,试题落实"着重对考生进行能力考查"的主导思想,旨在考查学生对基础知识、基本技能的掌握程度和灵活应用所学物理知识分析、探究、解决具体问题的能力;很好地贯彻了考查知识的同时,注重考查能力,试题略偏难.考查的知识涵盖力学、热学、分子物理学、电磁学、原子物理五大扳块,重点突出主干知识.     

偏晶向(0001)Si-面衬底上4H-SiC的LPCVD外延生长

化学气相沉积（CVD）是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术. 为了获得高质量的4H-SiC外延材料，在偏向〈1120〉方向8. 的4H-SiC (0001) Si-面衬底上，利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长. 表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数，为此研究了表面形貌与工艺参数的关系，探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因. 利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象.     

可用于Ⅲ族氮化物生长的50mm 3C-SiC/Si(111)衬底的制备

利用新研制出的垂直式低压CVD(L PCVD) Si C生长系统,获得了高质量的5 0 mm 3C- Si C/ Si(111)衬底材料.系统研究了3C- Si C的n型和p型原位掺杂技术,获得了生长速率和表面形貌对反应气体中Si H4 流量和C/ Si原子比率的依赖关系.利用Hall测试技术、非接触式方块电阻测试方法和SIMS,分别研究了3C- Si C的电学特性、均匀性和故意调制掺杂的N浓度纵向分布.利用MBE方法,在原生长的5 0 mm 3C- Si C/ Si(111)衬底上进行了Ga N的外延生长,并研究了Ga N材料的表面、结构和光学特性.结果表明3C- Si C是一种适合于高质量无裂纹Ga N外延生长的衬底或缓冲材料.     

高考电学实验创新能力考查剖析

<考试说明>中对实验能力的表述为:能在理解的基础上独立完成"知识内容表"中所列的实验,明确实验目的,理解和控制实验条件;会用在这些实验中学过的实验方法;会正确使用在这些实验中用过的仪器;会观察、分析实验现象;会处理实验数据,并得出结论.     

3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性

研究了低压化学气相淀积方法制备的n- 3C- Si C/p- Si(10 0 )异质结二极管(HJD)在30 0～4 80 K高温下的电流密度-电压(J- V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1.8×10 4 ,在4 80 K时仍存在较小整流特性,整流比减小至3.1.在30 0 K温度下反向击穿电压最高可达2 2 0 V .电容-电压特性表明该Si C/Si异质结为突变结,内建电势Vbi为0 .75 V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明,并讨论了电流输运机制.该异质结构可用于制备高质量异质结器件,如宽带隙发射极Si C/Si HBT     

基于离散模型的混凝土构件破坏过程研究

刚体-弹簧元模型是一种离散化分析模型,可以反映连续体从开裂到破坏不连续过程的真实裂缝形态.论文在总结既有相关研究的基础上,引入并程序化刚体-弹簧元模型用于混凝土构件开裂破坏行为研究,特别是有关混凝土构件开裂后直至破坏的裂缝真实形态研究.首先确定了三维刚体-弹簧元模型中刚体单元的划分、弹簧元的特性(混凝土材料本构关系施加于弹簧元)、刚体单元与弹簧元装配方式、钢筋本构关系及其与混凝土相互作用,然后实现了刚体-弹簧元模型用于混凝土构件开裂破坏行为研究的程序化,并以剪切破坏的钢筋混凝土构件进行实例验证.结果表明,基于刚体-弹簧元模型的程序可以较为准确地反映该钢筋混凝土构件从开裂到破坏真实裂缝形态.