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971.
含椭圆形夹杂的压电材料平面问题 总被引:3,自引:0,他引:3
应用复变函数的Faber级数展开方法,本文研究了含椭圆形夹杂的压电材料平面问题,给出了问题的封闭解·解答表明,椭圆夹杂内的应力、应变、电场强度和电位移均为常量·通过算例,还讨论了正、逆压电效应在基体孔周处的机电行为· 相似文献
972.
973.
本文给出高压功率晶体管的纵向结构设计,可以为器件的工艺设计提供依据,以及选择实施的工艺方案。 相似文献
974.
975.
976.
977.
一、前言最近随着超LSI研制工作的进展,亚微米加工技术引起了人们的普遍重视。从目前看,用于电子计算机的LSI,每片上的器件数比以前增加了2倍,今后还将继续增加。按这种增加速度到1980年,每一芯片上的器件数将达到10~6甚至超过10~7个。要把这样大数量的器件高密度地集成在一个芯片上,就要扩大芯片面积同时器件自身也需要进一步微细化,这样就要进行亚微加工。另外光1C,表面波器件,磁泡器件,超高频晶体管等也需采用微加工技术。 相似文献
978.
一、概况 平视显示武器瞄准系统(HUD/WACS)是一种不同于陀螺光学瞄准具的新型先进火控系统,它采用了阴极射线管和数学计算机,能产生多种显示符号,适用多种武器,多种攻击方式,计算精确,瞄准精度高,因此,它已成为评价当代高性能战斗机采用新技术的重要标志之一。从六十年代后期 相似文献
979.
980.
采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子力显微镜结果显示高阻GaN的表面非常平整,表面粗糙度只有0.15nm.在位激光检测发现高阻样品的成核层经过退火后会形成密度较高的成核岛.样品的X射线分析结果表明,随着退火压力的改变,刃型位错相对于螺型位错会有较大变化.说明刃型位错是GaN电阻变化的主要原因. 相似文献