首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   462篇
  免费   44篇
  国内免费   64篇
化学   60篇
晶体学   3篇
力学   4篇
综合类   2篇
数学   40篇
物理学   104篇
无线电   357篇
  2024年   2篇
  2023年   5篇
  2022年   9篇
  2021年   10篇
  2020年   5篇
  2019年   12篇
  2018年   11篇
  2017年   8篇
  2016年   11篇
  2015年   9篇
  2014年   18篇
  2013年   17篇
  2012年   15篇
  2011年   39篇
  2010年   40篇
  2009年   29篇
  2008年   19篇
  2007年   4篇
  2006年   7篇
  2005年   27篇
  2004年   22篇
  2003年   34篇
  2002年   17篇
  2001年   16篇
  2000年   27篇
  1999年   16篇
  1998年   17篇
  1997年   24篇
  1996年   23篇
  1995年   16篇
  1994年   25篇
  1993年   14篇
  1992年   5篇
  1991年   7篇
  1990年   2篇
  1989年   3篇
  1988年   1篇
  1987年   2篇
  1986年   1篇
  1983年   1篇
排序方式: 共有570条查询结果,搜索用时 15 毫秒
171.
区分家人与客人的门铃张晓东该门铃能够用不同声响区分出叫门者是家人还是客人。当客人来访按一般习惯按下门口的按钮开关时,它便发出带有余音的“叮咚"双音声;当家人归来按事先约定连续快速地按开关3、4次时,门铃即发出清脆悦耳的鸟鸣声。整个门铃制作成本不超过1...  相似文献   
172.
173.
维生素B12模型分子侧链钴-氮键稳定性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
维生素B12(VB12)模型分子[单腈六甲基-N-(3-咪唑基)丙酰胺钴啉酯高氯酸盐4b-4f],在甲醇溶液中用酸性缓冲溶液处理生成5b-5f.通过测定不同pH的缓冲溶液中的UV-Vis谱,计算了Co-N键的平衡常数,侧链氮原子与中心钴离子配位键的强弱次序为4d>4f>4c>4e>4b.  相似文献   
174.
关于HADAMARD不等式的注记   总被引:11,自引:0,他引:11  
本文主要研究一类F-矩阵的性质,这类矩阵包含对称半正定矩阵,完全非负矩阵,τ矩阵和M-矩阵为其子类。我们不仅对F-矩阵改进了Hdamard不等式,而且证明对此类矩阵Hadamard不等式成立等式的充要条件是它的每条对角线,除主对角线外,都含有零元。  相似文献   
175.
N—取代吡咯烷酮乙酰胺的合成   总被引:1,自引:0,他引:1  
冯亚青  张晓东 《合成化学》1996,4(3):254-256
  相似文献   
176.
本文介绍的TX982型微波探测器也叫雷达探测模块、人体探测器,TX982内部包含了微波发射、接收及信号放大、识别等电路,能够以非接触形式探测出周围一定范围内的运动人体或物体,并转换成高电平信号输出;它具有探测灵敏度高、作用范围大、可靠性能好、安装使用简便等优点,是设计和  相似文献   
177.
178.
张晓东 《家庭电子》2003,(11):19-19
本文介绍的无线编码遥控组件由固定式远距离稳频发射器T94W4及宽带接收模块T2068CK组成。其操纵通道有4位(最多可扩展为16位),发射器内部采用高品质专用声表面波谐振器SAW稳定频率,通过地址和数据加密方式传递遥控信号,在开阔地有效控制距离达800m,可广泛应用于高性能、严要求的各种固定式远距离遥控或防盗报警  相似文献   
179.
180.
An 80-nm gate length metamorphic high electron mobility transistor (mHEMT) on a GaAs substrate with high indium composite compound-channels In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As and an optimized grade buffer scheme is presented. High 2-DEG Hall mobility values of 10200 cm2/(V· s) and a sheet density of 3.5 × 1012 cm-2 at 300 K have been achieved. The device's T-shaped gate was made by utilizing a simple three layers electron beam resist, instead of employing a passivation layer for the T-share gate, which is beneficial to decreasing parasitic capacitance and parasitic resistance of the gate and simplifying the device manufacturing process. The ohmic contact resistance Rc is 0.2 Ω ·mm when using the same metal system with the gate (Pt/Ti/Pt/Au), which reduces the manufacturing cycle of the device. The mHEMT device demonstrates excellent DC and RF characteristics. The peak extrinsic transconductance of 1.1 S/mm and the maximum drain current density of 0.86 A/mm are obtained. The unity current gain cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (fmax) are 246 and 301 GHz, respectively.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号