基于MXene的应变纤维传感器制备及其表征

高灵敏度、宽感应范围的柔性力敏传感器是当前柔性传感领域的重要需求。我们通过将MXene覆盖在氨纶包覆纱纤维表面,制备了一种新型的氨纶纤维应变式电阻传感器。该传感器能将拉伸应变转换成传感器内部导电通道的断裂和重组,进而引起电阻变化。对传感器的拉伸性能和应变传感性能进行检测,检测结果显示,提出的传感器较宽的应变范围、较好的稳定性和可重复性、较高的灵敏度。该传感器在0%~40%、40%~50%的应变范围下,传感器的灵敏度分别约为5.82、46.61,且能够稳定地监测手指的弯曲和伸展运动,在未来的可穿戴电子产品中具有潜在的应用价值。     

N,N'-二(二乙氧基硫代磷酰基)-1,4-苯二胺的合成、晶体结构及热性能研究

通过二乙氧基硫代磷酰氯与对苯二胺反应生成了标题化合物N,N'-二(二乙氧基硫代磷酰基)-1,4-苯二胺，并应用元素分析, FTIR及¹H NMR对标题化合物进行了表征. 利用X射线单晶衍射测定了其晶体结构, 同时应用TG分析法对其热性能进行了分析. 标题化合物的相对分子质量M_r＝412.42, 为正交晶系, Pbca空间群, 晶胞参数为a＝0.86936(16) nm, b＝1.2787(2) nm, c＝1.8897(3) nm, β＝90°, V＝2.1006(7) nm³, Z＝8, D_c＝1.304 g/cm³, μ(Mo Kα)＝0.425 mm^－1, F(000)＝872, S＝1.052. 最终偏离因子R＝0.0628, wR＝0.1860, 可观测衍射点1852个[I＞2σ(I)]. 该晶体通过对苯二胺连接并以中心对称分布, 并形成层状结构, 且存在弱的分子内氢键N—H…S. TG分析表明该化合物有很好的热稳定性及成炭性, 通过其阻燃聚丙烯腈表明, 该物质是一种高效能的膨胀型阻燃剂.     

关于化学位移定义式的有关问题

在有关核磁共振技术的大学教材和专著中,给出了以下几种不同形式的化学位移(δ)定义式: δ=v_(样品)-v_(标准)/v_(标准)×10~6(1) δ=H_(样品)-H_(标准)/H_(标准)×10~6(2) δ=H_(标准)-H_(样品)/H_(样品)×10~6(3) δ=(1)式=(3)式(4) δ=(v_(样品)-v_(TMS))Hz/核磁共振仪所用频率MHz核磁共振仪所用频率MHz(5) 几种不同形式定义式的出现,对教学和自学造成了一定的困难.因为存在以下三个问题需要理解: 第一:以磁场强度(H)出发的定义式(2)和(3),为什么分子中相应各项的下标是相反的? 第二:以磁场强度(H)出发的定义式(3)和以频率(v)出发的定义式(1),分子中相应各项的下标也是相反的,为什么这两个式子是相等的(即(4)式)? 第三:若(4)式成立,为什么实际工作     

一种有机质谱谱图的库检索新算法

一种有机质谱谱图的库检索新算法律祥俊，林少凡，张金碚，张法义（南开大学中心实验室，天津，３０００７１）关键词检索，算法，质谱，数据库利用计算机匹配技术识别有机质谱谱图中的库检索方法仅需用低分辨质谱图即可识别未知化合物，似为最成功的方法［１～３］．质谱...     

邻硝基苯丙酮酸乙酯烯醇钾的合成和乙醇钾的制备新方法研究

邻硝基苯丙酮酸乙酯烯醇钾的合成和乙醇钾的制备新方法研究张本才，李宝林，李安祥（陕西师范大学化学系，西安７１００６２）邻硝基苯丙酮酸乙酯烯醇钾用作合成邻硝基苯甲醛（一种难于合成的重要化工原料，主要用来生产硝苯吡啶等药物）的关键中间体早有报道￣［１，２］...     

反相悬浮聚合法合成超强吸水剂

以两性高分子作悬浮稳定剂，用反相悬浮聚合法合成了聚（丙烯酸盐－丙烯酰胺）类超强吸水剂．研究了交联剂、稳定剂、引发剂等用量、中和程度、单体组成及链转移剂等聚合条件对吸水剂吸水性能的影响．得到了吸蒸馏水１０５０ｍＬ／ｇ及吸０．９％ＮａＣｌ溶液８６ｍＬ／ｇ的超强吸水剂．此外，还比较了含不同反离子的聚丙烯酸类吸水剂的吸水性能     

稀土铁氧体／聚丙烯酰胺磁性复合微球的响应性研究

在W／O微乳液体系中，制备了稀土铁氧体／聚丙烯酰胺磁性复合微型，并利用磁天平法对其磁响应性进行了研究。结果表明：复合微型的磁响应性与稀土离子磁矩有关，高磁矩稀土离子Dy^3 的加入能够较大地改善复合微型的磁响应性；镝铁氧体／聚丙烯酰胺磁性复合微球的磁响应性与镝含量有关，当n(Dy^3 )：n(∑Fe)=0．20时微球磁响应性最强。     

中国智能制造崛起尚需时日

从核心技术总量、企业创新能力甚至是市场需
　　求等方面看，中国智能制造业与国外相比仍有较大的差距。毕竟发达国家目前的水平是经历数十年积累的，中国只是刚刚起步，想要超越自然不能一蹴而就。随着中国政府和企业对高端技术的研发力度日益加强，持续高投入的研发势必会提升中国在高端智能制造领域的竞争力。     

Fabrication of 4-Inch Nano Patterned Wafer with High Uniformity by Laser Interference Lithography

We report the fabrication of 4-inch nano patterned wafer by two-beam laser interference lithography and analyze the uniformity in detail. The profile of the dots array with a period of 800 nm divided into five regions is characterized by a scanning electron microscope. The average size in each region ranges from 270 nm to 320 nm,and the deviation is almost 4%, which is approaching the applicable value of 3% in the industrial process. We simulate the two-beam laser interference lithography system with MATLAB software and then calculate the distribution of light intensity around the 4 inch area. The experimental data fit very well with the calculated results. Analysis of the experimental data and calculated data indicates that laser beam quality and space filter play important roles in achieving a periodical nanoscale pattern with high uniformity and large area. There is the potential to obtain more practical applications.     

极端低温下硅基器件和电路特性研究进展

讨论了在极端低温下,硅基半导体在器件级和电路级特性的研究进展。在器件级,分析了极端低温下体硅器件和SOI器件常规电学特性的异常变化,讨论了一些只在极端低温下出现的特殊效应,如载流子冻结效应,阐述了极端低温下提取器件参数的方法。在电路级,分析了极端低温下反相器、CMOS运算放大器和DRAM的性能相对于常温下的变化,对比了极端低温下不同结构的电路在性能和稳定性方面的差异。最后,介绍了国内外相关研究领域的现状,并提出了未来极端低温微电子技术的发展方向。