谈谈机房的雷电危害与保护措施

本文分析了雷电对机房设备的几种常见危害形式,介绍了几种保护措施,对防雷措施提出了一些想法.     

Cr∶LiSAF再生放大系统

设计了灯抽运Cr∶LiSAF(Cr∶LiSrAlF6)飞秒再生放大系统 ,对 80fs光脉冲 (展宽后约 10 3ps)进行了再生放大研究 ,获得了再生放大的输出能量与输入能量和放大倍率与放大往返次数间的关系 ,得到了 8× 10 5的放大倍率和 0 4mJ的单脉冲再生放大输出     

注BF^＋2MOS电容的电离辐射效应

着重研究了γ辐照后,不同偏置情况下,N—Sub MOS电容的高频C—V曲线随B_2~+注入剂量的变化,并对实验结果进行了分析讨论。     

(Ca,Sr)(Zr,Ti)O_3系抗还原高频介质瓷料的研究

采用固相合成法制备了(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3(简称CSZT)系电容器陶瓷材料,研究了主晶相组分对所制材料介电性能的影响。结果表明:通过调整主晶相CSZT中各组分的配比,再加入适量的烧结助剂,能得到一种可在还原气氛中烧结的高频介质瓷料,该瓷料可与镍内电极共烧,其相对介电常数约为89,介质损耗(tanδ)小于5×10–4,绝缘电阻达到1012Ω,介电常数温度系数为–1 037×10–6/℃。     

计算机视觉技术及其在电度表校验中的应用

文章对计算机视觉技术的发展现状进行了研究和分析 ,介绍了虚拟仪器开发平台Lab VIEW和图像处理软件IMAQVision 5 .0的特点 ,最后介绍了计算机视觉技术在电度表校验系统中的应用。     

大功率半导体激光器的腔面钝化

大功率半导体激光器的腔面退化是影响其寿命和可靠性的重要因素,长期以来一直是人们关注和研究的重点。本文利用离子铣结合腔面钝化还原层的方法对大功率半导体激光器的腔面进行处理。结果显示,离子铣腔面钝化能够在一定程度上减少半导体激光器的功率退化,168h加速老化后退化幅度降低4.5%;同时该技术对老化过程中COD阈值降低有明显的抑制作用,可有效减少使用中的突然失效。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。     

[110]/(001)单轴应力对硅价带结构及空穴有效质量的影响

采用K.P微扰法研究了当硅在[110]/(001)方向受一单轴应力作用时, 应力对硅价带结构及有效质量的影响。结果表明：硅在压应力作用下的价带分裂能要大于同样大小的张应力作用下的价带分裂能;在常见的几种晶向中,有效质量沿[110]晶向是最小的。从抑制带间散射,减小有效质量增强迁移率的角度考虑,沿应力方向的[110]晶向最适宜作为载流子的输运方向。所获得的结论可为单轴应变硅器件应力及导电沟道方向的选择设计提供理论参考。     

基于灰色关联模型的作战效能影响因素分析

复杂电磁环境下,准确分析各种影响因素对电子装备作战效能的影响程度具有重要意义。针对统计方法不适用于数据样本少的的情况,利用灰色关联分析的方法,建立数据的灰色关联模型,结合实例对多种因素依据其与作战效能评估指标的关联程度进行排序,从中查找制约作战效能发挥的主要因素以指导装备实际的运用,分析结果与专家组评定基本符合。该方法在实践中已得到应用。     

模具表面的PVD改性

<正> 前言 提高模具的耐热、耐磨以及耐腐蚀性能通常指个两方面的工作。其一是对模具基体的热处理;其二是对模具表面的改性处理。模具表面改性的方法较多,有氮化、碳化以及氧化等化学处理方法,有化学气相沉积(CVD)法和物理气相沉积(PVD)法等镀膜的方法。PVD法是能够在工具钢(高速钢、模具钢)的回火温度下,在金属表面上沉积一层硬质膜的方法。特别是近几年发展起来的多弧离子镀沉积法,克服了以前离子镀的缺点和不足,使膜与基体的附着力显著提高。本文想介绍一些用PVD法得到的膜层的基本特性和在切削工具以及模具中的应用例子。     

4H-SiC MESFET的新型经验电容模型

基于器件工作机理,提出了一种新型的4H-SiC MESFET经验大信号电容模型。模型参数提取采用Lev-enberg-Marquardt优化算法,提取的模型主要参数具有一定物理意义。C-V特性的模型模拟结果与实验数据的比较表明两者符合良好。该模型还与CAD工具的通用电容模型进行了比较,结果表明新模型具有更高的精度。