MOCVD—InP的低温光致发光光谱

包括深中心发光在内的MOCVD-InP的低温光致发光光谱,表明了非故意掺杂外延层较高的纯度,初步判別了可能引入的杂质,并证明了电学测量与光学测量的一致性。     

中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究

采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法，研究了中性(NH₄)₂S溶液钝化GaAs(100)表面，并与常规(NH₄)₂S碱性溶液钝化方法进行了比较- SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键，Ga的硫化物有好的稳定性-称量法表明该方法有更低的腐蚀速率-SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少，直径小- 关键词：     

固体表面结构的同步辐射研究X射线吸收近边结构（XANES）

表面x-射线吸收近边结构是与团体表面原子的内壳层的电子向未占据轨道跃迁密切相关的。吸收边阈值之上的大约50eV的低能范围的潜图结构含有与吸收原子近邻的局域结构和局城电子态相关的信息。因此它已经成为研究固体表面局域特性，诸如同城几何结构，键长和键角的有用工具．为了和实验的表面XANES谱一致和对实测XANES谱进行解释，已经发展起来多种XANES的理论计算方法，比较成功的有能带结构近似理论和多原子体系的多重散射理论近似方法．在本文中，还简要介绍了利用同步辐射进行表面XANES实验的技术要求和相关方法的比较，并给出了若干实例说明表面XANES在固体表面结构研究方而的应用．     

Ga_(1-x)Al_xAs Raman散射的共振和反共振

本文着重研究了Ⅲ—Ⅴ族混晶半导体Ga_(1-x)AlAs Raman谱在不同温度下的多级共振行为。分析了二级及多级声子谱增强及产生的物理原因,从一个新的侧面证实了激子-LO声子复合体作为Raman散射中间态存在的可能性。同时,还从Raman散射张量出发,对近共振条件下TO声子的消失进行了讨论。     

稀土发光的一些特性

本文总结了近期发表的文章中的实例和作者所在实验室的研究工作,并确定了基质、激活剂和杂质的作用,特别研究了某些激活剂的浓度效应以及杂质对激活剂Eu在YVO_4和Y_2O_3基质中辐射的影响。     

LECTRONIC STRUCTURE STUDIES OF Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+δ SYSTEM

Photoemission measurements have been carried out for Bi₂Sr₂CaCu_2-xSn_xO_8+δ system with conventional x-ray photoemission spectroscopy for core-level spectra and synchrotron radiation photoemission spectroscopy for valence band. With Sn doping, all core levels shift differently in binding energy, and the intensity near fermi energy becomes smaller in valence hand. From the experiment, we can deduce that the shifts of all core levels and valence hands may involve some other mechanisms, such ms electrostatic effects, in addition to binding energy referencing effects. We argue that the chemical environment plays a crucial role in the electronic structure of high-temperature superconductors.     

Bi2Sr2CaCu2-xSnxO8+δ系列 超导体的XRD和XPS研究

实验研究了Bi₂Sr₂CaCu_2-xSn_xO_8+δ 的X射线衍射(XRD)和光电子能谱(XPS).实验发现随着掺杂(Sn)量的增加,晶格参数a 和c都有所变化,O1s和Cu2p芯能级谱也发生了变化.实验结果表明： 在低掺杂量时,Sn主要 呈二价态;而在高掺杂浓度时呈四价态;掺Sn对超导电性的影响与其他元素的掺杂不同.这 些实验结果支持化学环境在高温超导样品的电子结构中起着重要作用的结论. 关键词： Bi系超导体 掺杂 X射线衍射 光电子能谱     

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了使用CH3CSNH2硫钝化的GaAs(100)表面铁超薄膜的电子结构和磁性.实验结果表明,硫钝化能阻止As向铁薄膜层的扩散,减弱As和Fe的相互作用并增强了在GaAs(100)表面生长的铁超薄膜的磁性.     

电镀法制作活动微结构的牺牲层工艺

报道了一种采用电镀方法制作活动微结构的牺牲层工艺，该牺牲层技术可用于微电子机械装置中活动部件的制作。利用电镀形成Ｚｎ牺牲层，结合微细加工技术中的ＬＩＧＡ工艺对该工艺进行了验证，制作出可活动的微齿轮结构，齿轮直径为２５０μｍ。     

第二讲发光学讲座 发光动力学

本文通过对辐射跃迁、无辐射跃迁和能量传递过程的讨论,介绍发光动力学的主要内容．