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71.
我们研究了GaxIn1-xP:N(x=0.99,0.98,0.96)的发光光谱,用Ar+离子激光器的458nm线激发。N的浓度为5×1017cm-3。图1示出了在6K下Ga0.99In0.01P:N的发光光谱。Mariette和Chevallier[1,2]以及Nelson和Holonyak,Jr[3]。认为Nx0带起源于束缚在孤立N中心上激子的辐射复合。 相似文献
72.
1983年7月8日,应长春物理所徐叙瑢所长的邀请,学部委员、中国科学院半导体研究所所长黄昆教授在长春物理所作了题为“由一个发光现象引起的若干理论研究”的报告。报告深入浅出,既深刻又生动,它反映了黄昆教授严谨的治学态度和恢谐的作风。报告会以后,反应强烈,与会者一致认为听了黄昆教授的报告既扩大了知识面,又学到了黄昆教授丰富而敏锐的学术思想。 相似文献
73.
Photoemission measurements have been carried out for Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+δ system with conventional x-ray photoemission spectroscopy for core-level spectra and synchrotron radiation photoemission spectroscopy for valence band. With Sn doping, all core levels shift differently in binding energy, and the intensity near fermi energy becomes smaller in valence hand. From the experiment, we can deduce that the shifts of all core levels and valence hands may involve some other mechanisms, such ms electrostatic effects, in addition to binding energy referencing effects. We argue that the chemical environment plays a crucial role in the electronic structure of high-temperature superconductors. 相似文献
74.
简要介绍了中国科学技术大学合肥国家同步辐射实验室的运行情况、开展同步辐射应用研究的现状和今后的发展计划。同时还介绍了同步辐射研究的发展趋势,对有可能取得重大突破的几个方面作了估计。 相似文献
75.
利用同步辐射光电发射研究了Cr/GaAs(100)界面形成和结构.室温下,当Cr覆盖度低于0.2nm时,Cr与GaAs衬底的作用很弱,没有反应产物生成.覆盖度高于0.2nm时,开始发生界面扩散和反应,As原子与Cr生成稳定的CrAs化合物,而Ga原子则与Cr形成组分变化的CrGa合金相,并居于界面处.提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应,引起表面偏析As的出现.芯能级谱的结合能与强度分析表明,反应产物可作为有效的势垒(化学陷阱),阻止衬底的Ga的外扩散.此外还比较了Cr与GaAs(100)及GaAs 相似文献
76.
77.
实验中发现,氮掺杂的GaP和Ga(As,P)的发射光谱的零声子带和声子伴带的热猝灭过程是不同的.声子伴带的热猝灭非常强烈地依赖于激子声子耦合.我们提出了一个激子声子复合体((N-激子)—声子)模型. 相似文献
78.
79.
用发光动力学的分析方法,研究了Ⅲ—Ⅴ族化合物中N束缚激子的发光强度与温度的关系,得到的理论公式与实验结果符合得较好。我们的分析指出,由于无辐射能量传递的存在,束缚激子的△J=2跃迁的发光效率低于△J=1跃迁的发光效率,致使低温(T<50K)下束缚激子的发光强度可能随温度的下降而变弱。另外,N杂质对自由激子再俘获的可能性的大小直接影响束缚激子发光的热猝灭过程:束缚激子可能因热离解成自由激子或自由的电子和空穴。我们找到了区分这两类情况的条件。 相似文献
80.
同步辐射激发直接光化学刻蚀是近年来发展的一项新技术 ,它不需要常规光刻中的光刻胶工艺 ,用表面光化学反应直接将图形写到半导体材料的表面上。由于所用的同步辐射在真空紫外 (VUV)波段 ,理论上的分辨率可以达到电子学的量子极限 ,且没有常规工艺中的表面损伤和化学污染 ,是一种非常具有应用潜力的技术。本文的最后部份重点讨论了与上述技术密切相关的VUV和软X射线激发的表面光化学反应机理。 相似文献