PECVD法制备SiOxNy膜I—V特性和击穿机理的测试分析

对等离子体增强化学汽相淀积法制成ＳｉＯｘＮｙ，薄膜组成的ＭＩＳ结构样品，由集成测试系统测量Ｉ－Ｖ特性，用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ｉ－Ｖ特性的击穿机理。探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例，反应室气压，衬底工作温度的变化关系。     

光电成像系统激光防护技术研究进展(特邀)EI北大核心CSCD

随着激光技术的迅速发展,激光武器装备日益增多,广泛应用各个领域的光电成像系统被激光致盲或致眩的概率骤增,信息获取能力急剧下降,因此,光电成像系统激光防护技术研究变得越来越重要。简要介绍了基于线性材料和非线性材料的光电成像系统激光致盲防护技术的机理及局限,重点阐述了以二氧化钒为代表的基于相变材料的激光致盲防护技术的机理、制备方法和应用进展,详细分析了基于计算成像的激光致盲防护技术的机理和初步应用探索,结合激光致盲与致眩的关系补充说明了研究光电成像系统激光致眩防护技术的必要性和可行性,最后总结了光电成像系统各种激光防护技术的优缺点以及未来发展方向。     

基于激光超声的管道缺陷定量表征方法研究

为利用激光超声技术实现管道缺陷的定量表征,应用有限元方法分析被激光辐照金属管道表面产生的超声波与管道缺陷相互作用的过程。通过传播图像探究超声波在传递过程中的模式转换,在远场激发的方式下,分别探讨不同高度、宽度以及角度的缺陷对激光超声波的影响,结合接收点的位移信号分析超声波与缺陷作用的复杂过程,并应用惠更斯原理分析其产生的原因,最后提出一种管道缺陷定量表征的方法。通过试验研究对理论结论进行验证。试验研究和理论结论表明,缺陷位置可通过表面波遇到缺陷后产生反射回波信号的接收时间定量表征,缺陷深度可通过缺陷底部产生反射表面波信号的接收时间定量表征,缺陷角度可通过缺陷底部表面波转化纵波信号的接收时间定量表征,为逆向推算缺陷的尺寸奠定了理论基础。     

高速TIADC采集系统中数字下变频电路设计

分析了数字下变频的原理,设计实现了能进行1、2、4、8等可选抽取倍数的高速数字下变频系统。对系统中的混频器和滤波器进行了优化设计。采用基4布斯编码和4-2压缩器,缩短混频器中的关键路径;引入基于Horner法则和子表达式共享的正则有符号数(CSD)编码,减小滤波器的硬件消耗。设计的数字下变频系统用于四通道、560 MHz 14位时间交织模数转换器(TIADC),并基于FPGA完成功能验证。结果表明,当输入信号频率为380 MHz、抽取倍数为8时,I/Q两路信号的无杂散动态范围(SFDR)在90 dB以上。     

红外晶体等距恒速单点金刚石车削

单点金刚石车削技术广泛应用于红外脆性晶体材料光学表面的加工。然而,受车削参数、材料特性、刀具参数等多因素的影响,将会导致车削表面质量的不均匀。为了获得更为均匀优质的表面质量,在分析单点金刚石车削影响因素的基础上,提出了等距恒速的车削方法。详细介绍了等距恒速车削的原理,分析了车削参数的确定过程,得到了等距恒速车削的工件转速和进给速度曲线。最后应用一CVD ZnS材料进行了车削试验,获得了该材料车削最佳的线速度,应用此参数进行车削,得到了均匀优质的车削表面,整体表面粗糙度由Ra=6.4 nm降低到了Ra=4.1 nm。     

基于深度学习的智能停车车位检测

智能停车系统中车位检测易受天气变化、障碍物遮挡和背景干扰等影响而导致车位检测准确率降低,为了解决该问题,文中研究了基于深度学习的停车场车位占泊检测技术.首先,给出了基于改进YOLO的单车位检测算法,其把YOLO网络每层的输入归一化处理以有效避免过拟合,且把全连接层替换为全卷积层以提取多种尺寸输入的特征;然后,研究了基于改进SSD的多车位检测算法,其采用优化的ResNet网络替换原SSD的VGG网络为且优化了激活函数.实验和测试结果表明,所提方法能够有效提高单/多车位检测准确率.     

快速热氮化的SiO_xN_Y膜界面特性的DLTS研究

用深能级瞬态谱技术研究了快速热氮化SiO_xN_y膜界面态密度及界面态俘获截面特性,分析了Si/SiO_xN_y界面的DLTS理论,结果表明,快速热氮化SiO_xN_y膜的界面态密度随禁带中能量呈现“U”形分布,该种薄膜界面态俘获截面在禁带中的能量分布近似呈现指数规律,且禁带中央附近的界面态俘获截面比价带顶附近的俘获截面大得多,影响微电子器件电学特性的界面态主要仍是禁带中央附近的界面能态。结果还给出了DLTS技术与雪崩热电子注入法测试SiO_xN_y膜界面态密度能量分布的比较,得到两种不同方法的研究结果基本一致。文中并对实验结果进行了分析与讨论。     

220kV变电站中刀闸接触缺陷对断路器保护的影响

以一例220kV变电站中出现的刀闸接触缺陷为背景,分析这种缺陷与断路器保护之间存在的关系.文章发现在刀闸接触存在缺陷期间,失灵保护功能与死区保护功能均无法在断路器中得以正常运行,正确动作失真,如无妥善解决,则可能引发事故的进一步扩大.为解决刀闸接触缺陷问题,本文提出具体解决措施,以杜绝此类问题再次出现.     

移动终端国际认证要求

随着移动终端国际认证标准的日新月异,为了使移动终端制造商和相关认证检测实验室更加明确主流的国际认证标准和流程。本文结合具体实际情况,以手机为例,详细的介绍了移动终端国际认证的具体要求。     

超高密度信息存储／分子存储及其存储机理

在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信号存储,存储点的大小在1．3nm左右,存储点间距为1．5nm,相应的存储密度为10^13bits/cm^2,实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化。