HPLC法测定红景天除鞣质后红景天苷含量的变化

建立测定红景天溶液除鞣质前后红景天苷含量变化的HPLC法。采用Thermo-C18(4.6 mm×200 mm,5μm)为色谱柱,V(甲醇)∶V(水)=15∶85为流动相,流速1.0 mL/min,检测波长275 nm,柱温25℃。红景天苷的线性范围为1.16~5.8μg;平均回收率分别为100.16%(RSD=0.62%)。所建立的HPLC法可用于测定红景天中红景天苷的含量。     

用于微重力试验的气磁混合悬吊单元研制

传统被动式跟随悬吊法应用中摩擦干扰力大的问题影响了微低重力试验的精度,本文中结合悬吊法和气浮法的优点,利用气体轴承极低摩擦力的特点,设计了一款气磁混合悬吊单元原理样机,以提高被动式跟随悬吊法微低重力试验的精度.首先介绍了气磁混合悬吊单元的工作原理,对气磁模块的布局方案进行了初选,选择了环形气体止推轴承与中央磁吸力单元组合的结构形式.设计了独特的永磁-电磁模块,并对其电磁吸力特性进行了分析,分析结果显示在气隙厚度为0.65 mm左右时,磁力能够保持在2 kN左右,得到了0.3～1.0 mm气隙长度下混合磁单元的磁力及刚度变化曲线.气体止推轴承采用大块多孔石墨作为节流器,能够在较小的空间尺寸中实现最大的承载能力,应用有限元方法对多孔质气体轴承的承载能力进行了分析,并进行了网格无关性分析,确定了计算模型的规模.对供气压力和渗透率等主要参数的影响规律进行了分析,分析结果显示选定的工作参数可在20μm气膜厚度下实现2 kN的承载.完成了气磁混合悬吊单元的结构设计,并试制了3台样机.针对气浮轴承进行了多孔材料渗透率测试.针对气磁混合悬吊单元,考虑到测试的安全性,设计了倒扣拉力法试验装置进行了气磁混...     

光纤陀螺信号处理电路中FPGA与DSP的接口方法研究

通常在有FPGA(Field Programmable Gate Array)和DSP(Digital Signal Processor)参与的数据采集处理系统中,正确地解决它们之间的接口是个非常重要而且必须面对的问题.针对闭环消偏光纤陀螺信号处理中既要实现对快速A/D采样数据进行滤波,同时又能保证光纤陀螺能够实现闭环控制以及具有一定的带宽,以光纤陀螺(FOG)信号滤波处理电路中FPGA和DSP的接口问题为例,探讨了三种不同的接口方案的设计思路、优缺点及其适用情况,考虑到光纤陀螺信号处理及其滤波电路的具体情况,最后选择利用FPGA内部的FIFO(First In First Out)数据缓冲器实现FPGA与DSP的接口方案,它实现了逻辑芯片FPGA和数字信号处理器DSP之间无缝连接,大大提高了DSP的使用效率,解决了数据采集和数据处理(数字滤波)之间相冲突的矛盾.     

黑龙江省通信管理局十条措施落实省政府第二十三次专题会议精神

4月28日,省政府第二十三次专题会议结束后,黑龙江省通信管理局立即组织全省通信行业逐条逐项、认真贯彻落实会议精神和要求.     

对外协调 对内自律 宣传国策 保障发展 黑龙江省市（地）通信管理办公室有效发挥作用推进“宽带中国”战略深入实施

9月4日至5日,黑龙江省通信管理局在哈尔滨市召开地市通信管理办公室座谈会,就推进落实“宽带中国”战略,研究解决制约通信基础设施建设的关键性问题进行了研究讨论,省通信管理局局长刘茂先、副局长梁作君、姚家康,各基础电信运营企业省公司主管副总经理,各地通信管理办公室主任及相关人员80余人参加了会议.     

黑龙江省通信管理局十条措施 落实省政府第二十三次专题会议精神

正4月28日,省政府第二十三次专题会议结束后,黑龙江省通信管理局立即组织全省通信行业逐条逐项、认真贯彻落实会议精神和要求。一是召开了行业落实省政府第二十三次专题会议协调会,主动走访省环保厅、省住建厅、省财政厅、省工信委、省科技厅等厅局,深入哈经开区、大庆高新区、绥化现代信息服务业试点考察调研,了解产业发展现状,建立和     

结构安定分析的Galerkin边界元方法

基于Melan静力安定定理,利用Galerkin边界元方法建立了多组交变载荷作用下结构安定分析的下限计算格式.在给定载荷域的载荷角点所对应载荷作用下,采用Galerkin边界元法计算相应的虚拟弹性应力场,并且利用结构在Galerkin边界元弹塑性增量计算中同一增量步中不同迭代步之间的应力差作为自平衡应力场的基矢量,通过这些基矢量的线性组合构造了自平衡应力场,大大降低了所形成的数学规划问题的未知变量数.并通过复合形法对非线性规划问题直接进行求解,得到了结构在交变载荷作用下的下限安定乘子.计算结果表明,所采用的方法具有较高的精度和计算效率.     

沉积预制层衬底温度对CIGS薄膜结构特性的影响

采用三步共蒸发工艺在玻璃衬底上制备CIGS薄膜, 研究沉积预制层的衬底温度对CIGS薄膜 结构特性的影响。薄膜的厚度、组份、晶相结构、表观形貌和电学特性分别由台阶仪、X射 线荧光光谱(XRF)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)和霍耳效应测量仪来表征。沉积 预制层的衬底温度 较低(如300℃)时,预制层中Ga含 量较低,容易形成In₂Se₃相;而衬底温度较高(如400℃) 时,预制层中Ga含量较高,容易形成(In,Ga)₂Se₃相;原因是Ga₂Se₃的形成焓(－462.4kJ/mol)比In₂Se₃的(－360kJ/mol)低,没有In₂Se₃稳定;In₂Se₃相比Ga₂S e₃相更容易稳定存在,尤其是在低温下;当温度较高 时,Ga₂Se₃相也容易存在,与In₂Se₃一起形成(In,Ga)₂Se₃固溶体。而且,衬 底温度较高(如400℃)时,沉积 的CIGS薄膜中的Ga含量比其它两种衬底温度下沉积的薄膜都高,薄膜粗糙度较小,迁移率和 载流子浓度都比较大,电阻率较小。     

黑龙江省通信管理局召开会议专题部署防汛通信保障和安全生产工作

8月14日,黑龙江省通信管理局召开会议专题部署防汛通信保障和安全生产工作,局长刘茂先、副局长梁作君,省内各基础电信运营企业相关领导和人员参加了此次会议。